【技术实现步骤摘要】
用于离子注入机的固态源供给装置
[0001]本专利技术是关于离子注入设备
,特别是关于一种用于离子注入机的固态源供给装置
。
技术介绍
[0002]氮化稼
(GaN)
等第三代半导体材料,相比较传统半导体材料硅
(Si)
,其禁带更宽
(3.45eV)、
击穿场强更高
(3.3MV
·
cm
‑
1)、
电子饱和漂移速率更大
(2.7xl07cm
·
s
‑
1)
,由此其
Baliga
优值在低频和高频应用上分别是
Si
的
1450
倍和
180
倍
。
因此,基于
GaN
材料的电力电子器件可以满足高频率
、
大功率
、
高能效的要求,在手机充电器
、
太阳能电池
、
汽车充电桩
、
逆变器
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种用于离子注入机的固态源供给装置,其特征在于,所述装置包括第一底座
、
第二底座和坩埚组件,所述坩埚组件包括坩埚以及对所述坩埚开口密封的坩埚帽,所述坩埚组件轴向的两端分别与所述第一底座和第二底座固定;所述装置还包括加热组件,所述加热组件包括加热套壳
、
加热单元,支架以及支撑件,所述加热套壳套设于所述坩埚的外侧并可沿其轴向相对所述坩埚滑动,所述加热单元设置于所述加热套壳与所述坩埚围成的密封空间内,所述支架可拆卸固定于所述第一底座上,所述支撑件自所述加热套壳轴向的一端向外延伸后与所述支架连接,所述支撑件支撑于所述支架和所述加热套壳之间,以限制所述加热套壳与所述坩埚之间的轴向移动
。2.
如权利要求1所述的用于离子注入机的固态源供给装置,其特征在于,所述加热套壳包括套设于所述坩埚外侧的筒体
、
以及固定于所述筒体轴向两端的第一端板和第二端板;所述坩埚组件还包括设置于所述坩埚轴向两端的第一密封环和第二密封环,所述第一密封环和第二密封环分别具有环形的第一密封表面和第二密封表面,所述第一密封表面和第二密封表面凸伸于所述坩埚的外表面;所述第一端板和第二端板分别套设于所述第一密封环和第二密封环的外部,所述第一端板和第二端板分别和所述第一密封表面和第二密封表面之间滑动密封
。3.
如权利要求2所述的用于离子注入机的固态源供给装置,其特征在于,所述坩埚靠近所述第一底座的一端凸伸有安装轴;所述坩埚组件还包括坩埚底座,所述坩埚底座一端固定于所述第一底座上,另一端套设于所述安装轴上,所述第一密封环套设在所述安装轴上
。4.
如权利要求3所述的用于离子注入机的固态源供给装置,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:鞠涛,张立国,阚翔,姬荣坤,张璇,张宝顺,
申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,
类型:发明
国别省市:
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