一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法技术

本发明专利技术涉及硅片抛光技术领域，具体地说，涉及一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法，包括于硅片的贴附面上涂敷的蜡膜厚度不小于颗粒的直径；所述蜡膜包覆所述颗粒；本申请通过提高蜡膜的厚度，能够较佳的覆盖贴附面上的颗粒，避免硅片上产生浅坑。避免硅片上产生浅坑。避免硅片上产生浅坑。

【技术实现步骤摘要】
一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法


[0001]本专利技术涉及硅片抛光
，具体地说，涉及一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法。

技术介绍

[0002]CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，即化学机械抛光，是半导体硅片表面加工的关键工艺之一。CMP工艺的化学基础是氧化反应，物理基础是摩擦原理，在抛光过程中，定盘上贴付着根据工艺需要所采用的特定材质制成的抛光布，通过抛光头给贴付在陶瓷盘上的硅片背面施加一定压力，使硅片表面向下紧压在抛光布上，抛光液通过抛光机的液体输送管路从固定喷嘴匀速流落在拋光布的特定位置，随着拋光布的运动自然分散于硅片和拋光布之间，硅片与抛光布一般具有同向但不同速的旋转运动，通过化学作用和机械作用相结合，使被抛光的硅片表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。
[0003]如图1和图4所示，在抛光前，需要先将硅片1背面通过有蜡贴附的方式贴附在陶瓷盘2上，如果贴附时硅片1背面存在较大的颗粒3，真空处理施加压力后会使硅片1表面产生突起，抛光过程中将表面加工平整，去除突起部位，使硅片1该位置变薄，硅片1剥离下来后，应力恢复，原来的突起部位就会出现凹坑，因此背面的缺陷被反映到正面就形成了浅坑凹陷，该缺陷在最终外观检查可以用肉眼检查出来，判定为浅坑不良。
[0004]所以贴附时保持硅片背面的洁净度，管控颗粒十分重要，但因为部分规格产品在抛光前经过BSD和CVD工序，导致抛光来料时背面颗粒就较多，同时环境中不可避免会引入一定颗粒，如果在抛贴附前洗净未能将较大颗粒清除干净，就容易在抛光时导致浅坑不良。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术通过下述技术方案得以解决：
[0007]一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法，其包括，
[0008]于硅片的贴附面上涂敷的蜡膜厚度不小于颗粒的直径；所述蜡膜包覆所述颗粒。
[0009]作为优选，所述蜡膜中蜡的含量为25％。
[0010]作为优选，于所述贴附面上涂敷蜡膜时，设置涂蜡转速为1500rpm。
[0011]作为优选，于所述贴附面上涂敷蜡膜时，设置涂蜡量为0.6
‑
0.7ml。
[0012]本专利技术至少具备以下有益效果：
[0013]1、本申请通过提高蜡膜中蜡的含量，能够较佳的提高涂敷在贴附面上的蜡膜的厚度，进一步覆盖贴附面上的颗粒，避免硅片上产生浅坑。
[0014]2、本申请通过降低涂蜡转速，一方面能够使得蜡膜的涂敷更加均匀，另一方面能够避免涂蜡过程中将蜡甩出，相应的能够增大蜡膜的厚度。
[0015]3、本申请通过减少涂蜡量，能够较佳的避免硅片上产生中心浅坑。
附图说明
[0016]图1为现有技术中因颗粒的存在导致硅片上出现浅坑的示意图；
[0017]图2为面内浅坑的示意图；
[0018]图3为中心浅坑的示意图；
[0019]图4为蜡膜较薄无法覆盖颗粒的示意图；
[0020]图5为本申请中蜡膜覆盖颗粒的示意图。
[0021]附图中各数字标号所指代的部位名称如下：
[0022]1、硅片；2、陶瓷盘；3、颗粒；4、蜡膜。
