一种GPP工艺芯片的加工方法技术

本发明专利技术涉及芯片加工技术领域，具体涉及一种GPP工艺芯片的加工方法，包括如下步骤：对来料硅片依次经过双面氧化处理、一次光刻显影处理、浅腐蚀开沟槽、二次光刻显影处理后深腐蚀开沟槽、沉积多晶硅保护膜层、沟槽内沉积玻璃钝化层、沉积氧化层、三次光刻显影处理后漂洗去除表面多余膜层、沟槽外镀金属层，即得到GPP工艺芯片；其中，浅腐蚀开槽的深度为10μm

【技术实现步骤摘要】
一种GPP工艺芯片的加工方法


[0001]本专利技术涉及芯片加工
，具体涉及一种GPP工艺芯片的加工方法。

技术介绍

[0002]GPP工艺芯片或称GPP玻璃钝化器件是电力电子设备中不可或缺的器件，其泛指引入或包含有结质膜保护工艺手段的全部有源器件，是玻璃钝化类器件的统称。由于玻璃钝化工艺对结界面裸露于体外的平面类二极管应用效果更为显著，并且已经有着广泛的应用，从而使GPP逐渐成为“玻璃钝化二极管”的代名词。由于GPP玻璃钝化二极管在承受外界应力、外界冷热冲击力、耐高温性、综合性能优良、适合批量生产等方面有着显著特性而备受青睐，目前已经广泛应用于家用电器、电子仪表、精密设备、轨道交通、数据传输和通讯系统等领域。
[0003]GPP工艺制程简要概括为：硅片高温氧化
→
一次光刻
→
腐蚀开槽
→
SIPOS多晶硅保护膜沉积
→
开槽处玻璃涂布
→
钝化烧结
→
二次光刻
→
去除槽外的SIPOS和玻璃钝化
→...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GPP工艺芯片的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：对来料硅片依次经过双面氧化处理、一次光刻显影处理、浅腐蚀开沟槽、二次光刻显影处理后深腐蚀开沟槽、沉积多晶硅保护膜层、沟槽内沉积玻璃钝化层、沉积氧化层、三次光刻显影处理后漂洗去除表面多余膜层、沟槽外镀金属层，即得到GPP工艺芯片；其中，所述浅腐蚀开槽的深度为10μm
±
2μm；所述深腐蚀开槽的深度为所述硅片厚度的45～48％。2.根据权利要求1所述的一种GPP工艺芯片的加工方法，其特征在于，所述GPP工艺芯片的加工方法具体包括如下步骤：S1、双面氧化：对具有P区和N区的硅片进行双面氧化，于所述硅片的两个表面获得第一氧化层；S2、一次光刻显影处理：双面涂布光刻胶，烘烤后对位紫外曝光、显影、热固化后完成一次光刻显影处理，获得预开槽图形；S3、浅腐蚀开沟槽：在经过S2步骤所得硅片的P型区表面进行浅腐蚀开沟槽获得预成型沟槽，所述浅腐蚀开槽的深度为10μm
±
2μm；S4、二次光刻显影处理后深腐蚀开沟槽：在获得所述预成型沟槽的硅片表面单面涂布光刻胶，烘烤后对位紫外曝光、显影，然后深腐蚀开沟槽，热固化后即获得成型沟槽；所述深腐蚀开槽的深度为所述硅片厚度的45～48％；S5、沉积多晶硅保护膜层：双面气相沉积多晶硅保护膜层；S6、沉积玻璃钝化层：在所述成型沟槽内电泳沉积玻璃层，烧结得到玻璃钝化层；S7、沉积获得第二氧化层；S8、三次光刻显影处理后漂洗去除表面多余膜层：在具有所述多晶硅保护膜层和所述玻璃钝化层以及所述第二氧化层的硅片表面单面涂布光刻胶，烘烤后对位紫外曝光、显影，漂洗腐蚀去除沟槽外表面多余膜层；S9、沟槽外镀金属层，即得到GPP工艺芯片。3.根据权利要求2所述的一种GPP工艺芯片的加工方法，其特征在于，所述双面氧化的条件是：热氧化炉温度从室温升温至600～850℃，然后将所述硅片推进炉内，设置氧气流量在100～200sccm，然后继续升温至1200℃，恒温反应30～40min后关闭氧气，以3～5℃/min的速率降温至600℃出炉。4.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王汛，
申请(专利权)人：常州银河电器有限公司，
类型：发明
国别省市：