掩膜图案的校正方法、装置及半导体设备制造方法及图纸

本申请提供一种掩膜图案的校正方法、装置及半导体设备，包括：获取掩膜的初始设计版图，初始设计版图包括多个图案；对每个图案进行处理，得到多个图形单元；在图形单元上设定评估点；获取图形单元上评估点的测量值；根据评估点的测量值和预设优化误差函数，调整图形单元位置，得到调整后的设计版图；判断调整后的设计版图是否满足预设要求；在调整后的设计版图不满足预设要求的情况下，返回执行获取图形单元上的评估点的测量值的步骤，直至得到目标设计版图。本申请通过反复移动设计版图的边实现了对掩膜图案的校正，克服了VSB系统成像时由于电子束曝光、抗蚀、蚀刻等工艺造成的掩膜图案失真，使最终曝光的掩膜版图案与理想掩膜版图案尽可能一致。图案尽可能一致。图案尽可能一致。

【技术实现步骤摘要】
掩膜图案的校正方法、装置及半导体设备


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种掩膜图案的校正方法、装置及半导体设备。

技术介绍

[0002]在传统半导体设计到制造的流程中，随着半导体器件技术不断向更小工艺节点拓展，设计版图在经过光学邻近效应校正(Optical Proximity Correction，OPC)、亚分辨率辅助图形(Sub
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Resolution Assistant Feature，SRAF)等一系列分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technique，RET)之后，通过掩膜数据准备(Mask Data Preparation，MDP)流程的压裂(Fracturing)子步骤处理为掩膜写入器(Mask Writer)能够处理的基本图形单元。由于受掩膜制作过程中的各种制造因素的影响，掩膜上的掩膜图案可能与所需的掩膜布局不一致。
[0003]为了提高掩模图案的保真度，现有的技术方案是在原始设计版图的基础上考虑光学系统的衍射效应和像差进行掩膜优化，并将优化获得的目标图形作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜图案的校正方法，其特征在于，包括：获取掩膜的初始设计版图，所述初始设计版图包括多个图案；对每个所述图案进行处理，得到多个图形单元；在所述图形单元上设定评估点；获取所述图形单元上的评估点的测量值；根据所述评估点的测量值和预设的优化误差函数，调整所述图形单元的位置，得到调整后的设计版图；判断所述调整后的设计版图是否满足预设要求；在所述调整后的设计版图不满足预设要求的情况下，返回执行获取所述图形单元上的评估点的测量值的步骤，直至得到目标设计版图。2.根据权利要求1所述的掩膜图案的校正方法，其特征在于，所述在所述图形单元上设定评估点，包括：根据所述图形单元的图形边与对应的所述图案的图形边之间的关系，将所述图形单元对应的图形边确定为目标边；在所述目标边上设定评估点。3.根据权利要求2所述的掩膜图案的校正方法，其特征在于，所述根据所述图形单元的图形边与对应的所述图案的图形边之间的关系，将所述图形单元对应的图形边确定为目标边，包括：将所述图形单元与对应的所述图案重合的图形边确定为目标边。4.根据权利要求2所述的掩膜图案的校正方法，其特征在于，所述根据所述评估点的测量值和预设的优化误差函数，调整所述图形单元的位置，得到调整后的设计版图，包括：根据所述评估点的测量值和预设的优化误差函数，确定每个所述图形单元上的所有评估点的测量值与目标值之间的累积差值；基于每个所述图形单元上的所有评估点的测量值与目标值之间的累积差值，确定每个所述图形单元的目标边的目标位置；将每个所述图形单元的目标边调整到所述目标位置，得到调整后的设计版图。5.根据权利要求1所述的掩膜图案的校正方法，其特征在于，所述获取所述图形单元上的评估点的测量值，包括：将设定有所述评估点的设计版图进行电子束曝光处理，得到曝光...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹晨乐，陈晨，韩春营，
申请(专利权)人：中科晶源微电子技术北京有限公司，
类型：发明
国别省市：