具体实施方式
[0023]为进一步了解本专利技术的内容，结合附图和实施例对本专利技术作详细描述。应当理解的是，实施例仅仅是对本专利技术进行解释而并非限定。
[0024]如图2
‑
3所示，硅片1表面有一定面积浅的凹陷，主要分为面内浅坑和中心浅坑，面内浅坑主要由背面颗粒3导致，中心浅坑除跟颗粒3有关，还跟中心部位蜡膜4较厚有关，通常贴敷涂蜡时，蜡在中心聚集容易导致中心蜡膜4较厚。
[0025]浅坑不良常规检测手段主要是最终外观检查，也即目检；将硅片1平放在检查台三角支架上，在荧光灯下，确认荧光灯管在硅片1表面的波形是否发生凹陷。
[0026]如图5所示，本实施例提供了一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法，其包括，
[0027]于硅片1的贴附面上涂敷的蜡膜4厚度不小于颗粒3的直径；所述蜡膜4包覆所述颗粒3。
[0028]通过本实施例中的构造，使得在贴附面上涂敷蜡膜4后，由于蜡膜4具有较佳的厚度，故而，能够将处于贴附面上的颗粒3进行覆盖，从而能够避免真空处理施加压力后使硅片1表面产生突起，进一步的，在对硅片1进行抛光处理后，能够避免浅坑的产生。
[0029]进一步需要说明的是，贴附面上涂敷的蜡膜4的厚度可以等于颗粒3的直径，也可以大于颗粒3的直径，只要能够对颗粒3进行覆盖即可；在本实施例中，设置贴附面上涂敷的蜡膜4的厚度大于颗粒3的直径。
[0030]本实施例中，所述蜡膜4中蜡的含量为25％。
[0031]需要说明的是，在现有技术中，通常蜡膜4中蜡的含量为20％；本实施例中，将蜡膜4中蜡的含量提高到25％，能够较佳的提高涂敷在贴附面上的蜡膜4的厚度，从而能够相应的将贴附面上的颗粒3进行覆盖，以避免浅坑的产生。
[0032]本实施例中，于所述贴附面上涂敷蜡膜4时，设置涂蜡转速为1500rpm。
[0033]需要说明的是，在现有技术中，通常将涂蜡转速设定在2000rpm；在本实施例中，将涂蜡转速降低到1500rpm，一方面能够使得蜡膜4的涂敷更加均匀，另一方面能够避免涂蜡过程中将蜡甩出，相应的能够增大蜡膜4的厚度。
[0034]进一步的，由于本实施例中将蜡膜4中蜡的含量提高到了25％，故而，使得在涂蜡过程中，蜡膜4具有较佳的流动性，从而能够进一步促进蜡膜4涂敷的均一性，以及能够较佳的将颗粒3进行覆盖，避免浅坑的产生。
[0035]本实施例中，于所述贴附面上涂敷蜡膜4时，设置涂蜡量为0.6
‑
0.7ml。
[0036]需要说明的是，由于在将涂蜡转速降低的同时，可能会导致涂蜡时，硅片1的中心部位因蜡膜4较厚而造成抛光后中心浅坑的出现；通过本实施例中将涂蜡量设置为0.6
‑
0.7ml，能够较佳的避免中心浅坑的出现。
[0037]为验证上述结论，本申请进一步进行了如下试验：
[0038]试验例1
[0039]蜡膜4中的蜡含量为25％，涂蜡转速为1500rpm，涂蜡量为0.9
‑
1.0ml。
[0040]通过厚度仪测试涂敷在贴附面上的蜡膜4厚度，得到下表：
[0041][0042]试验例2
[0043]蜡膜4中的蜡含量为25％，涂蜡转速为1500rpm，涂蜡量为0.6
‑
0.7ml。
[0044]通过厚度仪测试涂敷在贴附面上的蜡膜4厚度，得到下表：
[0045][0046]试验例3
[0047]蜡膜4中的蜡含量为20％，涂蜡转速为1500rpm，涂蜡量为0.6
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法，其特征在于：于硅片的贴附面上涂敷的蜡膜厚度不小于颗粒的直径；所述蜡膜包覆所述颗粒。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述蜡膜中蜡的含量为25％。3.根据权利要求1或2任...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓雅之，洪漪，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：