【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种金包银凸块半导体封装结构的制造方法，属于半导体。
技术介绍
1、凸块技术是半导体封装中的关键工艺，主要用于倒装芯片（flip chip）封装，实现芯片与基板的高密度互连。倒装芯片的话，芯片上的焊盘会通过凸块（bump）连接到基板上，而金凸块就是其中一种凸块材料，用金制成的，也有的采用银合金凸块代替纯金凸块。其制作方法有电镀、化学沉积或者物理气相沉积，不过电镀法更常见，因为金属电镀在半导体工艺中用得很多。比如，先沉积一层种子层，然后通过光刻形成图案，再电镀金，最后去除光刻胶和多余的种子层，这样就能形成凸块结构。
2、现有技术中银合金凸块封装技术存在电镀不均匀，导致凸块高度不一，影响后续的连接；还有成本控制的问题，因为金的价格高，如何优化工艺减少金的使用量，同时保持性能，且银合金存在容易氧化或硫化的问题。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是针对以上不足，提供一种金包银凸块半导体封装结构的制造方法，镀层均匀，镀层高度一致，成本低廉，解决了银合金容易氧化或硫
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1.一种金包银凸块半导体封装结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种金包银凸块半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤二中采用化学镀金的方式在银凸块外围包覆一层薄金。
3.如权利要求1所述的一种金包银凸块半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述银凸块外围薄金的厚度为0.05-0.1um。
4.如权利要求1所述的一种金包银凸块半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤二具体包括以下步骤：
5.如权利要求4所述的一种金包银凸块半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤5.1具体包
...【技术特征摘要】
1.一种金包银凸块半导体封装结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种金包银凸块半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤二中采用化学镀金的方式在银凸块外围包覆一层薄金。
3.如权利要求1所述的一种金包银凸块半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述银凸块外围薄金的厚度为0.05-0.1um。
4.如权利要求1所述的一种金包银凸块半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤二具体包括以下步骤：
5.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱贵武，卢旋瑜，徐伟伟，李永鑫，吴振嘉，杜美玉，
申请(专利权)人：晶旺半导体山东有限公司，
类型：发明
国别省市：
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