电子器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电子器件，包括：封装结构，包括并排设置的第一管芯和第二管芯，第一管芯具有第一无源面，第二管芯具有第二无源面；加固件，设置在第一无源面和第二无源面上并向第一无源面和第二无源面供电，加固件还包括桥接线路，桥接线路电连接第一管芯和第二管芯。本申请实施例的桥接线路设置在加固件中，通过加固件本身保护桥接线路，避免因电子器件中的热膨胀系数不匹配导致的翘曲造成桥接线路断裂，提高了电子器件的结构稳定性。提高了电子器件的结构稳定性。提高了电子器件的结构稳定性。

【技术实现步骤摘要】
电子器件


[0001]本技术的实施例涉及一种电子器件。

技术介绍

[0002]参见图1，现有的电压调节器模块(VRM)1与功能管芯4之间的电路径包括线路a、扇出重分布层(FORDL)2，电源传输网络(Power delivery Network，PDN)距离远，并且二者之间还隔有无源器件3(例如电感器、电容器)，各元件并排配置造成封装件的水平面积较大、整合性差，如何有效率的整合缩短VRM 1与功能管芯4之间的距离是存在的问题，并且功能管芯4之间的讯号连结需靠2.5D的插入件(Interposer)/扇出重分布层2/嵌入式多管芯互连桥接(embedded multi
‑
die interconnect bridge，EMIB)，插入件中的贯穿硅通孔(TSV)制作工艺昂贵，扇出重分布层2中的桥接线路8是细线路(线宽/线距小于2μm/2μm)，在可靠性测试(reliability testing)后有断裂的风险，并且目前还在开发细线路的线宽和线距进一步缩小的可能性。
[0003]参见图2，在背面电源传输(backside power delivery)技术中，一般将第一集成电压调节器(integrated voltage regulator，IVR)5和第二IVR 5
’
设置于功能管芯4的晶背上方，衬底9通过重分布层6、贯穿模塑料通孔(through molding via，TMV)90向第一IVR 5供电，并通过重分布层6、另一未示出的TMV向第二IVR 5
’
>供电，第一IVR 5和第二IVR 5
’
将调节后的电源输出至功能管芯4，可缩短调节后的电源(power)到达功能管芯4的供电路径(参见虚线箭头)，同时若将该设计应用在FOCoS(Fan Out Chip on Substrate，扇出型基板上芯片)技术中，第二IVR 5
’
可同时作为不同功能管芯4(例如专用集成电路(ASIC)与高带宽存储器(HBM)管芯)的供电路径，也可使用第一IVR 5和第二IVR 5
’
做为加固件(reinforcement)，以降低因FOCoS结构中热膨胀系数不匹配(CTE mismatch)导致底部填充层(underfill)7甚至重分布层6中的桥接线路8(用于电连接相邻功能管芯4)断裂的风险。
[0004]然而，第一IVR 5和第二IVR 5
’
加固的效果仍有限，主要原因在于桥接线路8设计在基础材料是聚酰亚胺(polyimide，PI)的重分布层6中，整体刚性仍不足，仍无法解决上述断裂的问题。

