半导体模块制造技术

技术编号:39194265 阅读:10 留言:0更新日期:2023-10-27 08:41
半导体模块具备导电基板、多个第一半导体元件以及多个第二半导体元件。上述导电基板包含与上述多个第一半导体元件电接合的第一导电部、以及与上述多个第二半导体元件电接合的第二导电部。上述半导体模块还具备设置在上述第一导电部的附近的第一输入端子、第二输入端子以及第三输入端子。上述第二输入端子以及上述第三输入端子隔着上述第一输入端子而相互隔开间隔。上述第一输入端子与上述第一导电部电连接。上述第一输入端子的极性设定为与上述第二输入端子以及上述第三输入端子各自的极性相反。性相反。性相反。

【技术实现步骤摘要】
半导体模块
[0001]本申请为分案申请;其母案的申请号为“2021800555338”,专利技术名称为“半导体模块”。


[0002]本公开涉及半导体模块。

技术介绍

[0003]以往,公知有具备MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)等电力用开关元件的半导体模块。这种半导体模块搭载于工业设备至家电、信息终端、汽车用设备的所有电子设备。在专利文献1中,公开了以往的半导体模块(功率模块)。专利文献1所记载的半导体模块具备半导体元件、以及支撑基板(陶瓷基板)。半导体元件例如是Si(硅)制的IGBT。支撑基板支撑半导体元件。支撑基板包含绝缘性的基材、以及层叠于基材的两面的导体层。基材例如由陶瓷构成。各导体层例如由Cu(铜)构成,在一方的导体层接合有半导体元件。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2015-220382号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]近年来,要求电子设备的节能化、高性能化以及小型化等。因此,需要搭载于电子设备的半导体模块的性能提高、小型化等。
[0009]鉴于上述事情,本公开的一个课题是提供在降低寄生电感成分的方面具有优选的模块构造的半导体模块。
[0010]用于解决课题的方案
[0011]本公开的半导体模块具备:导电基板,其具有朝向厚度方向的一方侧的主面、以及朝向与上述主面相反的一侧的背面;半导体元件,其与上述主面电接合,且具有开关功能;导通部件,其构成由上述半导体元件开关的主电路电流的路径;第一输入端子、第二输入端子以及第三输入端子,其相对于上述导电基板配置在与上述厚度方向成直角的第一方向的一方侧;以及输出端子,其相对于上述导电基板配置在上述第一方向的另一方侧。上述导电基板包含第一导电部以及第二导电部,上述半导体元件包含与上述第一导电部电接合的多个第一半导体元件、以及与上述第二导电部电接合的多个第二半导体元件。上述第二输入端子以及上述第三输入端子配置在隔着上述第一输入端子而与上述厚度方向以及上述第一方向双方成直角的第二方向的一方侧以及另一方侧。上述第一输入端子是正极和负极中的一方的极,而且与上述第一导电部电连接,上述第二输入端子以及上述第三输入端子是
正极和负极中的另一方的极。
[0012]专利技术效果
[0013]根据基于本公开的结构,能够提供在半导体模块中在降低寄生电感成分的方面优选的模块构造。
附图说明
[0014]图1是第一实施方式的半导体模块的立体图。
[0015]图2是在图1的立体图中省略了封固树脂、树脂部以及树脂填充部的图。
[0016]图3是在图2的立体图中省略了导通部件的图。
[0017]图4是表示第一实施方式的半导体模块的俯视图。
[0018]图5是在图4的俯视图中用想象线示出封固树脂、树脂部以及树脂填充部的图。
[0019]图6是放大了图5的一部分的局部放大图,省略了封固树脂、树脂部以及树脂填充部的想象线。
[0020]图7是放大了图6的一部分的局部放大图。
[0021]图8是在图5的俯视图中用想象线示出导通部件的一部分的图。
[0022]图9是表示第一实施方式的半导体模块的主视图。
[0023]图10是表示第一实施方式的半导体模块的仰视图。
[0024]图11是表示第一实施方式的半导体模块的左侧视图。
[0025]图12是表示第一实施方式的半导体模块的右侧视图。
[0026]图13是沿图5的XIII-XIII线的剖视图。
[0027]图14是沿图5的XIV-XIV线的剖视图。
[0028]图15是放大了图14的一部分的局部放大图。
[0029]图16是沿图5的XVI-XVI线的剖视图。
[0030]图17是沿图5的XVII-XVII线的剖视图。
[0031]图18是沿图5的XVIII-XVIII线的剖视图。
[0032]图19是沿图5的XIX-XIX线的剖视图。
[0033]图20是第一实施方式的半导体模块的电路构成例。
[0034]图21是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的俯视图。
[0035]图22是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的剖面示意图。
[0036]图23是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的俯视图。
[0037]图24是表示第一实施方式的制造方法的一个工序的剖切部端面图,与图13所示的剖面对应。
[0038]图25是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的主要部分放大剖视图,与放大了图13所示的剖面的一部分的图对应。
