具有多行列状裸片互连件的集成电路(IC)和包括高密度裸片到裸片(D2D)互连件的IC封装件制造技术

一种集成电路(IC)封装件，包括具有多行列状裸片互连件的IC(204)，在导电层中具有增加的裸片到裸片(D2D)互连件密度。将该裸片互连件定位在裸片互连件列簇(202(1)，202(2))中，裸片互连件列簇(202(1)，202(2))各自包括多个裸片互连件行(213,214)和两列(200A，200B)，减小了该裸片互连件占据的线性尺寸并且为更多的D2D互连件(206)留出了空间。裸片互连件列簇间距(P

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有多行列状裸片互连件的集成电路(IC)和包括高密度裸片到裸片(D2D)互连件的IC封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年3月3日提交的名称为“INTEGRATED CIRCUITS(ICs)WITH MULTI
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ROW COLUMNAR DIE INTERCONNECTS AND IC PACKAGES INCLUDING HIGH DENSITY DIE
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TO
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DIE(D2D)INTERCONNECTS(具有多行列状裸片互连件的集成电路(IC)和包括高密度裸片到裸片(D2D)互连件的IC封装件)”的美国专利申请序列第17/191,557号的优先权，该专利申请通过引用整体并入本文。


[0003]本公开的领域一般涉及集成电路(IC)并且更特别地，涉及IC封装件中的互连件裸片。

技术介绍

[0004]消费电子设备的制造商寻求最大化设备性能，同时最小化设备尺寸，因为用户喜欢更小的设备并且它们制造起来更便宜。电子设备的功能和性能由集成电路(IC)提供。提高IC性能的一种方法是添加电路系统，这增加了IC的尺寸和复杂性。随着IC面积和复杂性的增加，制造产量减少，这增加了产品成本。最大化电子设备性能的备选方法是在IC封装件中的两个或多个IC裸片之中分割功能。减小IC裸片的尺寸和复杂性提高了产量。然而，对于两个单独的IC裸片来说，接近单个IC的性能水平需要紧密的集成水平，这可能需要IC裸片之间的高带宽互连性。此类互连性可能需要大量数据信号和/或控制信号在IC封装件中的两个IC裸片之间快速传送。信号(即导线)的数目和设备之间的信号传送的速度都取决于封装件考虑。用于信号在IC裸片之间传播的时间部分取决于导线长度。因此，通过将第一IC裸片和第二IC裸片定位成彼此非常靠近并且通过将用于第一IC裸片和第二IC裸片之间通信的信号连接定位在相应IC裸片的最靠近的相对边缘上，可以最小化信号传播时间。可以放置在相对边缘的裸片到裸片连接的数目受到互连件结构的尺寸和技术要求的限制。

