本发明专利技术涉及光刻技术领域，公开了一种掩模版并行化合成方法、装置、曝光设备及存储介质。其中，该方法应用于芯片制备工艺的曝光设备，掩模版为全息掩模版，具体包括获取成像面的目标图形，将成像面的目标图形拆分为图形子块；基于图形子块构建掩模子块，并获取掩模子块的重叠区域；在掩模子块的重叠区域内交错排布像素格点，生成掩模子块的像素格点；基于掩模子块的像素格点，并行计算掩模子块中像素格点的目标像素格点参数；基于掩模子块中像素格点的目标像素格点参数，将掩模子块合成目标全息掩模版。本发明专利技术通过全息掩模版并行化合成，以实现缩短全息掩模版的合成时间。现缩短全息掩模版的合成时间。现缩短全息掩模版的合成时间。
【技术实现步骤摘要】
一种掩模版并行化合成方法、装置、曝光设备及存储介质
[0001]本专利技术涉及光刻
，具体涉及一种掩模版并行化合成方法、装置、曝光设备及存储介质。
技术介绍
[0002]光刻作为一种常见的微纳图形加工技术，是半导体行业和集成电路印刷中的重要工艺。传统投影式光刻具有局部的物象关系，掩模版能够拆分成多个子块进行独立优化，具备良好的并行性，但光路复杂、成本较高。伴随着集成电路（Integrated Circuits）制造的特征尺寸越来越小，传统投影式光刻（Projection Lithography）面临的技术挑战也越来越多；全息光刻（Holographic Lithography，HL）是基于全息掩模版（Holographic mask）的新型光刻系统，其基本原理是将集成电路信息编码于全息掩模版上，通过光的衍射与干涉在晶圆上成像，具有光路设计相对轻量化、制造环节相对精简的优点、发展前景广阔。但是由于全息光刻的掩模上每一个像素均对所有像点有贡献，因此不具备良好的并行性，难以将原问题拆分成若干子问题进行独立求解，导致全芯片的掩模版的合成时间难以满足工业需求。
[0003]因此如何进行全息掩模版并行化合成，缩短全息掩模版的合成时间成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种掩模版并行化合成方法、装置、曝光设备及存储介质，以解决全息光刻不具备良好的并行性，难以将原问题拆分成若干子问题进行独立求解，导致全芯片的掩模版的合成时间难以满足工业需求的技术问题。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种掩模版并行化合成方法，应用于芯片制备工艺的曝光设备，掩模版为全息掩模版，包括：获取成像面的目标图形，将成像面的目标图形拆分为图形子块；基于图形子块构建掩模子块，并获取掩模子块的重叠区域；在掩模子块的重叠区域内交错排布像素格点，生成掩模子块的像素格点；基于掩模子块的像素格点，并行计算掩模子块中像素格点的目标像素格点参数；基于掩模子块中像素格点的目标像素格点参数，将掩模子块合成目标全息掩模版。
[0006]本实施例提供的掩模版并行化合成方法，通过将成像面的目标图形拆分为图形子块，基于图形子块构建掩模子块，获取掩模子块的重叠区域，并在掩模版子块重叠区域内交错排布像素格点，并行独立求解掩模子块中像素格点的目标像素格点参数，从而实现对全息掩模版的拆分以及全息掩模版的并行化合成，提高全息掩模版优化问题求解效率，以满足工业需求。
[0007]在一种可选的实施方式中，基于图形子块构建掩模子块，并获取掩模子块的重叠区域，包括：获取图形子块的中心位置、图形子块的尺寸以及图形子块内最小线宽尺寸；基于图形子块的中心位置，确定掩模子块的中心位置；基于图形子块的尺寸和图形子块内最
小线宽尺寸，确定掩模子块的尺寸；基于掩模子块的中心位置和掩模子块的尺寸构建掩模子块，并获取掩模子块的重叠区域。
[0008]本实施例提供的掩模版并行化合成方法，通过图形子块的中心位置、图形子块的尺寸以及图形子块内最小线宽尺寸确定掩模子块的中心位置和掩模子块的尺寸，进而构建掩模子块，以实现图像子块与掩模子块的映射，同时实现了各掩模子块之间的独立求解。
[0009]在一种可选的实施方式中，基于掩模子块的像素格点，并行计算掩模子块中像素格点的目标像素格点参数，包括：基于掩模子块的像素格点和与掩模子块对应的图形子块，构建优化目标函数；求解优化目标函数，生成目标像素格点参数。
[0010]本实施例提供的掩模版并行化合成方法，通过构建优化目标函数，生成目标像素格点参数，提高全息掩模版优化效率和优化精度。
[0011]在一种可选的实施方式中，基于掩模子块的像素格点和与掩模子块对应的图形子块，构建优化目标函数，包括：获取图形子块的像素格点、图形子块像素格点的目标光强和掩模子块的像素格点参数，基于掩模子块的像素格点和图形子块的像素格点，生成掩模子块的像素指标集合和图形子块的像素指标集合；基于掩模子块的像素格点和图形子块的像素格点，确定成像面上的光强分布，其中成像面上的光强分布包括当前图形子块上的光强分布和其他图形子块的光强分布；基于掩模子块的像素指标集合、图形子块的像素指标集合、成像面上的光强分布、图形子块像素格点的目标光强和掩模子块的像素格点参数，构建优化目标函数。
[0012]本实施例提供的掩模版并行化合成方法，通过全面考虑全息掩模版优化过程中的影响因素，来构建优化目标函数，从而提高全息掩模版优化效率和优化精度。
