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提供半导体片和制造其的方法。提供制造半导体材料片的方法。该方法包括形成具有下表面（３６）和相对的上表面（３８）的第一硅粉层（１８，３０）。该方法还包括在第一层的上表面上沉积第二硅粉层（２０，３２），其中第二硅粉层具有下表面和相对的上表面（４...
该专利属于通用电气公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气公司授权不得商用。

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