电极、基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序制造方法及图纸

提供一种技术，具有用于产生等离子体的电极，该电极具有被施加任意的电位的至少一个第一电极和被赋予基准电位的至少一个第二电极，第一电极是具有比第二电极大的面积的一体构造。造。造。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电极、基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序


[0001]本公开涉及电极、基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序。

技术介绍

[0002]作为半导体装置(设备)的制造工序的一个工序，有时进行下述基板处理：向基板处理装置的处理室内搬入基板，向处理室内供给原料气体和反应气体，在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜，或者除去各种膜。
[0003]在形成微细图案的量产设备中，为了抑制杂质的扩散、或者能够使用有机材料等耐热性低的材料，有时要求低温化。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2007
‑
324477号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]为了满足这样的技术要求，通常使用等离子体进行基板处理，但有时难以对膜进行均匀处理。
[0009]本公开的目的在于提供一种能够进行更均匀的基板处理的技术。
[0010]用于解决课题的方案
[0011]根据本公开的一个方式，提供一种技术，具有用于产生等离子体的电极，该电极具有被施加任意的电位的至少一个第一电极和被赋予基准电位的至少一个第二电极，所述第一电极具有比所述第二电极大的面积的一体构造。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本公开，能够提供一种能够进行更均匀的基板处理的技术。
附图说明
[0014]图1是在本公开的实施方式中适当使用的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是用纵截面表示处理炉部分的图。
[0015]图2是图1所示的基板处理装置的A
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A剖视图。
[0016]图3(a)是将本公开的实施方式的电极设置于电极固定件时的立体图，(b)是用于表示本公开的实施方式的加热器、电极固定件、电极、固定电极的突起部、反应管的位置关系的图。
[0017]图4(a)是将本公开的实施方式中的第一变形例的电极设置于电极固定件时的立体图，(b)是用于表示本公开的实施方式中的第一变形例的加热器、电极固定件、电极、固定电极的突起部、反应管的位置关系的图。
[0018]图5(a)是将本公开的实施方式中的第二变形例的电极设置于电极固定件时的立
体图，(b)是用于表示本公开的实施方式中的第二变形例的加热器、电极固定件、电极、固定电极的突起部、反应管的位置关系的图。
[0019]图6(a)是本公开的实施方式的电极的主视图，(b)是说明将电极固定于电极固定件的点的图。
[0020]图7是图1所示的基板处理装置中的控制器的概略结构图，是表示控制器的控制系统的一例的方框图。
[0021]图8是表示使用了图1所示的基板处理装置的基板处理工序的一例的流程图。
具体实施方式
[0022]以下，参照图1至图8对本公开的实施方式进行说明。此外，在以下的说明中使用的附图均为示意性的附图，附图所示的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实的情况一致。另外，在多个附图相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
[0023](1)基板处理装置的结构
[0024](加热装置)
[0025]如图1所示，处理炉202具有作为加热装置(加热机构、加热部)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过被保持板支撑而垂直地安装。加热器207也作为利用热使气体活性化(激发)的活性化机构(激发部)发挥功能。
[0026](处理室)
[0027]在加热器207的内侧配设有后述的电极固定件301，并且在电极固定件301的内侧配设有后述的等离子体生成部的电极300。进而，在电极300的内侧，与加热器207同心圆状地配设反应管203。反应管203例如由石英(SiO2)、碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。在反应管203的下方，与反应管203呈同心圆状地配置有歧管209。歧管209例如由不锈钢(SUS)等金属构成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。歧管209的上端部与反应管203的下端部卡合，构成为支撑反应管203。在歧管209与反应管203之间设置有作为密封部件的O型环220a。通过将歧管209支撑于加热器基座，反应管203成为垂直安装的状态。主要由反应管203和歧管209构成处理容器(反应容器)。在处理容器的筒中空部形成有处理室201。处理室201构成为能够收纳作为多张基板的晶片200。另外，处理容器不限于上述结构，有时也仅将反应管203称为处理容器。
