一种半导体器件芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件芯片及其制备方法，所述方法包括：在衬底上依次沉积N‑DBR层、有源层、P‑DBR层，在外围沉积保护层，进行干刻蚀，直至穿过保护层、P‑DBR层、有源层并深入N‑DBR层中，在P‑DBR层上蒸镀P型电极，在衬底的一侧蒸镀N型电极；根据切割道图案对芯片半成品进行干刻蚀，直至穿过N‑DBR层、有源层、P‑DBR层、衬底并深入N型电极中，以得到切割道，沿切割道进行芯片分离，以得到目标半导体器件芯片，本发明专利技术可有效实现应力释放的过程，进而降低芯片破片率，同时简化了芯片制备方法，提升了芯片制备效率以及降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体的，具体地涉及一种半导体器件芯片及其制备方法。

技术介绍

1、半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。

2、在现有的半导体器件芯片制作过程中，多层结构的堆叠会导致制作芯片的过程中晶圆易产生翘曲，由于电极层较厚，电极层通常又由真空蒸镀蒸发镀膜方式制作，外延膜层和电极层的堆叠将导致晶圆翘曲进一步增大，导致芯片制作的过程中膜层脱落、晶圆破碎的风险较高，同时晶圆的翘度影响接触孔结构的制作，导致芯片的良率较低。

3、现有技术中，通常在芯片背面制作黏附层、应力修正层及钝化层，修正其应力使得芯片翘曲度在预设范围内，由于黏附层、应力修正层及钝化层通常使用贵金属制备，进而导致芯片制作成本提升，且制作黏附层、应力修正层及钝化层较为复杂，影响芯片制作效率。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种半导体器件芯片及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。...

【技术保护点】

1.一种半导体器件芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制备方法，其特征在于，所述第一叠层与所述第三叠层均为GaAs层，所述第二叠层与所述第四叠层均为AlGaAs层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制备方法，其特征在于，所述N-DBR层中第一叠层与第二叠层的交替层叠周期的范围为10~20。

4.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制备方法，其特征在于，所述P-DBR层中第三叠层与第四叠层的交替层叠周期的范围为10~20。

5.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制备方法，其特征在于，所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制备方法，其特征在于，所述第一叠层与所述第三叠层均为gaas层，所述第二叠层与所述第四叠层均为algaas层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制备方法，其特征在于，所述n-dbr层中第一叠层与第二叠层的交替层叠周期的范围为10~20。

4.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制备方法，其特征在于，所述p-dbr层中第三叠层与第四叠层的交替层叠周期的范围为10~20。

5.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制备方法，其特征在于，所述保护层具体为sin层与al2o3层，所述保护层的厚度为4300a~5200a。

6....

【专利技术属性】
技术研发人员：侯汉成，宋嘉铭，刘坤明，茆同海，
申请(专利权)人：华通芯电南昌电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：