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本发明涉及硅片抛光技术领域，具体地说，涉及一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法，包括于硅片的贴附面上涂敷的蜡膜厚度不小于颗粒的直径；所述蜡膜包覆所述颗粒；本申请通过提高蜡膜的厚度，能够较佳的覆盖贴附面上的颗粒，避免硅片上产生浅坑。避免硅...
该专利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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