内埋式射频模组及其芯片封装方法技术

本申请涉及一种内埋式射频模组及其芯片封装方法，该方法包括：在衬底上生成金属柱，并将非滤波器芯片贴装到衬底上；继续生成衬底和金属层，将非滤波器芯片内埋，并通过金属层将非滤波器芯片的引脚引出；将滤波器芯片焊接在衬底上，并使滤波器芯片的凸点与金属层上设置的焊点连接；在衬底设置滤波器芯片的一侧生成密封层。通过将非滤波器芯片内埋，节省整个模组芯片的二维面积，大大缩小了模组芯片的尺寸，降低了制作成本。降低了制作成本。降低了制作成本。

【技术实现步骤摘要】
内埋式射频模组及其芯片封装方法


[0001]本申请涉及射频模组封装工艺
，特别是涉及一种内埋式射频模组及其芯片封装方法。

技术介绍

[0002]随着科技的发展和社会的不断进步，市场上对于射频芯片发展提出的集成度要求越来越高，对于模组芯片的尺寸要求也越来越高。将更多功能的芯片集成在一个更小的模组封装里可以带来较大的市场竞争力。滤波器芯片由于其叉指换能器需要净空才能工作的特殊要求，传统基于滤波器的射频模组封装方案为整体贴膜形成空腔或者是晶圆级封装形成空腔，均为二维封装方案，整体面积较大，制作成本较高。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述问题，提供一种可降低制作成本的内埋式射频模组及其芯片封装方法。
[0004]一种内埋式射频模组芯片封装方法，包括：
[0005]在衬底上生成金属柱，并将非滤波器芯片贴装到所述衬底上；
[0006]继续生成衬底和金属层，将所述非滤波器芯片内埋，并通过所述金属层将所述非滤波器芯片的引脚引出；
[0007]将滤波器芯片焊接在所述衬底上，并使所述滤波器芯片的凸点与所述金属层上设置的焊点连接；
[0008]在所述衬底设置所述滤波器芯片的一侧生成密封层。
[0009]在其中一个实施例中，所述衬底包括相对的第一侧和第二侧，所述衬底的第一侧和第二侧均设置有金属层；所述在衬底上生成金属柱，并将非滤波器芯片贴装到所述衬底上，包括：在所述衬底的第一侧生成金属柱，以及贴装所述非滤波器芯片；其中，所述金属柱与所述衬底的第一侧设置的金属层连接。
[0010]在其中一个实施例中，所述继续生成衬底和金属层，将所述非滤波器芯片内埋，并通过所述金属层将所述非滤波器芯片的引脚引出，包括：在所述衬底的第一侧继续交替生成衬底和金属层将所述非滤波器芯片内埋，且生成的金属层中，位于中间的金属层与所述金属柱连接，位于表面的金属层通过位于中间的金属层连接到所述非滤波器芯片的引脚，以将所述非滤波器芯片的引脚引出。
[0011]在其中一个实施例中，所述将滤波器芯片焊接在所述衬底上，并使所述滤波器芯片的凸点与所述金属层上设置的焊点连接，包括：将滤波器芯片倒装焊在所述衬底的第二侧，使所述滤波器芯片的凸点与位于所述衬底的第二侧的金属层上设置的焊点连接。
[0012]在其中一个实施例中，所述在所述衬底设置所述滤波器芯片的一侧生成密封层，包括：对所述衬底和所述滤波器芯片贴干膜，形成包封层，并对所述包封层进行塑封，形成塑封层；所述密封层包括所述包封层和所述塑封层。
[0013]在其中一个实施例中，所述在所述衬底设置所述滤波器芯片的一侧生成密封层，包括：对所述衬底和所述滤波器芯片贴黑膜，生成密封层。
[0014]在其中一个实施例中，所述继续生成衬底和金属层，将所述非滤波器芯片内埋，并通过所述金属层将所述非滤波器芯片的引脚引出之后，所述将滤波器芯片焊接在所述衬底上，并使所述滤波器芯片的凸点与所述金属层上设置的焊点连接之前，该方法还包括：在所述衬底的两侧生成阻焊层，并露出所述金属层上设置的焊点。
[0015]在其中一个实施例中，所述衬底为聚丙烯衬底，和/或所述金属柱为铜柱。
[0016]在其中一个实施例中，所述非滤波器芯片包括天线芯片、开关芯片、低噪放大器芯片和功率放大器芯片中的至少一种。
[0017]一种内埋式射频模组，包括衬底、金属柱、金属层、非滤波器芯片、滤波器芯片和密封层，所述内埋式射频模组通过上述的方法进行芯片封装。
[0018]上述内埋式射频模组及其芯片封装方法，在衬底上生成金属柱，并将非滤波器芯片贴装到衬底上，然后继续生成衬底和金属层，将非滤波器芯片内埋，并通过金属层将非滤波器芯片的引脚引出。将滤波器芯片焊接在衬底上，并使滤波器芯片的凸点与金属层上设置的焊点连接，在衬底设置滤波器芯片的一侧生成密封层。通过将非滤波器芯片内埋，节省整个模组芯片的二维面积，大大缩小了模组芯片的尺寸，降低了制作成本。
附图说明
[0019]图1为一个实施例中内埋式射频模组芯片封装方法的流程图；
[0020]图2至9为一个实施例中内埋式射频模组芯片封装过程的结构示意图；
[0021]图10为一个实施例中内埋式射频模组芯片封装流程示意图。