技术实现思路

[0005]本文公开的方面包括具有多行列状裸片互连件的集成电路(IC)和包括高密度裸片到裸片(D2D)互连件的IC封装件。IC封装件中紧密集成的IC被边缘对边缘地定位以最小化沿IC边缘设置的D2D互连件的长度。在导电层中沿IC边缘的长度适合的D2D互连件的最大数目取决于D2D互连件的中心到中心的距离或间距并且还取决于D2D互连件所耦合的裸片互连件(例如，凸块或螺柱)的间距。明显大于D2D互连件间距的裸片互连件间距会占据IC边缘的大部分线性尺寸，从而为D2D互连件的布线留下更少的空间。在示例性方面，公开了一种IC封装件，其包括具有多行列状裸片互连件的IC以用于增加导电层中的D2D互连件的密度。将裸片互连件定位在每个都包括多个裸片互连件行和两个列的裸片互连件列簇中，减小了裸片互连件占据的线性尺寸并且为更多的D2D互连件留出了空间。裸片互连件列簇间
距是相邻裸片互连件列簇的列之间的距离，并且此距离大于列簇内的列之间的裸片互连件间距。裸片互连件可以设置在多行列簇之间的空间中并且附加的裸片互连件可以以裸片互连件列簇之间的D2D互连件间距设置。具有包括多行列状裸片互连件的IC的IC封装件具有更多数目的D2D互连件以用于更好的IC集成。
[0006]在示例性方面，公开了一种集成电路(IC)，包括衬底、衬底上的第一裸片互连件列簇以及衬底上的第二裸片互连件列簇。第一裸片互连件列簇包括多个第一裸片互连件行，每个第一裸片互连件行包括以行裸片互连件间距与第二裸片互连件间隔开的第一裸片互连件。第二裸片互连件列簇包括多个第二裸片互连件行，每个第二裸片互连件行包括以行裸片互连件间距与第二裸片互连件间隔开的第一裸片互连件。多个第一裸片互连件行的每个第一裸片互连件行中的第二裸片互连件与多个第二裸片互连件行中的第二裸片互连件行中的第一裸片互连件相邻并且以大于行裸片互连件间距的列簇间距与多个第二裸片互连件行中的第二裸片互连件行中的第一裸片互连件间隔开。
[0007]在另一示例性方面，公开了一种包括第一IC和第二IC的集成电路(IC)封装件。第一IC和第二IC中的每一者还包括第一裸片互连件列簇和第二裸片互连件列簇。第一裸片互连件列簇包括多个第一裸片互连件行，每个第一裸片互连件行包括以行裸片互连件间距与第二裸片互连件间隔开的第一裸片互连件。第二裸片互连件列簇包括多个第二裸片互连件行，每个第二裸片互连件行包括以行裸片互连件间距与第二裸片互连件间隔开的第一裸片互连件。多个第一裸片互连件行的每个第一裸片互连件行中的第二裸片互连件与多个第二裸片互连件行中的第二裸片互连件行中的第一裸片互连件相邻并且以大于行裸片互连件间距的列簇间距与多个第二裸片互连件行中的第二裸片互连件行中的第一裸片互连件间隔开。
附图说明
[0008]图1是耦合到彼此耦合的两个集成电路(IC)的边缘上的导电层中的裸片互连件的裸片到裸片(D2D)互连件的俯视图的图示；
[0009]图2是IC封装件中具有增加的D2D互连件密度的导电层中的裸片互连件列簇中的示例性多行列状裸片互连件的俯视图的图示；
[0010]图3A和图3B是通过示例性IC封装件中的导电层中的高密度D2D互连件彼此耦合的图2的IC中的裸片互连件列簇的俯视图的图示；
[0011]图4是由包括图2、图3A和图3B的两个IC的第一IC封装件中的衬底中的导电层互连的IC的截面侧视图的图示；
[0012]图5是在第二IC封装件中由设置在图2、图3A和图3B的两个IC上的导电层互连的IC的截面侧视图的图示；
[0013]图6是包括射频(RF)模块的示例性无线通信设备的框图，该RF模块包括具有边缘对边缘IC的IC封装件，该边缘对边缘IC具有用于如图4或图5中所示的更高密度D2D互连件的多行列状裸片互连件；以及
[0014]图7是根据本文公开的任何方面的包括IC的示例性IC封装件的框图，该IC具有用于如图4或图5中所示的更高密度D2D互连件的多行列状裸片互连件。
具体实施方式
[0015]现在参考附图，描述了本公开的若干示例性方面。本文使用的词语“示例性”意指“用作示例、实例或说明”。本文描述为“示例性”的任何方面不一定被解释为比其他方面更优选或有利。
