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本发明提供了一种用于MEMS传感器的Al ScN压电薄膜制备方法。通过优化薄膜沉积、退火处理和图形化工艺，制备出高质量的AlScN压电薄膜。该方法包括基底准备、薄膜沉积、退火处理、图形化处理以及性能测试与验证五个步骤。本发明的创新点在于通过...
该专利属于国科华芯（江阴）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国科华芯（江阴）半导体科技有限公司授权不得商用。

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