一种晶粒层改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种晶粒层改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法，在半导体芯片的焊垫表面上涂布第一层介电质层，在第一层介电质层上成形第一凹槽；在第一凹槽内填入导电金属质，形成第一导接线路；接着涂布第二层介电质层；利用正性光刻胶在该第二层介电质层成形第三凹槽，截面内壁呈现角度<90

【技术实现步骤摘要】
一种晶粒层改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法


[0001]本专利技术属于半导体封装
，具体涉及一种晶粒层改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法。

技术介绍

[0002]半导体封装传统是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片(Die)，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(BondPad)连接到基板的相应引脚(Lead),并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序，最后入库出货。
[0003]Flipchip又称倒装片，是在I/Opad上沉积锡铅球，然后将芯片翻转加热利用熔融的锡铅球与陶瓷基板相结合此技术替换常规打线接合，逐渐成为未来的封装主流，当前主要应用于高时脉的CPU、GPU(GraphicP本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶粒层改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法，该半导体芯片封装安装结合在一基板上以与该基板上所布设的复数个焊点电性连接，包含：一半导体芯片，其具有一焊垫表面，焊垫表面设有复数个焊垫；至少一介电质层其被覆于该半导体芯片的焊垫表面上；以及至少一导接线路，其设置于该介电质层中，且各导接线路的一端分别与半导体芯片上一焊垫电性连接，另一端则向外延伸并显露于该介电质层之外，以形成一焊点，可供与一基板上所预先布设的一焊点电性连接，以使该半导体芯片安装结合在该基板上；其特征在于，该导接线路的形成方法包含下列步骤：S1：在半导体芯片的焊垫表面上涂布第一层介电质层；S2：利用光阻剂并以曝光显影方式在该第一层介电质层上成形焊垫表面上各焊垫的第一凹槽，使各焊垫能够经由各第一凹槽向外裸露；S3：在各线路第一凹槽内填入导电金属质，以分别形成各第一导接线路，所述第一导接线路与第一层介电质层形成第二凹槽；S4：在第一层介电质层及各第一导接线路上涂布第二层介电质层；S5：利用正性光刻胶并以曝光显影方式在该第二层介电质层成形暴露出第一导接线路的第三凹槽，所述第二层介电质层截面内壁与第一层介电质层上表面呈现角度<90
°
；S6：在第二层介电质层表面以及第三凹槽内溅镀导电金属质，以分别形成与第一导接线路连通的第二导接线路，以及形成第四凹槽；S7：对第二层介电质层表面进行金属剥离工艺处理，去除溅镀的导电金属质；S8：在各线路第四凹槽内填入导电金属质，以分别形成各第三导接线路；S9：在第二层介电...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱贵武，卢旋瑜，李永鑫，左永刚，
申请(专利权)人：晶旺半导体山东有限公司，
类型：发明
国别省市：