一种晶圆片制备方法及晶圆片技术

本发明专利技术提供一种晶圆片制备方法及晶圆片，方法包括提供一半成品晶圆片，将第一导电金属按第一预设形状形成为源极及漏极；将第二导电金属按第二预设形状形成为闸极；将氮化硅沉积在第一半成品晶圆片上，以在第一半成品晶圆片上形成电容绝缘层，将氮化钽或镍铬合金按第三预设形状形成薄层电阻；将第三导电金属按第四预设形状形成金属连线，以得到成品晶圆片。本发明专利技术通过第一预设形状的源极和漏极，第二预设形状的闸极，在半成品晶圆片上沉积氮化硅，第三预设形状的薄层电阻，第四预设形状的金属连线，本发明专利技术不仅不会影响原有工艺，而且还能有效避免沉积的氮化硅对晶圆片的弯曲度造成影响，进而能够有效降低因应力导致的晶圆片破片。片。片。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆片制备方法及晶圆片


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种晶圆片制备方法及晶圆片。

技术介绍

[0002]晶圆片一般指硅晶片。 元素硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的，仅次于氧元素含量排行第二，硅是自然界中比较富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅晶片又称晶圆片，是由硅锭加工而成的，通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管，被广泛应用于集成电路的制造。
[0003]现有技术当中，砷化镓PHEMT已经成为高频和微波电子器件中的一种主要材料，然而，砷化镓PHEMT的制造过程中，晶圆片的弯曲度弓形变形的问题会影响器件的性能和可靠性，尤其是在后端制程的晶圆片减薄过程后，因多层外延片的应力导致晶圆片从承载基板卸除后，晶圆弯曲度弓形变形的问题更加严重。

技术实现思路

[0004]基于此，本专利技术的目的是提供一种晶圆片制备方法及晶圆片，以至少解决上述现有技术当中的不足。
[0005]本专利技术提供以下技术方案，一种晶圆片制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆片制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半成品晶圆片，将第一导电金属蒸镀到所述半成品晶圆片的表面，按第一预设形状剥离掉所述第一导电金属，以使第一导电金属按所述第一预设形状形成为源极及漏极，得到第一半成品晶圆片；将第二导电金属蒸镀到所述第一半成品晶圆片的表面，按第二预设形状剥离掉所述第二导电金属，以使第二导电金属按所述第二预设形状形成为闸极，得到第二半成品晶圆片；将氮化硅沉积在所述第二半成品晶圆片上，以在所述第二半成品晶圆片上形成电容绝缘层，所述氮化硅的厚度为2000埃
‑
3000埃，得到第三半成品晶圆片；将氮化钽或镍铬合金蒸镀到所述第三半成品晶圆片上，按第三预设形状剥离所述氮化钽或所述镍铬合金，以使所述氮化钽或所述镍铬合金按第三预设形状形成薄层电阻，得到第四半成品晶圆片；将第三导电金属蒸镀到所述第四半成品晶圆片上，按第四预设形状剥离所述第三导电金属，以使所述第三导电金属按所述第四预设形状形成金属连线，以得到成品晶圆片。2.根据权利要求1所述的晶圆片制备方法，其特征在于，所述提供一半成品晶圆片的步骤之后，所述方法还包括：以黄光制程定义出所述源极及所述漏极的形状，以使所述源极及所述漏极的形状为所述第一预设形状。3.根据权利要求1所述的晶圆片制备方法，其特征在于，所述将第一导电金属蒸镀到所述半成品晶圆片的表面，按第一预设形状剥离掉所述第一导电金属，以使第一导电金属按所述第一预设形状形成为所述源极及所述漏极的步骤包括：将所述第一导电金属通过第一光阻剂蒸镀到所述半成品晶圆片的表面；按所述第一预设形状剥离掉所述第一光阻剂，以使余下的所述第一预设形状的第一光阻剂对应的所述第一导电金属形成为所述源极及所述漏极。4.根据权利要求1所述的晶圆片制备方法，其特征在于，所述将第二导电金属蒸镀到所述第一半成品晶圆片的表面，按第二预设形状剥离掉所述第二导电金属，以使第二导电金属按所述第二预设形状形成为所述闸极的步骤包括：以黄光制程定义出所述闸极的形状，以使所述闸极的形状为所述第二预设形状；将所述第二导电金属通过第二光阻剂蒸镀到所述第一半...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋嘉铭，侯汉成，刘坤明，茆同海，
申请(专利权)人：华通芯电南昌电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：