一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法技术

本发明专利技术涉及硅片抛光技术领域，具体地说，涉及一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法，包括于硅片的贴附面上涂敷的蜡膜厚度不小于颗粒的直径；所述蜡膜包覆所述颗粒；本申请通过提高蜡膜的厚度，能够较佳的覆盖贴附面上的颗粒，避免硅片上产生浅坑。避免硅片上产生浅坑。避免硅片上产生浅坑。

【技术实现步骤摘要】
一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法


[0001]本专利技术涉及硅片抛光
，具体地说，涉及一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法。

技术介绍

[0002]CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，即化学机械抛光，是半导体硅片表面加工的关键工艺之一。CMP工艺的化学基础是氧化反应，物理基础是摩擦原理，在抛光过程中，定盘上贴付着根据工艺需要所采用的特定材质制成的抛光布，通过抛光头给贴付在陶瓷盘上的硅片背面施加一定压力，使硅片表面向下紧压在抛光布上，抛光液通过抛光机的液体输送管路从固定喷嘴匀速流落在拋光布的特定位置，随着拋光布的运动自然分散于硅片和拋光布之间，硅片与抛光布一般具有同向但不同速的旋转运动，通过化学作用和机械作用相结合，使被抛光的硅片表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。
[0003]如图1和图4所示，在抛光前，需要先将硅片1背面通过有蜡贴附的方式贴附在陶瓷盘2上，如果贴附时硅片1背面存在较大的颗粒3，真空处理施加压力后会使硅片1表面产生突起，抛光过程中将表面加工平整，去除突起部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法，其特征在于：于硅片的贴附面上涂敷的蜡膜厚度不小于颗粒的直径；所述蜡膜包覆所述颗粒。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述蜡膜中蜡的含量为25％。3.根据权利要求1或2任...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓雅之，洪漪，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：