【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。为了适用设备日益减小的整体尺寸，对存储器的尺寸以及存储单元密度要求越来越高，垂直全环绕栅极晶体管(vertical gate all around，vgaa)作为动态存储器的选择晶体管时，由于其空间三维结构，可以提高存储密度，具有较好的性能。
2、在器件的制备过程中，由于字线结构和位线结构沿器件基底的垂直方向依次形成，用于制备上述两种结构的沟槽深宽比较大，尤其是用于电连接字线结构和位线结构的接触膜层，难以形成良好的形态，导致接触电阻增大，影响器件整体的性能。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，提供一种半导体结构的形成方法，至少可以改善用于电连接器件中字线结构和位线结构的接触膜层的形态，提高器件的性能。
2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
3、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构的形成方法，该形成方法包括：
4、提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，在所述衬底上形成沿第一方向间隔分布的
5、由所述第二面向所述第一面减薄所述衬底；
6、在减薄后的所述第二面上形成多个间隔分布的凹槽结构，以形成多个沿第二方向间隔分布的位线层，所述第一方向与所述第二方向垂直；
7、在各所述凹槽结构内分别形成导电接触结构；
8、在各所述凹槽结构中分别填充金属层，形成位线结构。
9、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述在各所述凹槽结构内分别形成导电接触结构，所述方法包括：
10、形成覆盖各所述凹槽结构的底壁和侧壁的第一牺牲金属层；
11、采用第一热处理工艺对所述第一牺牲金属层进行处理，在所述凹槽结构的底壁以及沿所述底壁的两端向所述第一面延伸的部分侧壁形成第一中间金属硅化物；
12、去除剩余所述第一牺牲金属层；
13、采用第二热处理工艺对所述第一中间金属硅化物层进行处理，形成第一金属硅化物层。
14、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述第一金属硅化物层包括硅化钴或硅化镍。
15、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述在减薄后的所述第二面上沿所述第二方向形成多个间隔分布的凹槽结构，所述方法包括：
16、在减薄后的所述衬底的第二面上形成图案化掩膜层；
17、利用所述掩膜层对所述衬底进行蚀刻，形成多个所述凹槽结构。
18、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述在各所述凹槽结构中填充金属层之前，所述方法还包括：
19、形成黏结层，所述黏结层覆盖各所述凹槽结构的底壁及侧壁，并延伸至所述第二面的表面上；
20、去除位于所述第二面的表面上的所述黏结层。
21、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：
22、在所述第一面上形成多个电容接触结构，每一所述电容接触结构与每一所述字线结构的第一源漏极电连接；
23、在各所述电容接触结构上形成电容结构。
24、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述在所述第一面上形成多个电容接触结构，所述方法包括：
25、在所述第一源漏极上形成第二金属硅化物层；
26、在所述第二金属硅化物上形成电容结构。
27、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述在所述第一源漏极上形成第二金属硅化物层，所述方法包括：
28、形成覆盖各所述第一源漏极的第二牺牲金属层；
29、采用第一热处理工艺对所述第二牺牲金属层进行处理，在所述第一源漏极上形成第二中间金属硅化物；
30、去除剩余所述第二牺牲金属层；
31、采用第二热处理工艺对所述第二中间金属硅化物层进行处理，形成所述第二金属硅化物层。
32、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述在所述第一源漏极上形成第二金属硅化物层之前，所述方法还包括：
33、在所述第一源漏极上形成半导体层；
34、对所述半导体层进行重掺杂。
35、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述第一热处理工艺包括400℃～550℃的快速热处理工艺；所述二热处理工艺包括采用550℃～700℃的快速热处理工艺。
36、本公开提供的半导体结构的形成方法，一方面通过在衬底的第一面和第二面分别形成字线结构和位线结构，解决了在深槽内形成导电接触结构的较难的问题，提高了导电接触结构的形成形态，降低了接触电阻，提高了器件的性能；另一方面通过在衬底的第一面和第二面上分别形成字线结构和位线结构，降低了后续电路布线的难度以及制作工艺的难度；第三方面，在衬底不同面形成位线结构和字线结构可以使得形成的位线结构具有低电阻、低峰值电流的特性，结构性能较好。
37、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
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1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在各所述凹槽结构内分别形成导电接触结构，所述方法包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属硅化物层包括硅化钴或硅化镍。
4.根据权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在减薄后的所述第二面上沿所述第二方向形成多个间隔分布的凹槽结构，所述方法包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在各所述凹槽结构中填充金属层之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述第一面上形成多个电容接触结构，所述方法包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述第一源漏极上形成第二金属硅化物层，所述方法包括：
9.根据权利要求7或8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，
10.根据权利要求2或8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一热处理工艺包括400℃～550℃的快速热处理工艺；所述二热处理工艺包括采用550℃～700℃的快速热处理工艺。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在各所述凹槽结构内分别形成导电接触结构，所述方法包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属硅化物层包括硅化钴或硅化镍。
4.根据权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在减薄后的所述第二面上沿所述第二方向形成多个间隔分布的凹槽结构，所述方法包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在各所述凹槽结构中填充金属层之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：盛薄辉，白世杰，曾凡清，和娟娟，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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