硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法及其结构技术

本发明专利技术公开了硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法及其结构，所述方法包括以下步骤：S1：将硅桥固定在载板上；S2：通过塑封成型的方式对硅桥进行包封，形成电介质层；S3：在电介质层内制备导电柱；S4：移除载板；S5：将带有芯片的转接板倒装在电介质层上。本发明专利技术先将硅桥固定在载板上，再通过塑封成型的方式对硅桥进行塑封，无需在有机衬底上制备尺寸精细的硅槽，硅桥的形状也不受限制，可以简化制造工艺，缩短制造周期，提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法及其结构

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[0001]本专利技术属于半导体封装
，特别涉及硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法及其结构。

技术介绍
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[0002]随着电子产品的迭代更新，对于芯片的性能的需求也在不断提高，集成电路的封装经历从2D到2.5D、3D也得到了快速的发展，其中2.5D封装的应用也越来越广泛。2.5D封装中可实现芯片到芯片的短距离互联，其中TSMC的CoWoS封装(Chip on Wafer on Substrate)以及Intel的EMIB封装(Embedded Multi
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Die Interconnect Bridge，嵌入式多管芯互连桥)实现了芯片之间精细的高密度电通路。然而现有的封装技术中，需要先在封装的有机衬底上面制备出硅槽以用来埋入硅桥，硅槽的尺寸必须十分精细，过程较为复杂，同时该技术涉及到硅桥嵌入有机衬底复杂的制造工艺，需要在基板厂商以及芯片公司之间多轮制备，其成本高且周期长，流程比较复杂，生产效率比较低。目前急需开发出一种技术解决硅桥直接嵌入有机衬底的工艺制造流程复杂、效率底的问题。
[0003]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路
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[0004]本专利技术的目的在于提供硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法及其结构，从而克服上述现有技术中的缺陷。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法，包括以下步骤：
[0006]S1：将硅桥固定在载板上；
[0007]S2：通过塑封成型的方式对硅桥进行包封，形成电介质层；
[0008]S3：在电介质层内制备导电柱；
[0009]S4：移除载板；
[0010]S5：将带有芯片的转接板倒装在电介质层上。
[0011]进一步的，作为优选，所述S1中载板为可分离载板或复合载板。
[0012]进一步的，作为优选，所述复合载板的制备方法包括以下步骤：
[0013]SS1：在玻璃基板上涂覆一层临时键合胶；
[0014]SS2：在临时键合胶的表面溅射一层种子层；
[0015]SS3：在种子层上制作若干RDL层，并在远离玻璃基板的一层RDL层上形成焊盘，得到复合载板。
[0016]进一步的，作为优选，所述S3中的导电柱制备时首先通过激光钻孔的方式或者离子刻蚀的方式去除塑封材料以形成通孔，再通过电镀方式对通孔进行金属化填充形成金属导柱。
[0017]进一步的，作为优选，所述S4移除载板时首先通过激光接键合将玻璃基板与临时键合胶去除，再通过湿法刻蚀的方式将种子层刻蚀掉。
[0018]进一步的，作为优选，所述S5倒装时通过回流或者热压键合的方式进行倒装。
[0019]本专利技术还提供硅桥嵌入三维互联封装结构，包括：
[0020]塑封体，所述塑封体内包封硅桥和铜柱；
[0021]第一焊盘，所述第一焊盘沉积在铜柱的两端；
[0022]第二焊盘，所述第二焊盘沉积在塑封体的其中一侧并与塑封体内部的硅桥导通；
[0023]芯片，所述芯片通过第一焊球焊接到第一焊盘及第二焊盘上，芯片与塑封体内的硅桥及铜柱均导通；
[0024]转接板，所述转接板通过第二焊球焊接在芯片上。
[0025]进一步的，作为优选，所述塑封体的其中一侧上还制作有若干层RDL线路层，RDL线路层通过第一焊盘、第二焊盘与塑封体内的硅桥及铜柱导通，所述芯片通过第一焊球焊接在RDL线路层上，芯片与塑封体内的硅桥及铜柱均导通。
[0026]进一步的，作为优选，所述芯片至少有一个。
[0027]进一步的，作为优选，所述塑封体采用环氧树脂塑封料或者环氧液体灌封料。
[0028]与现有技术相比，本专利技术的一个方面具有如下有益效果：
[0029](1)本专利技术先将硅桥固定在载板上，再通过塑封成型的方式对硅桥进行塑封，无需在有机衬底上制备尺寸精细的硅槽，可以简化制造工艺，缩短制造周期，提高生产效率；
[0030](2)本专利技术由于硅桥是通过封装的方式埋在塑封材料内的，因此硅桥的形状也不会因为硅槽而受到影响。
附图说明：
[0031]图1为本专利技术中实施例1硅桥固定在可分离载板上的示意图；
