一种芯片封装方法及封装结构技术

本公开实施例提供一种芯片封装方法及封装结构，包括：提供载板和芯片，芯片的第一表面设置有导电连接件；在载板的第一表面上形成重布线层，在重布线层的中央区域形成导电凸块，以及在所述重布线层的边缘区域形成导电柱；将芯片的第一表面固定于载板的第一表面，导电连接件与导电凸块电连接；对重布线层、导电柱与芯片进行塑封形成塑封单元；在载板上依次堆叠多个塑封单元；其中，相邻的两个所述塑封单元通过对应的所述导电柱电连接；移除所述载板，在底层的所述塑封单元裸露出的所述重布线层上形成焊球，得到目标封装体。本公开各层芯片用重布线层和导电柱形成的互连线路，降低了封装成本，提高了封装产品的品质和生产效率。提高了封装产品的品质和生产效率。提高了封装产品的品质和生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装方法及封装结构


[0001]本公开实施例属于半导体封装
，具体涉及一种芯片封装方法及封装结构。

技术介绍

[0002]在半导体封装业界上，3D型封装有着硅穿孔(TSV，ThroughSilicon Via)的问题。在此先进封装方式中，不仅需要10微米级的硅中介板，还要在带有电晶体的晶片上穿孔塞入金属，因此难度很高，技术不成熟，价格昂贵。
[0003]一般的TSV硅穿孔3D型封装中，高级节点通过TSV结构连接，晶片尺寸、互连长度和形状因此受到限制。随著手机等电子设备尺寸越来越小，必须将更多的晶片堆积起来体积再缩小，因此TSV的成本不适合移动市场。

