半导体结构的形成方法、半导体设备技术

本公开提供了一种半导体结构的形成方法、半导体设备，所述半导体结构的形成方法包括：提供晶圆以及至少一个芯片；所述晶圆中形成有第一互连结构以及至少一个第一开口，所述第一开口暴露出所述第一互连结构；所述芯片包括第二互连结构；将每个所述芯片具有第二互连结构的一侧向下并置于一个所述第一开口中；提供保护膜，使得所述保护膜覆盖所述晶圆以及所述芯片；利用所述保护膜上的流动物按压所述芯片。利用所述保护膜上的流动物按压所述芯片。利用所述保护膜上的流动物按压所述芯片。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法、半导体设备


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法、半导体设备。

技术介绍

[0002]随着存储器的特征尺寸缩小以及互连密度提高，存储器向着三维方向发展。其中，混合键合技术可实现两种不同功能芯片的三维集成。例如，将存储芯片与逻辑芯片混合键合，可实现尺寸更小、互连密度更高以及功耗更低的三维存储器。
[0003]随着对存储器集成度以及可靠性要求的越来越高，混合键合技术面临着越来越多的挑战。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种半导体结构的形成方法、半导体设备。
[0005]为达到上述目的，本公开实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：
[0007]提供晶圆以及至少一个芯片；所述晶圆中形成有第一互连结构以及至少一个第一开口，所述第一开口暴露出所述第一互连结构；所述芯片包括第二互连结构；
[0008]将每个所述芯片具有第二互连结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆以及至少一个芯片；所述晶圆中形成有第一互连结构以及至少一个第一开口，所述第一开口暴露出所述第一互连结构；所述芯片包括第二互连结构；将每个所述芯片具有第二互连结构的一侧向下并置于一个所述第一开口中；提供保护膜，使得所述保护膜覆盖所述晶圆以及所述芯片；利用所述保护膜上的流动物按压所述芯片。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保护膜的材料包括：蓝膜。3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述流动物包括液体、气体。4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述利用所述保护膜上的流动物按压所述芯片，包括：将所述流动物置于承物槽中；所述承物槽包括底部、侧壁以及可移动压头，所述承物槽的底部的材料包括柔性材料，所述流动物置于所述承物槽的底部与所述可移动压头之间；通过向下按压所述可移动压头，使得所述流动物按压所述芯片。5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述提供晶圆，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成所述第一互连结构；在所述第一介质层上形成第二介质层，并在所述第二介质层中形成第一开口，所述第一开口暴露所述第一互连结构。6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在利用所述保护膜上的流动物按压所述芯片之后，利用灰化工艺去除所述保护膜。7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在利用所述保护膜上的流动物按压...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘藩东，胡宽，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：