静电夹持装置及半导体检测设备制造方法及图纸

本申请属于半导体制造技术领域，尤其是涉及一种静电夹持装置及半导体检测设备

【技术实现步骤摘要】
静电夹持装置及半导体检测设备


[0001]本申请属于半导体制造
，尤其是涉及一种静电夹持装置及半导体检测设备
。

技术介绍

[0002]带电粒子束装置是一种能够在被带电粒子束装置产生的带电粒子束撞击时检测晶圆基板表面的二次电子
、
背散射电子
、
镜面电子或其他类型的电子来产生晶圆基板的二维图像的装置
。
当这种装置执行其功能时，晶圆需要被静电卡盘或者机械卡盘稳固夹持，防止工作台在移动时晶圆产生位移，同时在检测过程中晶圆被检测区域如果出现电荷积累将造成图像过曝
、
漂移
、
量测精度降低等问题，通常需要让晶圆处于导电状态，以让多余的电荷导走或者增加电压偏置保护晶圆
。
[0003]将晶圆上的累积电荷导走或者在晶圆上增加电压偏置一般有两种破坏晶圆表面介质层的方式，一种是机械刺破晶圆背部的介质层，另一种是脉冲高压放电击穿介质层
。
需要说明的是，晶圆的背部表面形成有一层保护介质，例如光刻胶等
。
现有的机械刺破结构，通过接触引针刺破晶圆背部表面的保护介质，然而这种刺破方式可靠性低
。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种静电夹持装置及半导体检测设备，以解决现有机械刺破方式并不可靠的技术问题
。
[0005]根据本申请的一个方面，提供了一种静电夹持装置，该静电夹持装置包括支撑台以及多个接触电极；多个接触电极间隔设置于支撑台，各接触电极包括至少一个刃边；刃边的至少部分突出于支撑台设置，以用于夹持晶圆的周向边缘并刺破晶圆表面的介质层
。
[0006]在本申请可选的方案中，晶圆与支撑台在晶圆的厚度方向上间隔设置
。
[0007]在本申请可选的方案中，晶圆与支撑台之间的间隙为
0.05mm
至
0.3mm。
[0008]在本申请可选的方案中，静电夹持装置还包括支撑柱；支撑柱连接于支撑台且至少部分突出于支撑台靠近晶圆的表面；支撑柱在支撑台上的突出高度低于刃边在支撑台上的突出高度
。
[0009]在本申请可选的方案中，多个接触电极的刃边关于支撑柱中心对称布置
。
[0010]在本申请可选的方案中，刃边与接触电极的轴心线之间的间距在晶圆的厚度方向上自下而上渐缩设置
。
[0011]在本申请可选的方案中，刃边与接触电极的轴心线之间的锐角为
15
°
至
75
°
。
[0012]在本申请可选的方案中，接触电极靠近晶圆的一端为接触端，另一端为引线端；接触端为正多棱锥结构且周侧的多条棱边对应为刃边
。
[0013]在本申请可选的方案中，静电夹持装置还包括保护电路，保护电路包括主路以及多个并联支路；多个并联支路的一端与多个接触电极的引线端一一对应连接，另一端汇集于主路；任一并联支路设有刺破检测模块，主路设有控制开关并用于接入电源或接地；刺破
检测模块用于通断控制开关
。
[0014]根据本申请的另一个方面，提供了一种半导体检测设备，该半导体检测设备包括扫描电镜以及上述的静电夹持装置；扫描电镜能够发射电子束以照射于置于静电夹持装置的晶圆上
。
[0015]综上所述，本申请提供的静电夹持装置及半导体检测设备至少具有以下有益效果：
[0016]对于该静电夹持装置，多个接触电极在支撑台上共同围合限定出晶圆的放置区域，将晶圆放置于该放置区域后，晶圆的周向边缘能够抵接于各接触电极的刃边上
。
由于晶圆周向边缘处的介质层更薄，甚至没有，使得刃边能够轻易划破晶圆周向边缘处的介质层，刺破概率极大提高，可靠性更佳
。
各接触电极的刃边在晶圆的周向上间隔设置，并对晶圆在水平方向上进行限位，降低晶圆出现滑片风险
。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍
。
显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域的技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0018]图1为根据本申请其中一个实施例提供的放置有晶圆的静电夹持装置的示意简图；
[0019]图2出示了图1中的静电夹持装置在另一视角下的示意图；
[0020]图3出示了图1中接触电极的示意图；
[0021]图4为图3中接触电极在另一视角向下的示意图；
[0022]图5为根据本申请其中一个实施例提供的半导体检测设备
。
[0023]附图标记如下：
[0024]100、
静电夹持装置；
[0025]110、
支撑台；
[0026]120、
接触电极；
121、
刃边；
[0027]130、
支撑柱；
[0028]140、
保护电路；
141、
主路；
142、
并联支路；
143、
刺破检测模块；
144、
控制开关；
[0029]200、
晶圆；
201、
介质层；
[0030]300、
扫描电镜；
301、
电子枪；
302、
光路系统
。
具体实施方式
[0031]在本申请的描述中，需要理解的是，如出现术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示方位或位置关系的描述，若无特殊的说明，则理解为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制
。
[0032]另外，如出现限定有“第一”、“第二”仅用于描述目的的特征，不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量
。
限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该被限定的特征
。
如出现“多个”的描述，一般含义是至少包括两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定
。
[0033]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，如出现“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语，应做广义理解
。
例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种静电夹持装置，其特征在于，所述静电夹持装置包括支撑台以及多个接触电极；多个所述接触电极间隔设置于所述支撑台，各所述接触电极包括至少一个刃边；所述刃边的至少部分突出于所述支撑台设置，以用于夹持晶圆的周向边缘并刺破所述晶圆表面的介质层
。2.
根据权利要求1所述的静电夹持装置，其特征在于，所述晶圆与所述支撑台在所述晶圆的厚度方向上间隔设置
。3.
根据权利要求2所述的静电夹持装置，其特征在于，所述晶圆与所述支撑台之间的间隙为
0.05mm
至
0.3mm。4.
根据权利要求1所述静电夹持装置，其特征在于，所述静电夹持装置还包括支撑柱；所述支撑柱连接于所述支撑台且至少部分突出于所述支撑台靠近所述晶圆的表面；所述支撑柱在所述支撑台上的突出高度低于所述刃边在所述支撑台上的突出高度
。5.
根据权利要求4所述的静电夹持装置，其特征在于，多个所述接触电极的刃边关于所述支撑柱中心对称布置
。6.
根据权利要求1所述的静电夹持装置，其特征在于，所述刃边与所述接触电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：米涛，韩春营，
申请(专利权)人：中科晶源微电子技术北京有限公司，
类型：发明
国别省市：