本发明专利技术公开了一种焊点高度补偿方法、装置、焊线机及存储介质，该方法包括：获取到半导体材料的参考焊点高度，所述参考焊点高度为最高焊线邦头位置到半导体材料接触面焊点的上表面；当需对半导体材料进行焊点键合时，基于预设的探高高度距离，确定半导体材料的实际焊点高度；计算得到实际焊点高度相较于参考焊点高度的焊点高度差；基于焊点高度差，对半导体材料的焊点高度进行补偿，以获得最新的探高高度。可见，本发明专利技术中通过获取到半导体材料的参考焊点高度和实际焊点高度来计算出焊点高度差，进而通过焊点高度差来对半导体材料的焊点高度进行补偿，有效减小了由于半导体材料表面高度变化引起的搜索时间变长的问题，从而提高了设备的工作效率。了设备的工作效率。了设备的工作效率。
【技术实现步骤摘要】
一种焊点高度补偿方法、装置、焊线机及存储介质
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种焊点高度补偿方法、装置、焊线机及存储介质。
技术介绍
[0002]半导体焊线机的主要作用就是将不同晶元（DIE）和支架（LEAD）用金属线连接起来，即金线键合工艺，其是用合适的材料将硅片和外部的引脚连接起来，从而形成良好的电器特性的一道工序。它是半导体工艺中最重要的一环，承担着内部芯片和外部框架紧密连接的功能。针对不同的半导体材料及金属引线的材质，是通过不同的焊线参数才能达到各自稳定的连接效果。
[0003]但是由于相同材料制造工艺的差异性，还有半导体材料底部顶板的平整度不同，或者材料不同位置温度的差别，都会导致相同半导体材料不同位置的焊点高度跟提前检测半导体材料晶元和支架的接触面的高度的位置产生差异，进而导致探高时间增长，因此，如何减少探高时间，已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种焊点高度补偿方法、装置、焊线机及存储介质，以解决由于半导体材料接触面高度变化过大引起的探高时间增长的问题。
[0005]一种焊点高度补偿方法，包括：获取到半导体材料的参考焊点高度，所述参考焊点高度为最高焊线邦头位置到所述半导体材料接触面焊点的上表面；当需对所述半导体材料进行焊点键合时，基于预设的探高高度距离，确定所述半导体材料的实际焊点高度；计算得到所述实际焊点高度相较于所述参考焊点高度的焊点高度差；基于所述焊点高度差，对所述半导体材料的焊点高度进行补偿，以获得最新的探高高度。
[0006]上述方法，可选的，所述获取到半导体材料的参考焊点高度，包括：获取半导体材料的焊线位置和焊线参数；基于所述半导体材料的焊线位置和焊线参数，对所述半导体材料进行高度检测，以获取到所述半导体材料的参考焊点高度。
[0007]上述方法，可选的，所述基于预设的探高高度距离，确定所述半导体材料的实际焊点高度，包括：基于预设的探高高度距离和参考焊点高度，确定半导体材料的实际焊点高度；通过如下公式计算出半导体材料的实际焊点高度：，其中，表示所述实际焊点高度，表示所述参考焊点高度，表示所述预设的探高高
度距离。
[0008]上述方法，可选的，所述基于所述焊点高度差，对所述半导体材料的焊点高度进行补偿，以获得最新的探高高度，包括：通过如下公式计算出最新的探高高度：，其中，表示所述最新的探高高度，表示所述参考焊点高度，表示所述预设的探高高度距离，表示所述实际焊点高度和所述参考焊点高度的焊点高度差。
[0009]上述方法，可选的，所述预设的探高高度距离可根据半导体材料进行对应设置。
[0010]上述方法，可选的，所述半导体材料的焊点高度探测是通过焊线邦头从探高高度开始向下匀速运动直到接触半导体材料的上表面结束。
[0011]一种焊点高度补偿装置，包括：参考焊点高度获取模块，用于获取到半导体材料的参考焊点高度，所述参考焊点高度为最高焊线邦头位置到所述半导体接触面焊点的上表面；实际焊点高度确定模块，用于当需对所述半导体材料进行焊点键合时，基于预设的探高高度距离，确定所述半导体材料的实际焊点高度；焊点高度差计算模块，用于计算得到所述实际焊点高度相较于所述参考焊点高度的焊点高度差；探高高度获得模块，用于基于所述焊点高度差，对所述半导体材料的焊点高度进行补偿，以获得最新的探高高度。
[0012]一种焊线机，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述任一项所述焊点高度补偿方法。
[0013]一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一项所述焊点高度补偿方法。
[0014]综上所述，本专利技术公开了一种焊点高度补偿方法、装置、焊线机及存储介质，通过获取到半导体材料的参考焊点高度和实际焊点高度来计算出实际焊点高度相较于参考焊点高度的焊点高度差，进而根据焊点高度差对半导体材料的焊点高度进行补偿，以获得最新的探高高度。可见，本专利技术中通过计算焊点高度差来对半导体材料的焊点高度进行补偿，以此补偿当前单元线的探高高度，有效减小了由于半导体材料表面高度变化引起的搜索时间变长的问题，从而提高了设备的工作效率。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1是本专利技术实施例一公开的一种焊点高度补偿方法的流程示意图；图2是本专利技术实施例一公开的一种焊点高度补偿方法的探高高度示意图；图3是本专利技术实施例一公开的一种焊点高度补偿装置的结构示意图；图4是本专利技术实施例一公开的一种焊线机的结构示意图。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]应当理解，当在本专利技术说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0019]还应当理解，在本专利技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
[0020]如在本专利技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
[0021]另外，在本专利技术说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0022]在本专利技术说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本专利技术的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
[0023]应理解，以下实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种焊点高度补偿方法，其特征在于，包括：获取到半导体材料的参考焊点高度，所述参考焊点高度为最高焊线邦头位置到所述半导体材料接触面焊点的上表面；当需对所述半导体材料进行焊点键合时，基于预设的探高高度距离，确定所述半导体材料的实际焊点高度；计算得到所述实际焊点高度相较于所述参考焊点高度的焊点高度差；基于所述焊点高度差，对所述半导体材料的焊点高度进行补偿，以获得最新的探高高度。2.如权利要求1所述的焊点高度补偿方法，其特征在于，所述获取到半导体材料的参考焊点高度，包括：获取所述半导体材料的焊线位置和焊线参数；基于所述半导体材料的焊线位置和焊线参数，对所述半导体材料进行高度检测，以获取到所述半导体材料的参考焊点高度。3.如权利要求1所述的焊点高度补偿方法，其特征在于，所述基于预设的探高高度距离，确定所述半导体材料的实际焊点高度，包括：基于预设的探高高度距离和参考焊点高度，确定所述半导体材料的实际焊点高度；通过如下公式计算出所述半导体材料的实际焊点高度：，其中，表示所述实际焊点高度，表示所述参考焊点高度，表示所述预设的探高高度距离。4.如权利要求1所述的焊点高度补偿方法，其特征在于，所述基于所述焊点高度差，对所述半导体材料的焊点高度进行补偿，以获得最新的探高高度，包括：通过如下公式计算出最新的探高高度：，其中，表示所述最新的探高高度，表示所述参考焊点高度，表示所述预设的探高高度距离，表示所述实际焊点高度和所述参考焊点高度的焊点高度差。5.如权利要求1所述的焊点高度补偿方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨锦，雷涛，李峥嵘，罗波，
申请(专利权)人：深圳市大族封测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。