[0032]图2为本专利技术中实施例1对硅桥进行包封的示意图；
[0033]图3为本专利技术中实施例1对塑封材料钻孔的示意图；
[0034]图4为本专利技术中实施例1形成导电柱的示意图；
[0035]图5为本专利技术中实施例1移除可分离载板的示意图；
[0036]图6为本专利技术中实施例1在电介质层的两侧沉积焊盘的示意图；
[0037]图7为本专利技术中实施例1芯片倒装到电介质层上的示意图；
[0038]图8为本专利技术中实施例2在玻璃载板上涂覆临时键合胶的示意图；
[0039]图9为本专利技术中实施例2在临时键合胶表面溅射种子层的示意图；
[0040]图10为本专利技术中实施例2在种子层上制作RDL层的示意图；
[0041]图11为本专利技术中实施例2将硅桥固定在复合载板上的示意图；
[0042]图12为本专利技术中实施例2在RDL层表面制作铜柱的示意图；
[0043]图13为本专利技术中实施例2对硅桥及铜柱进行包封的示意图；
[0044]图14为本专利技术中实施例2去除玻璃载板和临时键合胶的示意图；
[0045]图15为本专利技术中实施例2去除种子层的示意图；
[0046]图16为本专利技术中实施例2在焊盘上制作焊球的示意图；
[0047]图17为本专利技术中实施例2芯片倒装到电介质层上的示意图；
[0048]图标记：10
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可分离载板、11
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硅桥、12
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塑封料、13
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通孔、14
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导电柱、15
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焊盘、16
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焊球、17
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芯片、18
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转接板、07
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玻璃载板、08
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临时键合胶、09
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种子层、19
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钝化层、20
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RDL层。
具体实施方式：
[0049]下面对本专利技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本专利技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。
[0050]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。
[0051]实施例1：
[0052]硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将硅桥固定在载板上；S2：通过塑封成型的方式对硅桥进行包封，形成电介质层；S3：在电介质层内制备导电柱；S4：移除载板；S5：将带有芯片的转接板倒装在电介质层上。2.根据权利要求1所述的硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法，其特征在于，所述S1中载板为可分离载板或复合载板。3.根据权利要求2所述的硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法，其特征在于，所述复合载板的制备方法包括以下步骤：SS1：在玻璃基板上涂覆一层临时键合胶；SS2：在临时键合胶的表面溅射一层种子层；SS3：在种子层上制作若干RDL层，并在远离玻璃基板的一层RDL层上形成焊盘，得到复合载板。4.根据权利要求1所述的硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法，其特征在于，所述S3中的导电柱制备时首先通过激光钻孔的方式或者离子刻蚀的方式去除塑封材料以形成通孔，再通过电镀方式对通孔进行金属化填充形成金属导柱。5.根据权利要求3所述的硅桥嵌入三维互联封装结构的制造方法，其特征在于，所述S4移除载板时首先通过激光接键合将玻璃基板与临时键合胶去除，再通过湿法刻蚀的...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖智轶，马书英，赵艳娇，付东之，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：