曝光机台和曝光方法技术

本公开提供了一种曝光机台和曝光方法，该曝光机台包括：温度控制台，用于将晶圆的温度控制在预设温度；机械手，用于将晶圆从温度控制台转移至晶圆工作台；晶圆工作台，用于在对晶圆执行对准和曝光时承载晶圆；晶圆工作台包括多个温度调节单元；温度调节单元用于感测并调节晶圆的局部区域的温度；晶圆的局部区域至少包括晶圆与机械手接触的区域。少包括晶圆与机械手接触的区域。少包括晶圆与机械手接触的区域。

【技术实现步骤摘要】
曝光机台和曝光方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及曝光机台和曝光方法。

技术介绍

[0002]在对晶圆进行曝光之前，需要进行对准以及套刻精度的测量，在此过程中，如果晶圆的温度不均匀，会导致对准失败或者套刻精度测量不准确。相关技术中，已经提出了通过温度控制台将晶圆的温度控制在预设温度，然而，在通过机械手转移晶圆的过程中，晶圆局部区域的温度可能会偏离预设温度，进而可能会影响生产效率和产品的良率。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种曝光机台和曝光方法。
[0004]为达到上述目的，本公开实施例的技术方案是这样实现的：
[0005]第一方面，本公开实施例提供一种曝光机台，包括：
[0006]温度控制台，用于将晶圆的温度控制在预设温度；
[0007]机械手，用于将所述晶圆从所述温度控制台转移至晶圆工作台；
[0008]所述晶圆工作台，用于在对所述晶圆执行对准和曝光时承载所述晶圆；所述晶圆工作台包括多个温度调节单元；所述温度调节单元用于感测并调节所述晶圆的局部区域的温度；所述晶圆的局部区域至少包括所述晶圆与所述机械手接触的区域。
[0009]在一种可选的实施方式中，所述晶圆工作台还包括承载部件，所述承载部件包括沿所述承载部件的厚度方向相对的正面和背面，所述正面用于承载所述晶圆；
[0010]所述温度调节单元位于所述承载部件的背面，且所述温度调节单元以所述承载部件的中心为中心呈时钟型排布。
[0011]在一种可选的实施方式中，每个所述温度调节单元均包括温度传感器和温度调节器；其中，
[0012]所述温度传感器在第一平面的投影位于所述承载部件在所述第一平面的投影内，且所述温度传感器与所述承载部件接触，所述温度传感器用于感测所述晶圆的局部区域的温度；
[0013]所述温度调节器在所述第一平面的投影位于所述承载部件在所述第一平面的投影外，所述温度调节器用于在所述晶圆的局部区域的温度偏离所述预设温度时，调节所述晶圆的局部区域的温度；所述第一平面垂直于所述承载部件的厚度方向。
[0014]在一种可选的实施方式中，所述温度调节器包括电阻器。
[0015]在一种可选的实施方式中，所述晶圆工作台还用于在对所述晶圆的局部区域执行平整度检测时承载所述晶圆；所述温度调节单元还用于感测所述晶圆的局部区域中平整度不合格的区域的温度，并在确定所述平整度不合格的区域的温度偏离所述预设温度时，调节所述平整度不合格的区域的温度。
[0016]在一种可选的实施方式中，所述温度调节单元还用于在对所述晶圆的局部区域执行平整度检测之前第一次调节所述晶圆的局部区域的温度；所述晶圆工作台还用于在第一次调节所述晶圆的局部区域的温度之后对所述晶圆执行平整度检测时承载所述晶圆；所述温度调节单元还用于在对所述晶圆执行平整度检测之后第二次调节至少部分平整度不合格的区域的温度。
[0017]在一种可选的实施方式中，所述至少部分平整度不合格的区域为对准标记的设置区域。
[0018]第二方面，本公开实施例提供一种曝光方法，包括：
[0019]将晶圆置于温度控制台上，利用所述温度控制台将所述晶圆的温度控制在预设温度；
[0020]利用机械手将所述晶圆从所述温度控制台转移至晶圆工作台；
[0021]通过所述晶圆工作台的多个温度调节单元感测并调节所述晶圆的局部区域的温度；所述晶圆的局部区域至少包括所述晶圆与所述机械手接触的区域；
[0022]对位于所述晶圆工作台的所述晶圆执行对准和曝光处理。
[0023]在一种可选的实施方式中，每个温度调节单元均包括温度传感器和温度调节器，所述通过多个温度调节单元调节所述晶圆的局部区域的温度，包括：
[0024]利用所述温度传感器感测所述晶圆的局部区域的温度，并利用所述温度调节器根据所述温度传感器的感测结果调节所述晶圆的局部区域的温度。
[0025]在一种可选的实施方式中，所述方法还包括：
[0026]在通过所述晶圆工作台的多个温度调节单元感测并调节所述晶圆的局部区域的温度之前，对位于所述晶圆工作台上的所述晶圆执行平整度检测；