[0039]图26是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的主要部分放大剖视图,与放大了图14所示的剖面的一部分的图对应。
[0040]图27是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的主要部分放大剖视图,与放大了图14所示的剖面的一部分的图对应。
[0041]图28是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的主要部分放大
剖视图,与放大了图13所示的剖面的一部分的图对应。
[0042]图29是表示第一实施方式的半导体模块的制造方法的一个工序的主要部分放大剖视图,与放大了图14所示的剖面的一部分的图对应。
[0043]图30表示第二实施方式的半导体模块,是与图5相同的俯视图。
[0044]图31是放大了图30的一部分的局部放大图,省略了封固树脂、树脂部以及树脂填充部的想象线。
[0045]图32是放大了图31的一部分的局部放大图。
[0046]图33表示第三实施方式的半导体模块,是与图5相同的俯视图。
[0047]图34是沿图33的XXXIV-XXXIV线的剖视图。
具体实施方式
[0048]以下参照附图对本公开的半导体模块的优选的实施方式进行说明。在以下的说明中,对于相同或类似的构成要素标注相同的符号,并省略重复的说明。
[0049]图1~图20表示第一实施方式的半导体模块A1。半导体模块A1具备多个半导体元件10、导电基板2、支撑基板3、多个输入端子41~43、多个输出端子44、多个控制端子45、控制端子支撑体5、导通部件6、第一导电性接合材料71、第二导电性接合材料72、多个金属丝731~735、封固树脂8、树脂部87以及树脂填充部88。
[0050]图1是表示半导体模块A1的立体图。图2是在图1的立体图中省略了封固树脂8、树脂部87以及树脂填充部88的图。图3是在图2的立体图中省略了导通部件6的图。图4是表示半本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体模块,其特征在于,具备:导电基板,其具有朝向厚度方向的一方侧的主面、以及朝向与上述主面相反的一侧的背面;半导体元件,其与上述主面电接合,且具有开关功能;导通部件,其构成由上述半导体元件开关的主电路电流的路径;第一输入端子、第二输入端子以及第三输入端子,其相对于上述导电基板配置在与上述厚度方向成直角的第一方向的一方侧;以及输出端子,其相对于上述导电基板配置在上述第一方向的另一方侧,上述导电基板包含第一导电部以及第二导电部,上述半导体元件包含与上述第一导电部电接合的第一半导体元件、以及与上述第二导电部电接合的第二半导体元件,上述第二输入端子以及上述第三输入端子配置在隔着上述第一输入端子而与上述厚度方向以及上述第一方向双方成直角的第二方向的一方侧以及另一方侧,上述第一输入端子是正极和负极中的一方的极,而且与上述第一导电部电连接,上述第二输入端子以及上述第三输入端子是正极和负极中的另一方的极,上述第一输入端子与上述第一导电部电连接,上述输出端子与上述第二导电部电连接,上述导通部件包括:第一导通部件,其与上述第一半导体元件和上述第二导电部连接;以及第二导通部件,其与上述第二半导体元件和上述第二输入端子以及上述第三输入端子连接,而且在上述厚度方向上观察时与上述第一半导体元件重叠。2.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,上述第一导电部以及上述第二导电部配置在上述第一方向一方侧以及上述第一方向另一方侧,上述第二导通部件包括:第一配线部,其与上述第二输入端子连接,而且在上述第一方向上延伸;第二配线部,其与上述第三输入端子连接,而且在上述第一方向上延伸;第三配线部,其与上述第一配线部以及上述第二配线部双方连接,而且在上述第二方向上延伸,与上述第二半导体元件连接;以及第四配线部,其与上述第一配线部以及上述第二配线部双方连接,而且相对于上述第三配线部位于上述第一方向一方侧,在上述厚度方向上观察时与上述第一半导体元件重叠。3.根据权利要求2所述的半导体模块,其特征在于,上述第一半导体元件以及上述第二半导体元件分别具有朝向上述厚度方向一方侧的源极电极、以及朝向上述厚度方向另一方侧的漏极电极,上述第一导通部件与上述第一半导体元件的上述源极电极连接,上述第一导电部与上述第一半导体元件的上述漏极电极连接,上述第三配线部与上述第二半导体元件的上述源极电极连接,上述第二导电部与上述第二半导体元件的上述漏极电极连接。
4.根据权利要求3所述的半导体模块,其特征在于,上述第一半导体元件与上述第二半导体元件在上述第一方向上观察时相互重叠。5.根据权利要求4所述的半导体模块,其特征在于,上述第四配线部具有第一带状部以及第二带状部,上述第一带状部在上述第一方向上与上述第三配线部隔开间隔,而且与上述第一配线部以及上述第二配线部双方连接并在上述第二方向上延伸,在上述厚度方向上观察时与上述第一半导体元件重叠,在上述厚度方向上观...

【专利技术属性】
技术研发人员:林健二谷川昂平福田谅介
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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