[0016]本文公开的方面包括具有多行列状裸片互连件的集成电路(IC)和包括高密度裸片到裸片(D2D)互连件的IC封装件。IC封装件中紧密集成的IC被边缘对边缘地定位以最小化沿IC边缘设置的D2D互连件的长度。在导电层中沿IC边缘的长度适合的D2D互连件的最大数目取决于D2D互连件的中心到中心的距离或间距并且还取决于D2D互连件所耦合的裸片互连件(例如，凸块或螺柱)的间距。明显大于D2D互连件间距的裸片互连件间距会占据IC边缘的大部分线性尺寸，从而为D2D互连件的布线留下更少的空间。在示例性方面，公开了一种IC封装件，其包括具有多行列状裸片互连件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路(IC)裸片，包括：衬底；第一裸片互连件列簇，所述第一裸片互连件列簇在所述衬底上，包括：多个第一裸片互连件行，每个第一裸片互连件行包括以行裸片互连件间距与第二裸片互连件间隔开的第一裸片互连件；以及第二裸片互连件列簇，所述第二裸片互连件列簇在所述衬底上，包括：多个第二裸片互连件行，每个第二裸片互连件行包括以所述行裸片互连件间距与第二裸片互连件间隔开的第一裸片互连件；其中：所述多个第一裸片互连件行中的每个第一裸片互连件行中的所述第二裸片互连件与所述多个第二裸片互连件行中的第二裸片互连件行中的所述第一裸片互连件相邻，并且以大于所述行裸片互连件间距的列簇间距与所述多个第二裸片互连件行中的所述第二裸片互连件行中的所述第一裸片互连件间隔开。2.根据权利要求1所述的IC裸片，其中：所述第一裸片互连件列簇中的所述多个第一裸片互连件行包括至少三(3)个第一裸片互连件行；并且所述第二裸片互连件列簇中的所述多个第二裸片互连件行包括至少三(3)个第二裸片互连件行。3.根据权利要求1所述的IC裸片，其中所述第一裸片互连件列簇中的所述多个第一裸片互连件行中的第一裸片互连件行和所述第二裸片互连件列簇中的所述多个第二裸片互连件行中的第二裸片互连件行在第一轴线方向上沿第一轴线间隔开。4.根据权利要求3所述的IC裸片，其中所述第一裸片互连件列簇中的所述多个第一裸片互连件行中的所述第一裸片互连件以列裸片互连件间距在与所述第一轴线方向正交的方向上沿第二轴线间隔开。5.根据权利要求3所述的IC裸片，其中所述第一轴线平行于所述衬底的边缘。6.根据权利要求3所述的IC裸片，其中与所述第二裸片互连件列簇中的所述多个第二裸片互连件行中的所述第二裸片互连件行中的所述第一裸片互连件相邻的所述第一裸片互连件列簇中的所述多个第一裸片互连件行中的所述第一裸片互连件行中的所述第二裸片互连件是在所述第一轴线方向上与所述第二裸片互连件列簇中的所述多个第二裸片互连件行中的所述第二裸片互连件行中的所述第一裸片互连件第二靠近的裸片互连件。7.根据权利要求3所述的IC裸片，还包括第三裸片互连件列簇，所述第三裸片互连件列簇包括多个第三裸片互连件行，每个第三裸片互连件行包括以所述行裸片互连件间距与第二裸片互连件间隔开的第一裸片互连件，其中所述第三裸片互连件列簇中的所述多个第三裸片互连件行中的第三裸片互连件行沿所述第一轴线间隔开。8.根据权利要求1所述的IC裸片，其中：所述衬底包括电路层；并且所述多个第一裸片互连件行的每个第一裸片互连件行中的所述第一裸片互连件和所述第二裸片互连件，以及所述多个第二裸片互连件行的每个第二裸片互连件行中的所述第一裸片互连件和所述第二裸片互连件被配置为将所述电路层耦合到外部电路。9.一种集成电路(IC)封装件，包括：
第一IC；以及第二IC；其中：所述第一IC和所述第二IC中的每一IC还包括：第一裸片互连件列簇，包括：多个第一裸片互连件行，每个第一裸片互连件行包括以行裸片互连件间距与第二裸片互连件间隔开的第一裸片互连件；以及第二裸片互连件列簇，包括：多个第二裸片互连件行，每个第二裸片互连件行包括以所述行裸片互连件间距与第二裸片互连件间隔开的第一裸片互连件；以及所述多个第一裸片互连件行的每个第一裸片互连件行中的所述第二裸片互连件与所述多个第二裸片互连件行中的第二裸片互连件行中的所述第一裸片互连件相邻，并且以大于所述行裸片互连件间距的列簇间距与所述多个第二裸片互连件行中的所述第二裸片互连件行中的所述第一裸片互连件间隔开。10.根据权利要求9所述的IC封装件，其中所述第一裸片互连件列簇中的所述多个第一裸片互连件行中的所述第二裸片互连件与所述第二裸片互连件列簇中的所述多个第二裸片互连件行中的所述第一裸片互连件之间的所述列簇间距取决于所述第一裸片互连件列簇中的所述多个第一裸片互连件行的数目和所述第二裸片互连件列簇中的所述多个第二裸片互连件行的数目。11.根据权利要求9所述的IC封装件，还包括：第一多个裸片到裸片(D2D)互连件，被设置在导电层中；以及第二多个D2D互连件，被设置在所述导电层中；其中：所述第一多个D2D互连件将所述第一IC的所述第一裸片互连件列簇中的所述多个第一裸片互连件行中的所述第一裸片互连件耦合到所述第二IC的所述第一裸片互连件列簇中的所述多个第一裸片互连件行中的所述第一裸片互连件；并且所述第二多个D2D互连件将所述第一IC的所述第一裸片互连件列簇中的所述多个第一裸片互连件行中的所述第二裸片互连件耦合到所述第二IC的所述第一裸片互连件列...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：