一种微电子光刻掀离处理方法及微电子器件技术

本发明专利技术提供了一种微电子光刻掀离处理方法及微电子器件，处理方法包括：提供一基底；在基底的一端涂覆光阻材料层，光阻材料层中至少包括重氮萘醌光敏剂；将涂覆光阻材料层后的外延片放入第一显影液中进行浸泡，以在光阻材料层表面形成耐溶解层；根据预设图形对外延片进行图形曝光处理；采用第二显影液对曝光处理后的外延片进行显影处理，溶解经过曝光反应的耐溶解层以及耐溶解层底部的光阻材料层，以在基底上形成预设图形；对形成预设图形的外延片表面沉积金属材料，去除剩余光阻材料层，以在基底表面形成金属图形，完成光刻掀离操作。本发明专利技术的微电子光刻掀离处理方法，精度高、图形转移质量好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子制造领域，具体涉及一种微电子光刻掀离处理方法及微电子器件。

技术介绍

1、在微电子制造领域中，光刻技术（光刻）是实现精密图形制作的关键工艺之一。随着集成电路和微机电系统的制造进度节点不断缩小，光刻工艺的分辨率、准确性和稳定性需求迫切提高。光刻掀离（lift-off）技术是一种常见的图形制作方法，特别适用于生成薄膜图形。该技术广泛应用于微电子、光电和半导体行业。

2、传统的光刻掀离工艺通常包括光阻腐蚀、选择性曝光、金属沉积和掀离等过程。该过程需要控制光阻材料的溶解性，以便在腐蚀或金属沉积步骤中形成所需的图形。目前，传统光阻材料主要通过控制掩膜板的形状对光阻材料进行选择性曝光，然后通过腐蚀液去除，随着图形尺寸缩小和线宽变窄，传统光阻材料的腐蚀效果无法实现满足高分辨率的需求，在选择性曝光的边缘区域可能造成不当腐蚀，影响图形质量，进而影响金属图形制作的稳定性和可靠性。

技术实现思路

1、基于此，本专利技术的目的是提供一种微电子光刻掀离处理方法及微电子器件，以解决现有技术中存在的问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微电子光刻掀离处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的微电子光刻掀离处理方法，其特征在于，所述光阻材料层还包括酚醛树脂，所述光阻材料层的厚度为0.85μm-0.9μm。

3.根据权利要求1所述的微电子光刻掀离处理方法，其特征在于，所述第一显影液为AZ300MIF显影液，浸泡的温度为20℃-25℃，浸泡时间为60s-120s。

4.根据权利要求1所述的微电子光刻掀离处理方法，其特征在于，在所述光阻材料层表面形成耐溶解层之后，根据预设图形对经过第一显影液浸泡后的外延片进行图形曝光处理之前，所述微电子光刻掀离处理方法还包括：对外...

【技术特征摘要】

1.一种微电子光刻掀离处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的微电子光刻掀离处理方法，其特征在于，所述光阻材料层还包括酚醛树脂，所述光阻材料层的厚度为0.85μm-0.9μm。

3.根据权利要求1所述的微电子光刻掀离处理方法，其特征在于，所述第一显影液为az300mif显影液，浸泡的温度为20℃-25℃，浸泡时间为60s-120s。

4.根据权利要求1所述的微电子光刻掀离处理方法，其特征在于，在所述光阻材料层表面形成耐溶解层之后，根据预设图形对经过第一显影液浸泡后的外延片进行图形曝光处理之前，所述微电子光刻掀离处理方法还包括：对外延片进行预烘烤处理，以去除外延片表面的溶剂，所述预烘烤的温度为80℃-100℃，时间为50s-70s。

5.根据权利要求1所述的微电子光刻掀离处理方法，其特征在于，所述根据预设图形对经过第一显影液浸泡后的外延片进行图形曝光处理，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘坤明，侯汉成，宋嘉铭，茆同海，
申请(专利权)人：华通芯电南昌电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：