技术实现思路

[0005]针对相关技术中存在的问题，本技术的目的在于提供一种电子器件，以至少提高电子器件的结构稳定性。
[0006]为实现上述目的，本技术提供了一种电子器件，包括：封装结构，包括并排设置的第一管芯和第二管芯，第一管芯具有第一无源面，第二管芯具有第二无源面；加固件，设置在第一无源面和第二无源面上并向第一无源面和第二无源面供电，加固件还包括桥接线路，桥接线路电连接第一管芯和第二管芯。
[0007]在一些实施例中，第一无源面和第二无源面朝向加固件。
[0008]在一些实施例中，加固件是有源管芯。
[0009]在一些实施例中，加固件是电压调节器，电压调节器用于调节提供至第一无源面和第二无源面其中至少一者的电压。
[0010]在一些实施例中，加固件的有源面面向封装结构，桥接线路与加固件的有源面相邻。
[0011]在一些实施例中，加固件是硅基管芯。
[0012]在一些实施例中，加固件用于输出第一电源至第一无源面，并且用于输出第二电源至第二无源面，第一电源不同于第二电源。
[0013]在一些实施例中，第一管芯和第二管芯是不同管芯。
[0014]在一些实施例中，封装结构还包括：第一重分布层，位于封装结构和加固件之间，第一重分布层用于提供加固件与第一管芯、第二管芯之间的导电路径。
[0015]在一些实施例中，电子器件还包括：第一焊球，位于加固件和封装结构之间并且电连接加固件和第一重分布层。
[0016]在一些实施例中，封装结构还包括：封装层，包覆第一管芯和第二管芯。
[0017]在一些实施例中，封装结构还包括：导电柱，穿过封装层并且电连接第一重分布层。
[0018]在一些实施例中，封装结构还包括：第二重分布层，设置在封装层下方，导电柱还电连接第二重分布层。
[0019]在一些实施例中，电子器件还包括：衬底，位于封装结构下方，衬底向封装结构的第二重分布层供电。
[0020]在一些实施例中，第二重分布层通过导电柱、第一重分布层向加固件供电。
[0021]在一些实施例中，电子器件还包括：第二焊球，位于封装结构和衬底之间并且电连接第二重分布层和衬底。
[0022]在一些实施例中，第一管芯具有第一有源面，第二管芯具有第二有源面，第一有源面和第二有源面接触第二重分布层。
[0023]在一些实施例中，电子器件还包括：第三焊球，第一管芯具有第一有源面，第二管芯具有第二有源面，第三焊球位于第一管芯、第二管芯和第二重分布层之间并且将第一有源面、第二有源面电连接至第二重分布层。
[0024]在一些实施例中，导电柱位于第一管芯和第二管芯的外侧。
[0025]在一些实施例中，封装结构包括复数个第一管芯和复数个第二管芯，加固件位于复数个第一管芯和复数个第二管芯上方并且向复数个第一管芯和复数个第二管芯供电。
[0026]在一些实施例中，桥接线路同时电连接两个第一管芯和两个第二管芯。
[0027]本技术的有益技术效果在于：
[0028]本申请实施例的桥接线路设置在加固件中，通过加固件本身保护桥接线路，避免因电子器件中的热膨胀系数不匹配导致的翘曲造成桥接线路断裂，提高了电子器件的结构稳定性。
附图说明
[0029]图1示出了现有技术的集成有电压调节器模块与功能管芯的封装件。
[0030]图2示出了现有技术的应用有背面电源传输技术的扇出型基板上芯片。
[0031]图3示出了根据本申请实施例的电子器件的俯视图。
[0032]图4示出了沿图3的b
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b线截取的截面图。
[0033]图5示出了根据本申请实施例的加固件中的电压调节器电晶体。
[0034]图6和图7示出了与图3不同的实施例的封装结构的俯视图，其中，桥接线路同时电连接四个功能管芯。
[0035]图8示出了根据本申请实施例的电子器件。
具体实施方式
[0036]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0037]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：封装结构，包括并排设置的第一管芯和第二管芯，所述第一管芯具有第一无源面，所述第二管芯具有第二无源面；加固件，设置在所述第一无源面和所述第二无源面上并向所述第一无源面和所述第二无源面供电，所述加固件还包括桥接线路，所述桥接线路电连接所述第一管芯和所述第二管芯。2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一无源面和所述第二无源面朝向所述加固件。3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述加固件是有源管芯。4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述加固件是电压调节器，所述电压调节器用于调节提供至所述第一无源面和所述第二无源面其中至少一者的电压。5.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述加固件的有源面面向所述封装结构，所述桥接线路与所述加固件的所述有源面相邻。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张育勋，李宝男，康荣瑞，刘旭唐，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：