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本公开提供了一种半导体结构的形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底，衬底具有相对的第一面和第二面，在衬底上形成沿第一方向间隔分布的多个字线结构，各字线结构的第一源漏极、栅极结构和第二源漏极沿第一面指向第二面依次分布，且第一面...
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