[0028](气体供给部)
[0029]在处理室201内以贯通歧管209的侧壁的方式分别设置有作为第一供给部、第二供给部的喷嘴249a、249b。也将喷嘴249a、249b分别称为第一喷嘴、第二喷嘴。喷嘴249a、249b例如由石英或Sic等耐热性材料构成。在喷嘴249a、249b分别连接有气体供给管232a、232b。这样，在处理容器设置有两根喷嘴249a、249b和两根气体供给管232a、232b，能够向处理室201内供给多种气体。另外，在仅将反应管203作为处理容器的情况下，喷嘴249a、249b也可以以贯通反应管203的侧壁的方式设置。
[0030]在气体供给管232a、232b，从气流的上游侧起依次分别设置有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a、241b以及作为开闭阀的阀243a、243b。在气体供给管232a、232b的比阀243a、243b靠下游侧分别连接有供给惰性气体的气体供给管232c、232d。在气体供给管232c、232d上，从上游方向依次分别设置有MFC 241c、241d及阀243c、
243d。
[0031]如图1、图2所示，喷嘴249a、249b以在反应管203的内壁与晶片200之间的俯视时在圆环状的空间中，分别以从反应管203的内壁的下部沿着上部朝向晶片200的装载方向上方立起的方式设置。即，喷嘴249a、249b在搬入到处理室201内的各晶片200的端部(周缘部)的侧方与晶片200的表面(平坦面)垂直地分别设置。在喷嘴249a、249b的侧面分别设置有供给气体的气体供给孔250a、250b。气体供给孔250a以朝向反应管203的中心的方式开口，能够朝向晶片200供给气体。气体供给孔250a、250b分别从反应管203的下部到上部设置有多个。
[0032]这样，在本实施方式中，在由反应管203的侧壁的内壁和排列在反应管203内的多张晶片200的端部(周缘部)定义的俯视中，经由配置在圆环状的纵长的空间内、即圆筒状的空间内的喷嘴249a、249b来输送气体。然后，从分别在喷嘴249a、249b开口的气体供给孔250a、250b，在晶片200的附近最初使气体向反应管203内喷出。并且，将反应管203内的气体的主要的流设为与晶片200的表面平行的方向、即水平方向。通过设为这样的结构，能够向各晶片200均匀地供给气体，能够提高形成于各晶片200本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电极，其用于产生等离子体，该电极的特征在于，具有：至少一个第一电极，其被施加任意的电位；以及至少一个第二电极，其被赋予基准电位，所述第一电极是具有比所述第二电极大的面积的一体构造。2.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述第一电极的面积为所述第二电极的面积的1.5倍以上且3.5倍以下。3.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于，使所述第一电极与所述第二电极的中心间距离为13.5mm以上且53.5mm以下。4.根据权利要求1～3任一项所述的电极，其特征在于，使对所述第一电极施加高频的高频电源的频率为25～35MHz。5.根据权利要求1～4任一项所述的电极，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极设置于对基板进行处理的处理容器的外部，构成为在所述处理容器的内部产生等离子体。6.根据权利要求1～5任一项所述的电极，其特征在于，所述第一电极及所述第二电极分别设置有多个，分别交替地配置。7.根据权利要求1～6任一项所述的电极，其特征在于，所述第一电极及所述第二电极分别设置有多个，且等间隔地配置。8.根据权利要求1～7任一项所述的电极，其特征在于，所述第一电极及所述第二电极在收纳于处理容器内的多个基板的装载方向上配置。9.一种电极，其用于产生等离子体，该电极的特征在于，具有：至少一个第一电极，其被施加任意的电位；以及至少一个第二电极，其被赋予基准电位，所述第一电极包括多个电极，使所述多个电极间的距离小于所述第一电极与所述第二电极之间的距离。10.一种电极，其用于产生等离子体，该电极的特征在于，具有：至少一个第一电极，其被施加任意的电位；以及至少一个第二电极，其被赋予基准电位，所述第一电极包括多个电极，使所述多个电极彼此接触。11.一种电极，其用于产生等离子体，该电极的特征在于，具...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹田刚，原大介，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：