本发明专利技术公开了一种硅片清洗剂及其使用方法，包括氧化剂、有机碱、渗透剂和水，各组分的体积比是氧化剂∶有机碱∶渗透剂∶水＝０．０２～０．１∶１～４∶０．５～１∶３０～５０；所述的氧化剂的标准电极电位不小于１．７Ｖ，是臭氧或双氧水；所述的有机碱选自以下组分中的一种或多种：三乙醇胺、醇钠、烃基钠、烃基锂、氨基锂及季铵碱；所述的渗透剂是脂肪醇聚氧乙烯醚或顺丁烯二酸二仲辛酯磺酸钠。本发明专利技术使用的清洗剂操作简单，没有给硅片清洗增加繁琐步骤，成本低，无污染，不会带入污染硅片的杂质，对环境无害。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种硅片制作过程中的清洗剂，尤其涉及的是一种硅片清洗剂及 其使用方法。
技术介绍
太阳能硅片表面污染物主要包括有机物，颗粒污染和金属离子玷污等，它们通常 以物理吸附和化学的方式存在于硅片的表面或硅片的自身氧化膜中，硅片表面二氧化硅层 通常存在疏松结构和致密结构两种，一般自然氧化层多为疏松结构，而采用强氧化剂或者 高温等可得到致密氧化层。硅片暴露在空气或水中，一般会发生反应，反应方程式分别为 Si+O2 = SiO2, Si+2H20 = Si02+2H2丨，这些反应生成的二氧化硅通常是疏松多孔结构，因 此无法阻止空气或水与硅接触，当硅片清洗时，硅片存在于碱性清洗剂中，碱液会穿过氧化 层渗透到硅片表面，与硅发生反应，碱与硅的不可控反应会使硅片表面出现黑斑，白斑等问 题。采用臭氧与硅反应得到致密的二氧化硅层，而且二氧化硅层的厚度只有几十个纳米，硅 的损耗很小，强氧化剂处理硅粉的作用类似于金属的钝化作用，该致密的二氧化硅层可有 效阻止内部的硅与碱性溶液的反应。另外，硅片表面的杂质由于氧化层的形成而被包裹在 内，随着氧化层被腐蚀掉，杂质也随之脱落。
技术实现思路
专利技术目的本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种硅片清洗剂及其 使用方法，通过氧化剂与硅反应得到致密的二氧化硅层，对硅片的表面形成致密的保护层。技术方案本专利技术是通过以下技术方案实现的，本专利技术包括氧化剂、有机碱、渗透 剂和水，各组分的体积比是氧化剂有机碱渗透剂水=0. 02 0. 1 1 4 0. 5 1 30 50 ；所述的氧化剂的标准电极电位不小于1. 7V，是臭氧或双氧水；所述的有机碱选自以下组分中的一种或多种三乙醇胺、醇钠、烃基钠、烃基锂、氨 基锂及季铵碱；所述的渗透剂是脂肪醇聚氧乙烯醚或顺丁烯二酸二仲辛酯磺酸钠。一种硅片清洗剂的使用方法，包括以下步骤(1)将硅片浸入权利要求1所述的硅 片清洗剂中200 500s，硅片的表面长出二氧化硅层；(2)对清洗剂超声波振荡100 300s，温度为50 60°C，频率是40KHz。本专利技术的工作原理是氧化剂与硅反应得到致密的二氧化硅层，而且二氧化硅层 的厚度只有几十个纳米，硅的损耗很小，该致密的二氧化硅层可有效阻止内部的硅与碱性 溶液的反应。另外，硅片表面的杂质由于氧化层的形成而被包裹在内，随着氧化层被腐蚀， 杂质也随之脱落。有益效果本专利技术使用的清洗剂操作简单，没有给硅片清洗增加繁琐步骤，成本 低，无污染，不会带入污染硅片的杂质，对环境无害。具体实施例方式下面对本专利技术的实施例作详细说明，本实施例在以本专利技术技术方案为前提下进行 实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本专利技术的保护范围不限于下述的实施 例。实施例1本实施例包括臭氧、三乙醇胺、脂肪醇聚氧乙烯醚和水，各组分的体积比是臭氧 三乙醇胺脂肪醇聚氧乙烯醚水=0. 05 4 0.5 30 ；一种硅片清洗剂的使用方法，包括以下步骤(1)将硅片浸入上述的硅片清洗剂中200 500s，硅片的表面长出二氧化硅层；(2)对清洗剂超声波振荡300s，温度为60°C，频率是40KHz。