【技术实现步骤摘要】
覆晶封装方法及其芯片
[0001]本专利技术是关于一种覆晶封装方法及其芯片,尤其是以芯片的复合式凸块接合于基板的覆晶封装方法。
技术介绍
[0002]请参阅图1,现有习知的一种覆晶封装构造10,其是借由异方性导电膜(Anisotropic Conductive Film;ACF)11中的多个导电粒子12电性连接芯片13的多个凸块14及基板15的多个接垫16,然而由于所述导电粒子12接触所述凸块14及所述接垫16的面积较小,因此会增加该芯片13与该基板15间的阻抗(Electrical impedance),进而影响该覆晶封装10的效能及可靠度。
技术实现思路
[0003]本专利技术的主要目的是在提供一种覆晶封装方法及其芯片,以降低芯片与基板之间的阻抗。
[0004]本专利技术的一种覆晶封装方法,包含提供基板、提供芯片及进行接合制程,该基板具有多个接垫,该该芯片包含载体、多个焊垫、保护层及多个复合式凸块,所述焊垫设置于该载体,该保护层覆盖该载体的表面,该保护层具有多个开口,各该开口显露出各该焊垫,各该复合式凸块电性连接对应的该各该焊垫,各该复合式凸块具有至少一个垫高件、一个凸块下金属层及一个接合层,该垫高件为非导电元件,该凸块下金属层覆盖该垫高件,该凸块下金属层与该焊垫电性连接,该接合层覆盖该凸块下金属层,并与该凸块下金属层电性连接,位于该垫高件上方的该接合层具有朝向该基板的预接合面,在该接合制程中,该芯片以所述复合式凸块接合该基板的所述接垫,各该复合式凸块以该接合层的该预接合面接触各该接垫,使 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种覆晶封装方法,其特征在于,包含:提供基板,具有多个接垫;提供芯片,该芯片包含载体、多个焊垫、保护层及多个复合式凸块,所述焊垫设置于该载体,该保护层覆盖该载体的表面,该保护层具有多个开口,各该开口显露出各该焊垫,各该复合式凸块电性连接对应的该各该焊垫,各该复合式凸块具有至少一个垫高件、一个凸块下金属层及一个接合层,该垫高件为非导电元件,该凸块下金属层覆盖该垫高件,该凸块下金属层与该焊垫电性连接,该接合层覆盖该凸块下金属层,并与该凸块下金属层电性连接,位于该垫高件上方的该接合层具有朝向该基板的预接合面;以及进行接合制程,该芯片以所述复合式凸块接合该基板的所述接垫,各该复合式凸块以该接合层的该预接合面接触各该接垫,使该接合层于该接垫形成接合面,并使该接合面的面积大于该预接合面的面积。2.根据权利要求1所述的覆晶封装方法,其特征在于,在该接合制程前,将非导电薄膜设置于该基板与该芯片之间,在该接合制程中,所述复合式凸块刺穿该非导电薄膜,并使各该接合层的该预接合面接触各该接垫,并持续施压该基板与该芯片,使该非导电薄膜填充于该基板与该芯片之间,并使该非导电薄膜密封所述复合式凸块。3.根据权利要求1所述的覆晶封装方法,其特征在于,该垫高件设置于该保护层。4.根据权利要求1所述的覆晶封装方法,其特征在于,该垫高件设置于该焊垫,使各该复合式凸块凸设于各该焊垫上。5.根据权利要求3或4所述的覆晶封装方法,其特征在于,沿着垂直该载体的垂直轴方向,该垫高件为锥体,且各该复合式凸块为锥体。6.根据权利要求3所述的覆晶封装方法,其特征在于,沿着该表面的轴线方向,该垫高件为肋条,该开口具有第一宽度,该垫高件具有第二宽度,该第二宽度不小于该第一宽度,位于该垫高件上的该凸块下金属层具有第三宽度,该第三宽度不大于该第二宽度。7.根据权利要求6所述的覆晶封装方法,其特征在于,位于该凸块下金属层上的该接合层形成为接合肋,沿着该轴线方向,该接合肋具有第四宽度,该第四宽度不小于该凸块下金属层的该第三宽度。8.根据权利要求7所述的覆晶封装方法,其特征在于,沿着该轴线方向,相邻的各该复合式凸块的各该垫高件相连接。9.根据权利要求4所述的覆晶封装方法,其特征在于,沿着该载体的该表面的轴线方向,该垫高件为肋条,该垫高件横跨于该开口。10.根据权利要求9所述的覆晶封装方法,其特征在于,相邻的各该复合式凸块的该垫高件相连接。11.根据权利要求3所述的覆晶封装方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴非艰,吴圣仁,叶学舜,
申请(专利权)人:颀邦科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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