【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体工艺技术的迅速发展，晶体管的特征尺寸已进入纳米级，通过等比例缩小的方法提高当前主流存储器件的性能受到越来越多物理、工艺的限制。基于晶圆上晶圆(wafer on wafer，简称wow)领域的工艺，金属层需要通过接触塞(contact through，简称ct)与位线(bit line，简称bl)接触，但是，该种半导体结构易发生经时击穿(timedependent dielectric breakdown，简称tddb)，导致半导体结构可靠性降低，寿命缩短。
2、因此，如何改善半导体器件中的经时击穿现象，延长器件寿命成为目前研究的重点之一。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是改善半导体器件中的经时击穿现象，延长器件寿命，提供一种半导体结构及其制备方法。
2、为了解决上述问题，本申请提供了一种半导体结构，包括：沿第一方向依次堆叠的第一介电层、停止层、以及第二介电层，所述停止层具有沿第二方向交错排布的开口，所述第二介电层还填充在所述开口内；接触塞，至少位于所述第一介电层中，多个所述接触塞沿第二方向交错排布，且与所述开口对应，在所述第一方向上，所述接触塞的顶表面低于所述停止层的顶表面；金属线，位于所述停止层表面，多条所述金属线沿第二方向排布，每一所述金属线沿第三方向延伸经过至少一所述开口，并在所述开口处向所述接触塞延伸至与所述接触塞连接。
3、为了解决上述问题，
4、上述技术方案通过在第一介电层与第二介电层之间设置停止层，避免金属线进入第一介电层，增大金属线与相邻接触塞之间的距离，降低经时击穿风险，增强器件性能，延长器件寿命。
5、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在第二方向上，所述金属线的尺寸小于所述接触塞的尺寸。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在第一方向上，所述接触塞的顶表面与所述第一介电层的顶表面平齐，或者所述接触塞的顶表面低于所述第一介电层的顶表面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属线的顶表面在第一方向上与所述第二介电层的顶表面平齐。
5.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在第二方向上，所述第二孔的尺寸小于所述第一孔的尺寸，所述金属线的尺寸小于所述接触塞的尺寸。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第一孔内形成接触塞的步骤进一步包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，回刻形成接触塞的步骤中，回刻至所述接触塞的顶表面与所述第一介电层的顶表面平齐停止。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，回刻形成接触塞的步骤中，回刻至所述接触
10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第一沟槽及所述第二孔内形成金属线进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在第二方向上，所述金属线的尺寸小于所述接触塞的尺寸。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在第一方向上，所述接触塞的顶表面与所述第一介电层的顶表面平齐，或者所述接触塞的顶表面低于所述第一介电层的顶表面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属线的顶表面在第一方向上与所述第二介电层的顶表面平齐。
5.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫晓东，朴成，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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