轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法技术

本发明专利技术涉及一种轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法，步骤为：材料准备，材料表面处理，封装处理，焊接，酸洗，上胶，固化，模压，老化，回流焊和二次老化。本发明专利技术使用经过研磨的晶圆和玻璃钝化切割后芯片，低温焊接，焊接气孔更小，正向压降和电压一致性更好了克服隧道炉焊接气孔过大的问题，通过本发明专利技术生产的3000V以上高压二极管产品，最小可以降低0.3V，最大可以降低0.7*nV(n是整流管芯片数)正向压降。在相同芯片尺寸下，本发明专利技术生产的产品开关时间可以更快，正向压降可以更小，本发明专利技术生产芯片的成本大大下降，扩金减少30％以上～50％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管制造，尤其是涉及一种轴向低压降高电压快恢oj二极管制造方法。

技术介绍

1、现有技术中玻璃钝化(gpp)和酸洗(oj)是最主要的两种芯片工艺，就是在p-n结的保护上。gpp工艺结构为整流管和快恢复管，其芯片p-n结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化，冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体，无法用机械的方法分开。

2、而oj工艺结构为整流管和快恢复管，其芯片p-n结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结，然后在200度左右温度进行固化，保护p-n结获得电压。oj的保护胶仅仅是覆盖在p-n结的表面，而且相同扩散工艺和电阻率情况下，oj工艺比gpp工艺的电压高20％以上。随着电子、电力线路中频率越来越高，功率越来越大，相应快速整流，超快速整流器件，损耗的功率也越来越大，为了降低功耗，减少能源消耗，在不增加芯片面积的前提下，保证产品正常应用。

技术实现思路

1、针对上述问题，本专利技术的目的是提供一种轴向低压降高电压快恢oj二极管制造方法，能有效降低正向压降本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法，其特征在于：步骤如下：

2.根据权利要求1所述的轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法，其特征在于：模压老化后，测量芯片尺寸，若芯片尺寸大于88mil，则进行二次回流焊，若芯片尺寸小于88MIL，则在150～175℃下老化8～24h。

3.根据权利要求1所述的轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法，其特征在于：所述缓冲焊片为厚0.05mm的圆形铅锡银焊片，所述薄焊片为减薄焊片或者方形焊片，减薄焊片为0.03mm的圆形铅锡银超薄焊片且大小为芯片对角线直径，方形焊片为0.05mm的方形铅锡银焊片，且大小为芯片边长。...

【技术特征摘要】

1.一种轴向低压降高电压快恢oj二极管制造方法，其特征在于：步骤如下：

2.根据权利要求1所述的轴向低压降高电压快恢oj二极管制造方法，其特征在于：模压老化后，测量芯片尺寸，若芯片尺寸大于88mil，则进行二次回流焊，若芯片尺寸小于88mil，则在150～175℃下老化8～24h。

3.根据权利要求1所述的轴向低压降高电压快恢oj二极管制造方法，其特征在于：所述缓冲焊片为厚0.05mm的圆形铅锡银焊片，所述薄焊片为减薄焊片或者方形焊片，减薄焊片为0.03mm的圆形铅锡银超薄焊片且大小为芯片对角线直径，方形焊片为0.05mm的方形铅锡银焊片，且大小为芯片边长。

4.根据权利要求1所述的轴向低压降高电压快恢oj二极管制造方法，其特征在于：所述快恢芯片为已经玻璃钝化的超快恢复硅片。

5.根据权利要求1所述的轴向低压降高电压快恢oj二极管制造方法，其特征在于：s2中二次镀镍时的镀镍温度65～75...

【专利技术属性】
技术研发人员：王汛，钱涌来，
申请(专利权)人：常州银河电器有限公司，
类型：发明
国别省市：