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本发明提供一种晶圆片制备方法及晶圆片，方法包括提供一半成品晶圆片，将第一导电金属按第一预设形状形成为源极及漏极；将第二导电金属按第二预设形状形成为闸极；将氮化硅沉积在第一半成品晶圆片上，以在第一半成品晶圆片上形成电容绝缘层，将氮化钽或镍铬合...
该专利属于华通芯电（南昌）电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华通芯电（南昌）电子科技有限公司授权不得商用。

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