[0027]所述通过所述晶圆工作台的多个温度调节单元感测并调节所述晶圆的局部区域的温度，包括：
[0028]利用所述温度调节单元感测所述晶圆中平整度不合格的区域的温度，并在确定所述平整度不合格的区域的温度偏离所述预设温度时，利用所述温度调节单元调节所述平整度不合格的区域的温度。
[0029]本公开实施例提供了一种曝光机台和曝光方法，曝光机台包括温度控制台、机械手和晶圆工作台，在通过温度控制台将晶圆温度控制在预设温度并通过机械手将晶圆转移至晶圆工作台上后，进一步通过晶圆工作台上的温度调节单元对晶圆局部区域的温度进行调节，温度调节单元设置于晶圆工作台的承载部件的背面且呈时钟型排布，可以对晶圆的整个边缘区域的温度进行调节，以补偿晶圆在转移过程中产生的温度变化，提高晶圆温度的均匀性，避免由于温度变化造成的对准标记的位置偏移，并进一步提高对准成功的概率以及套刻精度测量的准确性，从而可以提高生产效率和产品的良率。
附图说明
[0030]图1为本公开实施例提供的温度控制台的示意图；
[0031]图2为本公开实施例提供的机械手的示意图；
[0032]图3为本公开实施例提供的晶圆工作台的示意图；
[0033]图4为本公开实施例提供的温度传感器的示意图；
[0034]图5为本公开实施例提供的温度调节器的示意图；
[0035]图6为相关技术提供的将晶圆置于晶圆工作台上后的对准标记的偏移矢量图；
[0036]图7为本公开实施例提供的将晶圆置于晶圆工作台上后的对准标记的偏移矢量图；
[0037]图8为本公开实施例提供的曝光方法的流程示意图。
具体实施方式
[0038]下面将参照附图更详细地描述本公开公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0039]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本公开更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本公开可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本公开发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
[0040]在附图中，自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0041]应当明白，空间关系术语例如“在
……
下”、“在
……
下面”、“下面的”、“在
……
之下”、“在
……
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光机台，其特征在于，包括：温度控制台，用于将晶圆的温度控制在预设温度；机械手，用于将所述晶圆从所述温度控制台转移至晶圆工作台；所述晶圆工作台，用于在对所述晶圆执行对准和曝光时承载所述晶圆；所述晶圆工作台包括多个温度调节单元；所述温度调节单元用于感测并调节所述晶圆的局部区域的温度；所述晶圆的局部区域至少包括所述晶圆与所述机械手接触的区域。2.根据权利要求1所述的曝光机台，其特征在于，所述晶圆工作台还包括承载部件，所述承载部件包括沿所述承载部件的厚度方向相对的正面和背面，所述正面用于承载所述晶圆；所述温度调节单元位于所述承载部件的背面，且所述温度调节单元以所述承载部件的中心为中心呈时钟型排布。3.根据权利要求2所述的曝光机台，其特征在于，每个所述温度调节单元均包括温度传感器和温度调节器；其中，所述温度传感器在第一平面的投影位于所述承载部件在所述第一平面的投影内，且所述温度传感器与所述承载部件接触，所述温度传感器用于感测所述晶圆的局部区域的温度；所述温度调节器在所述第一平面的投影位于所述承载部件在所述第一平面的投影外，所述温度调节器用于在所述晶圆的局部区域的温度偏离所述预设温度时，调节所述晶圆的局部区域的温度；所述第一平面垂直于所述承载部件的厚度方向。4.根据权利要求3所述的曝光机台，其特征在于，所述温度调节器包括电阻器。5.根据权利要求1所述的曝光机台，其特征在于，所述晶圆工作台还用于在对所述晶圆的局部区域执行平整度检测时承载所述晶圆；所述温度调节单元还用于感测所述晶圆的局部区域中平整度不合格的区域的温度，并在确定所述平整度不合格的区域的温度偏离所述预设温度时，调节所述平整度不合格的区域的温度。6.根据权利要求1所述的曝光机台，其特征在于，所述温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪恒，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：