【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种超级背封加工方法。
技术介绍
1、在半导体制造和太阳能行业中，硅片的质量对最终产品的性能至关重要。尤其在化学气相沉积(cvd)工艺中，硅片表面和边缘的完整性对于保证外延层质量尤为关键。然而，在现有技术中，硅片在cvd工艺后常常出现问题，特别是在硅片的边缘。这些问题主要表现为外延层边缘出现密集的滑移线，这些滑移线会向硅片面内延伸，导致硅片无法使用，甚至报废。
2、已有调查显示，这种异常现象的发生率高达100％，严重影响了硅片的良率和性能。经过分析，这种外延滑移线的形成与硅片边缘的机械损伤残留有直接关系。在倒角面进行机械加工时，容易在硅片的边缘留下微小的损伤，这些损伤在随后的cvd过程中导致沉积薄膜表面粗糙，最终诱发外延滑移线的形成。
技术实现思路
1、本申请的一个目的是提供一种超级背封加工方法，至少用以使得该方法可以有效改善超级背封品外延后的边缘缺陷，不存在器件良品率较低的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请的一些实施例提供了一种超级背封加工方法，所述方法包括：第一步，对硅片进行cp腐蚀加工；第二步，对硅片进行边缘抛光加工；第三步，通过apcvd工艺对所述硅片进行加工，形成二氧化硅薄膜覆盖所述硅片的边缘；第四步，通过lpcvd工艺对所述硅片进行加工，形成多晶硅薄膜覆盖所述二氧化硅薄膜；第五步，对上述步骤形成的超级背封进行抛光加工。
3、进一步地，所述超级背封的结构包括：二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在所述硅片
4、进一步地，所述硅片包括倒角面。
5、进一步地，所述对硅片进行边缘抛光加工包括：对所述硅片的倒角面进行抛光加工，得到光滑的倒角面。
6、相较于现有技术，本申请实施例提供的方案中，超级背封加工方法将边缘抛光工艺前移至cp腐蚀后和apcvd前，将薄膜沉积在经过抛光处理的光滑倒角面上，从而显著提高了薄膜的光滑度。这不仅解决了外延后边缘滑移线的问题，同时也有效防止了边缘自掺杂现象的发生，提高了器件的良率。
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1.一种超级背封加工方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述加工方法，其特征在于，所述超级背封的结构包括：
3.根据权利要求2所述加工方法，其特征在于，所述硅片包括倒角面。
4.根据权利要求3所述加工方法，其特征在于，所述对硅片进行边缘抛光加工包括：对所述硅片的倒角面进行抛光加工，得到光滑的倒角面。
【技术特征摘要】
1.一种超级背封加工方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述加工方法，其特征在于，所述超级背封的结构包括：
3.根据权利要求2所述加工方...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜远征，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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