半导体片和制造其的方法技术

提供半导体片和制造其的方法。提供制造半导体材料片的方法。该方法包括形成具有下表面（３６）和相对的上表面（３８）的第一硅粉层（１８，３０）。该方法还包括在第一层的上表面上沉积第二硅粉层（２０，３２），其中第二硅粉层具有下表面和相对的上表面（４６）并且具有比第一硅粉层低的熔点。该方法还包括加热至少第一和第二硅粉层中之一以使至少第一和第二硅粉层中之一的可控式熔化开始，以及冷却至少第一和第二硅粉层中之一以使至少第一和第二硅粉层中之一的结晶化开始。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的来说涉及半导体片(semiconductor sheet),并且更力口 具体地涉及。
技术介绍
已知切割半导体材料的片为预定尺寸的晶圆。用半导体材料构成 的晶圆用于多种应用，并且就此存在对这样的晶圆不断增长的需求。 例如，至少一些已知的太阳能-电力(solar-electric)系统-使用典型地 用硅(单晶或多晶)制造的半导体衬底。太阳能-电力系统在过去十年 间急剧地增长，并且就此对半导体晶圆的需求在过去十年间也增长 了。尽管表达"太阳能-电力"在此使用，本领域内技术人员将认识到 本"i仑述适用于多种光生伏打材料、系统和现象。各种各样的制造方法用于从硅原料制造半导体晶圓。例如，至少 一些已知的在太阳能电池中使用的多晶硅晶圆通过在惰性气氛中熔 炼向其添加或已经添加例如磷、硼、镓和/或锑等的掺杂物的高纯材料 而制造。对得到的硅熔融物沉积并且冷却以形成多晶晶锭。接着晶锭 切成期望的晶圆尺寸。在另一个制造方法中，晶粒形硅层施加于带或 定位器上。硅随着带或定位器接着经受热序列以形成硅晶圆或硅片。 该硅晶圆和/或硅片接着从带或定位器上移除，然后通过锯切(sawing ) 或划线(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体材料片的方法，所述方法包括：　形成具有下表面（３６）和相对的上表面（３８）的第一硅粉层（１８，３０）；　在所述第一层的上表面上沉积第二硅粉层（２０，３２），其中所述第二硅粉层具有下表面（４４）和相对的上表面（４６） 并且具有比所述第一硅粉层低的熔点；　加热所述第一和第二硅粉层的至少其中之一以使所述第一和第二硅粉层的至少其中之一的可控式熔化开始；以及　冷却所述第一和第二硅粉层的至少其中之一以使所述第一和第二硅粉层的至少其中之一的结晶化开始。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：R荣奇克，J兰德，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]