等离子体刻蚀方法及在该方法中使用的载体技术

一种等离子体刻蚀位于腔室中的一定类型的一般平面工件中的长的特征的方法。该方法包括：在腔室中刻蚀处于平的配置的测试工件；确定特征的纵向部分相对于正交地穿过工件的轴的各自的角度；以及确定为了至少在工件的中心部分上将所述角度基本上减小到０°所需的工件的曲率。该方法进一步包括在以步骤（ｃ）中确定的曲率将另一同样类型的工件弯曲的同时处理该同样类型的工件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体刻蚀方法及在该工艺中使用的载体。
技术介绍
在所有等离子体刻蚀工艺中，一个主要的当务之急是寻求至少跨半导体晶片的 中心部分实现被蚀刻的特征(feature)的最大均勻性。已知许多不同的用于改进这种均勻 性的技术，但是，在几乎每一个腔室中，等离子体中的离子密度在中心处比更靠近腔室壁处 高。至少在简单的模型中，从该区域产生的离子从等离子体的中心辐射，导致它们通常撞击 晶片中心轴附近，但是，随着离该轴的距离(半径)增大，离子以不断增大的角度撞击。这 意味着要被刻蚀的特征的纵向部分也趋于以随着半径增大的角度倾斜。到目前为止，尚未 发现解决该问题的妥善办法。本申请人已经开发了一种方法以及一种载体，用于至少减轻 该问题。
技术实现思路
因此，根据本专利技术一方面，构成了一种等离子体刻蚀位于腔室中的一定类型的一 般平面工件(例如，半导体晶片)中的长的特征的方法，该方法包括(a)在腔室中刻蚀处于平的配置的测试工件；(b)确定特征的纵向部分相对于正交地穿过工件的轴的各自的角度；(c)确定为了至少在工件的中心部分上将所述角度基本上减小到0°所需的工件 的曲率；以及(d)在以步骤(C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体刻蚀位于腔室中的一定类型的一般平面工件中的长的特征的方法，包括：（ａ）在腔室中刻蚀处于平的配置的测试工件；（ｂ）确定特征的纵向部分相对于正交地穿过工件的轴的各自的角度；（ｃ）确定为了至少在工件的中心部分上将所述角度基本上减小到０°所需的工件的曲率；以及（ｄ）在以步骤（ｃ）中确定的曲率将另一同样类型的工件弯曲的同时处理该同样类型的工件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D托塞尔，
申请(专利权)人：SPP加工技术系统英国有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]