【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及蒸镀，尤其涉及一种用于晶圆的auge12合金金属蒸镀方法。
技术介绍
1、化合物半导体hbt、phemt制程在晶圆上通常使用金属层auge12/ni/au这三层金属作为三极管集电极的金属电极，而在auge12合金金属蒸镀时会产生较多颗粒，这些颗粒对产品良率会造成一定的影响，如短路、漏电等等以及外观造成不良影响, 因此需要一种方法来降低auge12合金金属蒸镀颗粒。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种用于晶圆的auge12合金金属蒸镀方法。
2、本专利技术采用以下技术方案：一种用于晶圆的auge12合金金属蒸镀方法，所述方法包括：
3、步骤一、对预准备的衬套进行高温清洁，于所述衬套内加入第一质量的auge12合金材料；
4、步骤二、将所述衬套置于蒸镀机的坩埚内的石墨垫片上，对所述蒸镀机抽真空至第一预设真空度，根据所述蒸镀机内的电子枪对所述auge12合金材料进行初次预融，待所述蒸镀机冷却至室温将所述衬套取出；
...【技术保护点】
1.一种用于晶圆的AuGe12合金金属蒸镀方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于晶圆的AuGe12合金金属蒸镀方法，其特征在于，对预准备的衬套进行高温清洁的步骤具体包括：
3.根据权利要求1所述的用于晶圆的AuGe12合金金属蒸镀方法，其特征在于，所述第一质量为所述目标质量的一半。
4.根据权利要求1所述的用于晶圆的AuGe12合金金属蒸镀方法，其特征在于，所述第一预设真空度为5ⅹ10-7Torr～1ⅹ10-6Torr。
5.根据权利要求1所述的用于晶圆的AuGe12合金金属蒸镀方法，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆的auge12合金金属蒸镀方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于晶圆的auge12合金金属蒸镀方法，其特征在于，对预准备的衬套进行高温清洁的步骤具体包括：
3.根据权利要求1所述的用于晶圆的auge12合金金属蒸镀方法，其特征在于，所述第一质量为所述目标质量的一半。
4.根据权利要求1所述的用于晶圆的auge12合金金属蒸镀方法，其特征在于，所述第一预设真空度为5ⅹ10-7torr～1ⅹ10-6torr。
5.根据权利要求1所述的用于晶圆的auge12合金金属蒸镀方法，其特征在于，根据所述蒸镀机内的电子枪对所述auge12合金材料进行初次预融的步骤具体包括：
6.根据权利要求1所述的用于晶圆的auge12合金金属蒸镀方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：茆同海，侯汉成，刘坤明，宋嘉铭，
申请(专利权)人：华通芯电南昌电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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