【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及alscn压电薄膜制备，更具体的说，它涉及一种用于mems传感器的alscn压电薄膜制备方法。
技术介绍
1、随着微电子机械系统(mems)技术的快速发展，压电材料在mems传感器中的应用越来越广泛。压电材料是一种特殊类型的材料，它们能够在外力作用下产生电压，也能够将电压转换为机械变形。这种机械能与电能之间的相互转换特性，使得压电材料在传感器、执行器、能量采集器、精密测量等领域有着广泛的应用。
2、然而，传统的压电材料如pzt(铅锆钛酸盐)存在环境污染问题，并且在高温环境下性能不稳定。
3、alscn(铝钪氮化物)作为一种新型压电材料，具有优异的压电性能、热稳定性和环保特性，逐渐成为mems传感器领域的重要材料。然而，目前的alscn薄膜制备方法仍存在薄膜质量不高、工艺复杂等问题，制约了其广泛应用。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
2、针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种用于mems传感器的alscn压电薄膜制备方法，以解...
【技术保护点】
1.一种用于MEMS传感器的AlScN压电薄膜制备方法，依次包括以下步骤：基底准备、薄膜沉积、退火处理、图形化处理以及性能测试与验证，其特征是：
2.根据权利要求1所述的一种用于MEMS传感器的AlScN压电薄膜制备方法，其特征是：基底准备包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的一种用于MEMS传感器的AlScN压电薄膜制备方法，其特征是：图形化处理包括如下工艺：
4.根据权利要求1所述的一种用于MEMS传感器的AlScN压电薄膜制备方法，其特征是：性能测试与验证包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的一种用于MEMS传...
【技术特征摘要】
1.一种用于mems传感器的alscn压电薄膜制备方法，依次包括以下步骤：基底准备、薄膜沉积、退火处理、图形化处理以及性能测试与验证，其特征是：
2.根据权利要求1所述的一种用于mems传感器的alscn压电薄膜制备方法，其特征是：基底准备包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的一种用于mems传感器的alscn压电薄膜制备方法，其特征是：图形化处理包括如下工艺：
4.根据权利要求1所述的一种用于mems传感器的alscn压电薄膜制备方法，其特征是：性能测试与验证包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的一种用于m...
【专利技术属性】
技术研发人员：马韬，
申请(专利权)人：国科华芯江阴半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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