具体实施方式
[0022]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0023]目前基于滤波器的射频模组封装方案，是通过整体贴膜形成空腔或者是晶圆级封装形成空腔，均为二维封装方案，整体面积较大，成本较高。基于此，本申请提供了一种内埋式射频模组芯片封装方法，在衬底上生成金属柱，并将非滤波器芯片贴装到衬底上，然后继续生成衬底和金属层，将非滤波器芯片内埋，并通过金属层将非滤波器芯片的引脚引出。将滤波器芯片焊接在衬底上，并使滤波器芯片的凸点与金属层上设置的焊点连接，在衬底设置滤波器芯片的一侧生成密封层。通过将非滤波器芯片内埋，节省整个模组芯片的二维面积，大大缩小了模组芯片的尺寸，降低了制作成本。
[0024]在一个实施例中，如图1所示，提供了一种内埋式射频模组芯片封装方法，包括：
[0025]步骤S110：在衬底上生成金属柱，并将非滤波器芯片贴装到衬底上。其中，如图2所示，衬底110可以是PP(Polypropylene，聚丙烯)衬底，也可以是其他材质的衬底。金属柱120可以是铜、镍或其他金属材质制成。本实施例中，衬底110为PP衬底，金属柱120为铜柱。非滤波器芯片的类型也并不唯一，可以包括内埋式射频模组的天线芯片、开关芯片、低噪放大器芯片和功率放大器芯片中的至少一种。
[0026]具体地，衬底110包括相对的第一侧和第二侧，衬底110的第一侧和第二侧均设置有金属层；步骤S110包括：在衬底的第一侧生成金属柱，以及贴装非滤波器芯片；其中，金属柱与衬底的第一侧设置的金属层连接。其中，如图2和图3所示，衬底110的第一侧设置有金属层132，衬底110的第二侧设置有金属层131，在衬底110的第一侧上面做金属柱120，并与金属层132连接。将非滤波器芯片贴装到衬底110的第一侧。
[0027]步骤S120：继续生成衬底和金属层，将非滤波器芯片内埋，并通过金属层将非滤波器芯片的引脚引出。如图4所示，在贴装非滤波器芯片之后，可继续压合PP材料使衬底110增厚，并且露出金属柱120和非滤波器芯片的引脚。每压合一层PP材料，再制作一层金属层，将非滤波器芯片的引脚引出，完成电性连接。继续做剩余PP材料层和金属层，生成一层金属层之后压一层PP材料，完成内埋基板的制作。
[0028]在一个实施例中，步骤S120包括：在衬底的第一侧继续交替生成衬底和金属层将非滤波器芯片内埋，且生成的金属层中，位于中间的金属层与金属柱连接，位于表面的金属层通过位于中间的金属层连接到非滤波器芯片的引脚，以将非滤波器芯片的引脚引出。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内埋式射频模组芯片封装方法，其特征在于，包括：在衬底上生成金属柱，并将非滤波器芯片贴装到所述衬底上；继续生成衬底和金属层，将所述非滤波器芯片内埋，并通过所述金属层将所述非滤波器芯片的引脚引出；将滤波器芯片焊接在所述衬底上，并使所述滤波器芯片的凸点与所述金属层上设置的焊点连接；在所述衬底设置所述滤波器芯片的一侧生成密封层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底包括相对的第一侧和第二侧，所述衬底的第一侧和第二侧均设置有金属层；所述在衬底上生成金属柱，并将非滤波器芯片贴装到所述衬底上，包括：在所述衬底的第一侧生成金属柱，以及贴装所述非滤波器芯片；其中，所述金属柱与所述衬底的第一侧设置的金属层连接。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述继续生成衬底和金属层，将所述非滤波器芯片内埋，并通过所述金属层将所述非滤波器芯片的引脚引出，包括：在所述衬底的第一侧继续交替生成衬底和金属层将所述非滤波器芯片内埋，且生成的金属层中，位于中间的金属层与所述金属柱连接，位于表面的金属层通过位于中间的金属层连接到所述非滤波器芯片的引脚，以将所述非滤波器芯片的引脚引出。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将滤波器芯片焊接在所述衬底上，并使所述滤波器芯片的凸点与所述金属层上设置的焊点连接，包括：将滤波器芯片倒装焊在所述衬底的第二侧，使所述滤波器芯片的凸点与位于所述衬底的第二侧的金属层上设置的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐文华，倪文海，程正果，辛政岩，
申请(专利权)人：上海迦美信芯通讯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：