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本发明涉及一种太阳能硅片的表面清洗方法，该方法在晶棒切成太阳能硅片并经脱胶后，先在浓度为１～３％的氢氟酸溶液中浸泡，接着采用纯水漂洗，接着放在浓度为１～３％的柠檬酸溶液中并导入纯净压缩空气边鼓泡边浸泡，然后又采用纯水漂洗，之后又在浓度为１～...
该专利属于浙江矽盛电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江矽盛电子有限公司授权不得商用。

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