扇出型晶圆级封装结构及其制备方法技术

本公开涉及半导体封装领域，提供一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法，方法包括：提供玻璃载盘；在玻璃载盘沿其厚度方向的第一表面形成金属种子层；在金属种子层上形成重布线层；重布线层包括依次交替形成的多层钝化子层和多层金属布线子层，各钝化子层通过干膜压合技术形成，各金属布线子层相互电连接，最底层的金属布线子层与金属种子层电连接；在最顶层的金属布线子层上通过干膜压合技术形成钝化层；在钝化层上形成多个分别与最顶层的金属布线子层电连接的焊盘；将芯片倒装在多个焊盘上；去除玻璃载盘和金属种子层，制备得到扇出型晶圆级封装结构。本公开可避免晶圆翘曲问题，有效解决因RDL电镀高低不平造成的晶粒虚焊及晶粒偏移问题。焊及晶粒偏移问题。焊及晶粒偏移问题。

【技术实现步骤摘要】
扇出型晶圆级封装结构及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，特别涉及一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前，在半导体封装业界，扇出型晶圆级封装(Fan
‑
out Wafer Level Package，FOWLP)作为应用于众多移动应用的成熟技术，主要包括两种方式，分别为芯片先装(chip
‑
first)和芯片后装(chip
‑
last)。其中，chip
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first工艺的优势在于其具有较成熟的制程和较低的成本，但在制程中仍然存在晶粒偏移、重布线层(ReDistribution Layer，RDL)中金属/介电界面平整度不佳等问题，导致良率低下。

技术实现思路

[0003]本公开旨在至少解决现有技术中存在的问题之一，提供一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法。
[0004]本公开的一个方面，提供了一种扇出型晶圆级封装结构的制备方法，所述制备方法包括：
[0005]提供玻璃载盘；r/>[0006]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供玻璃载盘；在所述玻璃载盘沿其厚度方向的第一表面形成金属种子层；在所述金属种子层上形成重布线层；所述重布线层包括依次交替形成的多层钝化子层和多层金属布线子层，各所述钝化子层通过干膜压合技术形成，各所述金属布线子层相互电连接，且最底层的所述金属布线子层与所述金属种子层电连接；在最顶层的所述金属布线子层上通过所述干膜压合技术形成钝化层；在所述钝化层上形成多个焊盘，所述多个焊盘分别与最顶层的所述金属布线子层电连接；将芯片倒装在所述多个焊盘上；去除所述玻璃载盘和所述金属种子层，制备得到扇出型晶圆级封装结构。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在最顶层的所述金属布线子层上通过所述干膜压合技术形成钝化层，包括：提供PI干膜；将所述PI干膜置于最顶层的所述金属布线子层上；通过加热加压的方式对所述PI干膜进行压合，使所述PI干膜贴合在最顶层的所述金属布线子层上，形成所述钝化层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述芯片上形成有多个第一金属柱，所述将芯片倒装在所述多个焊盘上，包括：将所述多个第一金属柱与所述多个焊盘一一对应连接，使所述芯片通过所述多个第一金属柱与所述多个焊盘电连接。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李尚轩，石佩佩，
申请(专利权)人：南通通富科技有限公司，
类型：发明
国别省市：