实施例2本实施例包括双氧水、醇钠、顺丁烯二酸二仲辛酯磺酸钠和水，各组分的体积比是 双氧水醇钠顺丁烯二酸二仲辛酯磺酸钠水=0. 1 3 0.7 45 ；一种硅片清洗剂的使用方法，包括以下步骤(1)将硅片浸入上述的硅片清洗剂中300s，硅片的表面长出二氧化硅层；(2)对清洗剂超声波振荡200s，温度为50°C，频率是40KHz。实施例3本实施例包括臭氧、氨基锂、脂肪醇聚氧乙烯醚和水，各组分的体积比是臭氧氨 基锂脂肪醇聚氧乙烯醚水=0. 08 4 0. 6 50 ；一种硅片清洗剂的使用方法包括以下步骤(1)将硅片浸入上述的硅片清洗剂中250s，硅片的表面长出二氧化硅层；(2)对清洗剂超声波振荡300s，温度为60°C，频率是40KHz。实施例4本实施例包括臭氧、季铵碱、顺丁烯二酸二仲辛酯磺酸钠和水，各组分的体积比是 臭氧季铵碱顺丁烯二酸二仲辛酯磺酸钠水=0. 1 4 0. 1 50 ；一种硅片清洗剂的使用方法，包括以下步骤(1)将硅片浸入上述的硅片清洗剂中200s，硅片的表面长出二氧化硅层；(2)对清洗剂超声波振荡300s，温度为50°C，频率是40KHz。权利要求一种硅片清洗剂，其特征在于包括氧化剂、有机碱、渗透剂和水，各组分的体积比是氧化剂∶有机碱∶渗透剂∶水＝0.02～0.1∶1～4∶0.5～1∶30～50；所述的氧化剂的标准电极电位不小于1.7V，是臭氧或双氧水；所述的有机碱选自以下组分中的一种或多种三乙醇胺、醇钠、烃基钠、烃基锂、氨基锂及季铵碱；所述的渗透剂是脂肪醇聚氧乙烯醚或顺丁烯二酸二仲辛酯磺酸钠。2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗剂的使用方法，其特征在于包括以下步骤(1)将硅片浸入权利要求1所述的硅片清洗剂中200 500s，硅片的表面长出二氧化硅层；(2)对清洗剂超声波振荡100 300s，温度为50 60°C，频率是40KHz。全文摘要本专利技术公开了，包括氧化剂、有机碱、渗透剂和水，各组分的体积比是氧化剂∶有机碱∶渗透剂∶水＝0.02～0.1∶1～4∶0.5～1∶30～50；所述的氧化剂的标准电极电位不小于1.7V，是臭氧或双氧水；所述的有机碱选自以下组分中的一种或多种三乙醇胺、醇钠、烃基钠、烃基锂、氨基锂及季铵碱；所述的渗透剂是脂肪醇聚氧乙烯醚或顺丁烯二酸二仲辛酯磺酸钠。本专利技术使用的清洗剂操作简单，没有给硅片清洗增加繁琐步骤，成本低，无污染，不会带入污染硅片的杂质，对环境无害。文档编号H01L21/306GK101880609SQ20101021459公开日2010年11月10日 申请日期2010年6月30日 优先权日2010年6月30日专利技术者叶淳超, 夏恒军, 杨福山 申请人:国电光伏(江苏)有限公司 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种硅片清洗剂，其特征在于：包括氧化剂、有机碱、渗透剂和水，各组分的体积比是氧化剂∶有机碱∶渗透剂∶水＝０．０２～０．１∶１～４∶０．５～１∶３０～５０； 所述的氧化剂的标准电极电位不小于１．７Ｖ，是臭氧或双氧水； 所述的有机碱选自以下组分中的一种或多种：三乙醇胺、醇钠、烃基钠、烃基锂、氨基锂及季铵碱； 所述的渗透剂是脂肪醇聚氧乙烯醚或顺丁烯二酸二仲辛酯磺酸钠。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨福山，叶淳超，夏恒军，
申请(专利权)人：国电光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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