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本发明提供了一种微电子光刻掀离处理方法及微电子器件，处理方法包括：提供一基底；在基底的一端涂覆光阻材料层，光阻材料层中至少包括重氮萘醌光敏剂；将涂覆光阻材料层后的外延片放入第一显影液中进行浸泡，以在光阻材料层表面形成耐溶解层；根据预设图形对...
该专利属于华通芯电（南昌）电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华通芯电（南昌）电子科技有限公司授权不得商用。

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