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本发明提供了一种半导体器件芯片及其制备方法，所述方法包括：在衬底上依次沉积N‑DBR层、有源层、P‑DBR层，在外围沉积保护层，进行干刻蚀，直至穿过保护层、P‑DBR层、有源层并深入N‑DBR层中，在P‑DBR层上蒸镀P型电极，在衬底的一侧...
该专利属于华通芯电（南昌）电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华通芯电（南昌）电子科技有限公司授权不得商用。

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