【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种太阳能硅片的表面清洗方法，其特征在于在晶棒切成太阳能硅片并经脱胶后，先在浓度为１～３％的氢氟酸溶液中浸泡，接着采用纯水漂洗，接着放在浓度为１～３％的柠檬酸溶液中并导入纯净压缩空气边鼓泡边浸泡，然后又采用纯水漂洗，之后又在浓度为１～３％的硅片清洗剂中采用超声波清洗，接着再经多次纯水超声波漂洗后，最后放入温度保持在４５～７０℃的纯水中并采用超声波清洗即可。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郜勇军，方建和，柴宏峰，
申请(专利权)人：浙江矽盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]
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