[0013]在一种可选的实施方式中，基于掩模子块的像素指标集合、图形子块的像素指标集合、成像面上的光强分布、图形子块像素格点的目标光强和掩模子块的像素格点参数，构建优化目标函数，优化目标函数的关系式如下所示：其中，和表示掩模子块的像素格点参数，其中，表示振幅透过率，表示调制相位，表示掩模子块的像素指标集合，表示掩模子块的第个像素指标，表示图形子块的像素指标集合，表示当前图形子块的第个像素指标、表示其他图形子块的第个像素指标，表示当前图形子块的第个像素指标的光强，表示当前图形子块的第个像素指标的目标光强，表示其他图形子块的第个像素指标的光强。
[0014]本实施例提供的掩模版并行化合成方法，优化目标函数的关系式可以直观准确的反映全息掩模版优化过程中的影响因素，以及各物理量之间的相关关系，物理意义明确，可以客观反映全息掩模版优化过程，从而提高全息掩模版优化效率和优化精度。
[0015]在一种可选的实施方式中，基于掩模子块的像素格点，确定成像面上的光强分布，包括：获取照明光波，基于照明光波、掩模子块的像素格点参数、掩模子块的像素指标集合和图形子块的像素指标集合，确定成像面上的电场分布；基于成像面上的电场分布，确定成像面上的光强分布。
[0016]本实施例提供的掩模版并行化合成方法，可适用于不同照明光波条件下，对成像面上的电场分布以及成像面上的光强分布的确定，拓展本方案的适用范围，提高本技术方案的泛化性。
[0017]在一种可选的实施方式中，基于掩模子块中像素格点的目标像素格点参数，将掩模子块合成目标全息掩模版，包括：基于掩模子块中像素格点的目标像素格点参数，确定待合成全息掩模版中像素格点的目标像素格点参数，并基于待合成全息掩模版中像素格点的目标像素格点参数，生成目标全息掩模版。
[0018]本实施例提供的掩模版并行化合成方法，目标像素格点参数可以根据实际需要进行设置，实现全息掩模版优化的灵活性。
[0019]第二方面，本专利技术提供了一种掩模版并行化合成装置，应用于芯片制备工艺的曝光设备，掩模版为全息掩模版，包括：第一获取模块，用于获取成像面的目标图形，将成像面的目标图形拆分为图形子块；第二获取模块，用于基于图形子块构建掩模子块，并获取掩模子块的重叠区域；生成模块，用于在掩模子块的重叠区域内交错排布像素格点，生成掩模子块的像素格点；计算模块，用于基于掩模子块的像素格点，并行计算掩模子块中像素格点的目标像素格点参数；合成模块，用于基于掩模子块中像素格点的目本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩模版并行化合成方法，应用于芯片制备工艺的曝光设备，其特征在于，所述掩模版为全息掩模版，所述方法包括：获取成像面的目标图形，将所述成像面的目标图形拆分为图形子块；基于所述图形子块构建掩模子块，并获取掩模子块的重叠区域；在所述掩模子块的重叠区域内交错排布像素格点，生成掩模子块的像素格点；基于所述掩模子块的像素格点，并行计算掩模子块中像素格点的目标像素格点参数；基于所述掩模子块中像素格点的目标像素格点参数，将掩模子块合成目标全息掩模版。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述图形子块构建掩模子块，并获取掩模子块的重叠区域，包括：获取图形子块的中心位置、图形子块的尺寸以及图形子块内最小线宽尺寸；基于所述图形子块的中心位置，确定掩模子块的中心位置；基于所述图形子块的尺寸和所述图形子块内最小线宽尺寸，确定掩模子块的尺寸；基于所述掩模子块的中心位置和所述掩模子块的尺寸构建所述掩模子块，并获取所述掩模子块的重叠区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述掩模子块的像素格点，并行计算掩模子块中像素格点的目标像素格点参数，包括：基于所述掩模子块的像素格点和与掩模子块对应的图形子块，构建优化目标函数；求解所述优化目标函数，生成所述目标像素格点参数。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述掩模子块的像素格点和与掩模子块对应的图形子块，构建优化目标函数，包括：获取图形子块的像素格点、图形子块像素格点的目标光强和掩模子块的像素格点参数，基于所述掩模子块的像素格点和图形子块的像素格点，生成掩模子块的像素指标集合和图形子块的像素指标集合；基于所述掩模子块的像素格点和所述图形子块的像素格点，确定成像面上的光强分布，其中所述成像面上的光强分布包括当前图形子块上的光强分布和其他图形子块的光强分布；基于所述掩模子块的像素指标集合、所述图形子块的像素指标集合、所述成像面上的光强分布、所述图形子块像素格点的目标光强和所述掩模子块的像素格点参数，构建所述优化目标函数。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述掩模子块的像素指标集合、所述图形子块的像素指标集合、所述成像面上的光强分布、所述图形子块像素格点的目标光强和所述掩模子块的像素格点参数，构建所述优化目标函数，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：韦炳威，牛志元，
申请(专利权)人：光科芯图北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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