【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着电子产品功能与应用的需求的急速增加，封装技术也朝着高密度微小化、单芯片封装到多芯片封装、二维尺度到三维尺度的方向发展。其中系统化封装技术(systemin package)是一种可整合不同电路功能芯片的较佳方法，利用表面粘着(surface mounttechnology：smt)工艺将不同的芯片堆栈整合于同一基板上，借以有效缩减封装面积，具有体积小、高频、高速、生产周期短与低成本的优点。
2、目前，封装结构的可靠性有待提高。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种封装结构及其制造方法，至少有利于提高封装结构的稳定性。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种封装结构，包括：基板，基板的表面具有焊垫；堆叠结构，堆叠结构位于基板上，堆叠结构包括依次堆叠的多个芯片，其中，位于顶层的芯片为顶层芯片，顶层芯片具有相对的正面和背面，顶层芯片的背面朝向基板，顶层芯片的正面具有第一焊盘；连接部，连接部位于基板上且位于堆叠结构的侧面，连接部内具有沿垂直于基板表面方向贯穿连接部的导电柱，导电柱的底部与焊垫电连接；金属线，金属线位于堆叠结构远离基板的表面且位于连接部远离基板的表面，金属线的一端与导电柱的顶部电连接，金属线的另一端与第一焊盘电连接。
3、在一些实施例中，在堆叠结构中，位于顶层芯片和基板之间的芯片为中间芯片，中间芯片远离基板的表面具有第二焊盘；封装结构还包括：连
4、在一些实施例中，在垂直于基板表面的方向上，相对于基板表面，连接线的线弧顶点的高度低于导电柱顶面的高度。
5、在一些实施例中，还包括：封装层，封装层覆盖基板表面，封装层包裹堆叠结构和金属线，还包裹连接部的部分表面且暴露连接部远离堆叠结构的侧面。
6、在一些实施例中，连接部的导热系数高于封装层的导热系数。
7、在一些实施例中，还包括：第一焊球和第二焊球，第一焊球位于第一焊盘的表面，第二焊球位于导电柱的顶面，金属线的一端与第一焊球电接触，金属线的另一端与第二焊球电接触。
8、在一些实施例中，第一焊球和第二焊球中至少一者的材料与金属线的材料相同。
9、在一些实施例中，垂直于基板表面方向上，相对于基板表面，第二焊球的顶面高度与第一焊盘的顶面高度的差值小于等于7μm。
10、在一些实施例中，还包括：第三焊球，第三焊球位于导电柱的底面与焊垫之间。
11、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种封装结构的制造方法，包括：提供基板，基板的表面具有焊垫；在基板上设置堆叠结构，堆叠结构包括依次堆叠的多个芯片，其中，位于顶层的芯片为顶层芯片，顶层芯片具有相对的正面和背面，顶层芯片的背面朝向基板，顶层芯片的正面具有第一焊盘；在基板上设置连接部，连接部位于堆叠结构的侧面，连接部内具有沿垂直于基板表面方向贯穿连接部的导电柱，导电柱的底部与焊垫电连接；形成金属线，金属线位于堆叠结构远离基板的表面且位于连接部远离基板的表面，金属线的一端与导电柱的顶部电连接，金属线的另一端与第一焊盘电连接。
12、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
13、本实施例提供的封装结构中，基板上具有堆叠结构，堆叠结构中具有多个依次堆叠的芯片，基板上的焊垫用于与堆叠结构中的芯片电器连接，如此可以实现超高密度或多芯片模块化的封装。其中，堆叠结构中位于顶层的芯片为顶层芯片，顶层芯片的远离基板的正面具有第一焊盘，基板上还具有位于堆叠结构侧面的连接部，连接部内具有沿垂直于基板表面方向贯穿连接部的导电柱，导电柱的顶部通过金属线与第一焊盘电连接，导电柱的底部与焊垫电连接，如此，顶层芯片可以通过金属线和导电柱与基板电器连接。由于金属线位于堆叠结构远离基板的表面且位于连接部远离基板的表面，金属线不需要形成线弧，相较于直接采用打线将基板与顶层芯片连接的方式，可以有利于降低金属线的线弧高度，进而降低封装结构的整体高度，同时还有利于提高第一焊盘与基板电器连接的稳定性。此外，顶层芯片的背面朝向基板，即顶层芯片的正面朝上，顶层芯片正面上未与金属线连接第一焊盘还可以与基板上的其他器件电连接，以实现更丰富的电器连接方式，以满足不同的电路使用需求。
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1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在所述堆叠结构中，位于所述顶层芯片和所述基板之间的所述芯片为中间芯片，所述中间芯片远离所述基板的表面具有第二焊盘；
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，在垂直于所述基板表面的方向上，相对于所述基板表面，所述连接线的线弧顶点的高度低于所述导电柱顶面的高度。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：封装层，所述封装层覆盖所述基板表面，所述封装层包裹所述堆叠结构和所述金属线，还包裹所述连接部的部分表面且暴露所述连接部远离所述堆叠结构的侧面。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述连接部的导热系数高于所述封装层的导热系数。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第一焊球和第二焊球，所述第一焊球位于所述第一焊盘的表面，所述第二焊球位于所述导电柱的顶面，所述金属线的一端与所述第一焊球电接触，所述金属线的另一端与所述第二焊球电接触。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第一焊
8.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，垂直于所述基板表面方向上，相对于所述基板表面，所述第二焊球的顶面高度与所述第一焊盘的顶面高度的差值小于等于7μm。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第三焊球，所述第三焊球位于所述导电柱的底面与所述焊垫之间。
10.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在所述堆叠结构中，位于所述顶层芯片和所述基板之间的所述芯片为中间芯片，所述中间芯片远离所述基板的表面具有第二焊盘；
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，在垂直于所述基板表面的方向上，相对于所述基板表面，所述连接线的线弧顶点的高度低于所述导电柱顶面的高度。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：封装层，所述封装层覆盖所述基板表面，所述封装层包裹所述堆叠结构和所述金属线，还包裹所述连接部的部分表面且暴露所述连接部远离所述堆叠结构的侧面。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述连接部的导热系数高于所述封装层的导热系数。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王海林，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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