一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法技术

本申请涉及一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。其中处理设备包括反应室、加热装置和真空室。反应室内形成反应腔。加热装置包括加热室。加热室套设于反应室外。真空室内形成真空腔，反应室和加热装置设置于真空腔内。该结构的设置，实现了待反应物从传片到进入反应腔内始终保持真空状态，无需破真空，进而待反应物无需与大气接触，以使得待反应物之间气体流阻更加一致，能够有效提高待反应物之间的膜厚均匀性。同时，能够避免反应腔内待反应物在发生反应时，不会受到大气压强以及大气温度的干扰，以保证反应腔内气体的均匀性，使得待反应物之间气体流阻的一致性更好，进而待反应物之间的膜厚均匀性也更好。反应物之间的膜厚均匀性也更好。反应物之间的膜厚均匀性也更好。

【技术实现步骤摘要】
一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法


[0001]本申请属于半导体
，具体涉及一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。

技术介绍

[0002]在现有的高温TIN薄膜工艺中，通常采用真空侧和大气侧结合的方式来实现。具体地，反应腔内为真空侧，而反应腔外往往是大气侧，此时在传输过程中会破真空，对待反应物之间的气体流阻一致性造成影响，进而影响待反应物之间的膜厚均匀性。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法，以解决待反应物之间气体流阻不一致导致的膜厚均匀性较差的技术问题。
[0004]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：一种处理设备，包括反应室，所述反应室内形成反应腔；加热装置，所述加热装置包括加热室，所述加热室套设于所述反应室外；真空室，所述真空室内形成真空腔，所述加热装置和所述反应室设置于所述真空腔内。
[0005]根据本申请一实施方式，所述反应室包括：所述反应室包括相对设置的第一端和第二端，所述第一端封闭设置，所述第二端敞口设置；所述处理设备还包括端盖，所述端盖可升降盖设于所述第二端，用于封堵或打开所述反应腔。
[0006]根据本申请一实施方式所述处理设备还包括：承接件，转动设置于所述端盖，所述承接件用于承接待反应物，且用于伸入所述反应腔内；转动件，转动设置于所述端盖，所述转动件的一端连接所述承接件，另一端穿出所述端盖延伸至所述真空腔内。
[0007]根据本申请一实施方式，所述处理设备还包括：基板，连接所述加热室和所述反应室的所述第二端；支撑板，设置于所述基板和所述反应室之间，在所述端盖盖设于所述第二端时，所述端盖与所述支撑板抵接；第一密封件，所述密封件设置于所述基板和所述支撑板之间，和/或，所述密封件设置于所述支撑板和/或反应室之间；第二密封件，所述第二密封件设置于所述转动件与所述端盖的连接处。
[0008]根据本申请一实施方式，所述转动件为磁流体结构。
[0009]根据本申请一实施方式，所述第一密封件和/或第二密封件的密封方式为金属法兰密封。
[0010]根据本申请一实施方式，所述处理设备包括：第一冷却系统，设置于所述端盖，所述第一冷却系统包括第一通槽，所述第一通槽围绕所述第二密封件设置，用于对所述第二密封件降温；第二冷却系统，设置于所述基板，所述第二冷却系统包括第二通槽，所述第二通槽围绕所述第一密封件设置，用于对所述第一密封件降温。
[0011]根据本申请一实施方式，所述加热装置还包括：加热器，设置于所述端盖朝向所述反应腔一侧，所述加热器与所述加热室围拢并罩设所述反应腔，所述加热器和所述加热室
对所述反应腔进行加热。
[0012]根据本申请一实施方式，所述真空室朝向所述端盖一端形成对接口，所述反应室和所述加热装置设置于所述真空腔体内；所述处理设备还包括波纹管，所述波纹管连接所述对接口，所述转动轴延伸至所述波纹管内，所述真空室和所述波纹管围拢形成所述真空腔。
[0013]根据本申请一实施方式，所述处理设备还包括：进气管道，设置于所述端盖，连通所述端盖和所述转动件的连接处。
[0014]根据本申请一实施方式，所述反应室采用石英材质、陶瓷材质或云母材质。
[0015]为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：一种半导体镀膜设备，所述半导体镀膜设备包括上述任一所述的反应设备。
[0016]为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：一种镀膜方法，包括：将反应室放置于真空室内；将待反应物从所述真空室内传片至所述反应室内；通过加热装置对所述反应室进行加热。
[0017]本申请的有益效果是：本申请通过在真空室内形成真空腔，反应室和加热装置设置于真空腔内，实现了待反应物从传片到进入反应腔内始终保持真空状态，无需破真空，进而待反应物无需与大气接触，以使得待反应物之间气体流阻更加一致，能够有效提高待反应物之间的膜厚均匀性。同时，加热装置设置于真空腔内，反应腔与大气之间通过真空腔间隔，也能够避免反应腔内待反应物在发生反应时，不会受到大气压强以及大气温度的干扰，以保证反应腔内气体的均匀性，使得待反应物之间气体流阻的一致性更好，进而待反应物之间的膜厚均匀性也更好。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
[0019]图1是本申请的处理设备一实施例的爆炸结构示意图；
[0020]图2是本申请的处理设备一实施例的剖面结构示意图；
[0021]图3是本申请的处理设备又一实施例的剖面结构示意图；
[0022]图4为本申请的镀膜方法一实施例的流程示意图。
具体实施方式
[0023]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图，对本申请的具体实施方式做详细的说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0024]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同
的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0025]在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0026]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0027]请参阅图1至图2，图1是本申请的处理设备一实施例的爆炸结构示意图；图2是本申请的处理设备一实施例的剖面结构示意图。
[0028]本申请一实施例提供了一种处理设备10。处理设备10包括反应室111、加热装置11和真空室12。其中反应室111内形成反应腔1111，反应腔1111用于待反应物发生反应。加热装置11包括加热室1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理设备，其特征在于，包括：反应室，所述反应室内形成反应腔；加热装置，所述加热装置包括加热室，所述加热室套设于所述反应室外；真空室，所述真空室内形成真空腔，所述反应室和所述加热装置和所述反应室设置于所述真空腔内。2.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于，所述反应室包括相对设置的第一端和第二端，所述第一端封闭设置，所述第二端敞口设置；所述处理设备还包括端盖，所述端盖可升降盖设于所述第二端，用于封堵或打开所述反应腔。3.根据权利要求2中所述的处理设备，其特征在于，所述处理设备还包括：承接件，转动设置于所述端盖，所述承接件用于承接待反应物，且用于伸入所述反应腔内；转动件，转动设置于所述端盖，所述转动件的一端连接所述承接件，另一端穿出所述端盖延伸至所述真空腔内。4.根据权利要求3所述的处理设备，其特征在于，所述处理设备还包括：基板，连接所述加热室和所述反应室的所述第二端；支撑板，设置于所述基板和所述反应室之间，在所述端盖盖设于所述第二端时，所述端盖与所述支撑板抵接；第一密封件，所述第一密封件设置于所述基板和所述支撑板之间，和/或，所述第一密封件设置于所述支撑板和/或反应室之间；第二密封件，所述第二密封件设置于所述转动件与所述端盖的连接处。5.根据权利要求3所述的处理设备，其特征在于，所述转动件为磁流体结构。6.根据权利要求4所述的处理设备，其特征在于，所述第一密封件和/或所述第二密封件的密封方式为金属法兰密封。7.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：周芸福，黎微明，许允昕，郭云飞，许所昌，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：