技术实现思路

[0004]本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种芯片封装方法及封装结构。
[0005]本公开实施例的一个方面提供一种芯片封装方法。所述方法
[0006]包括：
[0007]提供载板和芯片，所述芯片的第一表面设置有导电连接件；
[0008]在所述载板的第一表面上形成重布线层，在所述重布线层的中央区域形成导电凸块，以及在所述重布线层的边缘区域形成导电柱；
[0009]将所述芯片的第一表面固定于所述载板的第一表面，所述导电连接件与所述导电凸块电连接；
[0010]对所述重布线层、所述导电柱与所述芯片进行塑封形成塑封单元；
[0011]在所述载板上依次堆叠多个所述塑封单元；其中，相邻的两个所述塑封单元通过对应的所述导电柱电连接；
[0012]移除所述载板，在底层的所述塑封单元裸露出的所述重布线层上形成焊球，得到目标封装体。
[0013]可选的，所述在所述载板的第一表面上形成重布线层，在所述重布线层的中央区域形成导电凸块，以及在所述重布线层的边缘区域形成导电柱，包括：
[0014]在所述载板的第一表面上形成第一钝化层，图形化所述第一钝化层在其中央区域和边缘区域分别形成第一开口，在所述第一钝化层的表面及所述第一开口形成金属布线层；
[0015]在所述第一钝化层上形成第二钝化层，图形化所述第二钝化层在其中央区域和边缘区域分别形成第二开口，在所述第二开口形成所述导电凸块和所述导电柱。
[0016]可选的，位于中央区域的所述第一开口与所述第二开口交错设置，位于边缘区域的所述第一开口与所述第二开口对应设置。
[0017]可选的，在对所述重布线层、所述导电柱与所述芯片进行塑封之前，所述方法还包括：
[0018]在所述重布线层与所述芯片之间形成底填胶。
[0019]可选的，所述对所述重布线层、所述导电柱与所述芯片进行塑封形成塑封单元，包括：
[0020]形成包裹所述重布线层、所述导电柱和所述芯片的塑封层；
[0021]减薄所述塑封层背离所述载板的表面至露出所述芯片的第二表面和所述导电柱，得到所述塑封单元。
[0022]可选的，所述导电柱背离所述重布线层的一端高于所述芯片的第二表面。
[0023]可选的，在所述载板的第一表面上形成重布线层之前，所述方法还包括：在所述载板的第一表面上形成释放层，在所述释放层上形成所述重布线层；
[0024]在底层的所述塑封单元裸露出的所述重布线层上形成焊球之前，所述方法还包括：去除所述释放层。
[0025]本公开实施例的另一个方面提供一种芯片封装结构。包括依次堆叠的多个塑封单元，所述塑封单元包括：重布线层、芯片、塑封层、位于所述重布线层的中央区域的导电凸块以及位于所述重布线层的边缘区域的导电柱；
[0026]所述芯片的第一表面设置有导电连接件，所述导电连接件与所述导电凸块电连接；
[0027]所述塑封层设置于所述重布线层、所述导电柱和所述芯片；
[0028]相邻两个所述塑封单元通过对应的所述导电柱电连接，底层的所述塑封单元裸露出的所述重布线层上设置有焊球。
[0029]可选的，所述导电连接件包括导电块、导电凸点和焊块；所述导电块设置于所述芯片的第一表面，所述导电凸点与所述焊块依次设置于所述导电块，所述焊块与所述导电凸块电连接。
[0030]可选的所述塑封层还包括：底填胶；所述底填胶在所述重布线层与所述芯片之间。
[0031]本公开实施例的芯片封装方法中，将芯片倒装重布线层，通过重布线层及其上的导电凸块及导电柱实现堆叠芯片间的互连，大大缩短了互连长度，不限制芯片尺寸；各层芯片用重布线层进行线路连接，降低了封装成本，对比于从TSV里的导线输送功率至芯片顶部，导电柱连接能提供更好的传输功率，并能很好地保持封装结构的原始形态，适合高密度芯片封装。
附图说明
[0032]图1为本公开实施例的一种芯片封装方法的流程示意图；
[0033]图2至图14为本公开实施例的一种芯片封装方法的工艺示意图。
[0034]图中：
[0035]100、载板；200、芯片；210、导电连接件；211、导电块；
[0036]212、导电凸点；213、焊块；300、重布线层；310、第一钝化层；
[0037]311、第一开口；320、金属布线层；330、第二钝化层；331、第二开口；400、导电凸块；500、导电柱；600、底填胶；700、塑封层；800、塑封单元；810、焊球；900、释放层。
具体实施方式
[0038]为使本领域技术人员更好地理解本公开实施例的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开实施例作进一步详细描述。
[0039]请参阅图1，图1是本公开实施例的一种芯片封装方法的流程示意图，本公开实施例涉及一种芯片封装方法，所述方法S100包括：
[0040]步骤S110、提供载板和芯片，所述芯片的第一表面设置有导电连接件。
[0041]具体的，请参阅图2，图2为载板和芯片的结构示意图。所述载板100的材质可以为玻璃、硅、陶瓷、树脂和蓝宝石等中的一种。所述芯片200可以为硅芯片，所述芯片200的第一表面设置有导电连接件210，该第一表面为芯片200的正面或背面均可。
[0042]步骤S120、在所述载板的第一表面上形成重布线层，在所述重布线层的中央区域形成导电凸块，以及在所述重布线层的边缘区域形成导电柱。
[0043]具体的，请参阅图8，图8为载板的第一表面形成重布线层、导电凸块及导电柱后的结构示意图。在所述载板100上先形成所述重布线层300，然后，在所述重布线层300的中央区域形成导电凸块400，在所述重布线层300的边缘区域形成导电柱500。
[0044]本公开实施例的芯片封装方法中通过重布线层、及其上的导电凸块和导电柱实现堆叠芯片间的互连，大大缩短了互连长度；相比在硅中介设置TSV进行芯片互连，更节约成本，加工简易、方便；不受硅中介板的影响，可以根据实际需要设置重布线层，芯片的尺寸不受限制。而且对比将导电柱直接设置于芯片，在重布线层上形成导电柱，成本更低。
[0045]在一实施方式中，在所述载板的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供载板和芯片，所述芯片的第一表面设置有导电连接件；在所述载板的第一表面上形成重布线层，在所述重布线层的中央区域形成导电凸块，以及在所述重布线层的边缘区域形成导电柱；将所述芯片的第一表面固定于所述载板的第一表面，所述导电连接件与所述导电凸块电连接；对所述重布线层、所述导电柱与所述芯片进行塑封形成塑封单元；在所述载板上依次堆叠多个所述塑封单元；其中，相邻的两个所述塑封单元通过对应的所述导电柱电连接；移除所述载板，在底层的所述塑封单元裸露出的所述重布线层上形成焊球，得到目标封装体。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述载板的第一表面上形成重布线层，在所述重布线层的中央区域形成导电凸块，以及在所述重布线层的边缘区域形成导电柱，包括：在所述载板的第一表面上形成第一钝化层，图形化所述第一钝化层在其中央区域和边缘区域分别形成第一开口，在所述第一钝化层的表面及所述第一开口形成金属布线层；在所述第一钝化层上形成第二钝化层，图形化所述第二钝化层在其中央区域和边缘区域分别形成第二开口，在所述第二开口形成所述导电凸块和所述导电柱。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，位于中央区域的所述第一开口与所述第二开口交错设置，位于边缘区域的所述第一开口与所述第二开口对应设置。4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，在对所述重布线层、所述导电柱与所述芯片进行塑封之前，所述方法还包括：在所述重布线层与所述芯片之间形成底填胶。5.根据权利要求1至3任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢庭杰，庄佳铭，李尚轩，王雪，
申请(专利权)人：南通通富科技有限公司，
类型：发明
国别省市：