【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及石英治具，具体地说，涉及一种常压化学气相沉积用治具及其使用方法。
技术介绍
1、为了抑制自掺杂现象，常使用常压化学气相沉积(apcvd)方法在硅片的背面淀积一层sio2薄膜。apcvd设备主要有履带式和托盘式。履带式设备通过机械手将硅片放置在履带上，硅片的膜面不接触任何治具。托盘式设备分为膜面非接触式和膜面接触式。膜面非接触式设备通过机械手将硅片放置在托盘上，硅片的膜面不接触任何治具。膜面接触式设备通过机械手将硅片放置在一石英治具上，使硅片与石英治具接触，然后通过真空将硅片吸附到托盘上。
2、然而，现有技术中膜面接触式设备的使用存在一个问题，即硅片与石英治具接触的地方会产生色差，这是非预期的结果，需要改善。色差会影响硅片的外观质量，并可能对器件的性能产生不利影响。因此，有必要对现有技术进行改进，以解决色差问题，提高硅片外延的质量。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种常压化学气相沉积用治具及其使用方法。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术通过下述技术方案得以解决：
3、第一方面，提供一种常压化学气相沉积用治具，其包括，
4、至少一个棱边，设于治具上；
5、所述治具通过所述棱边与硅片相接触。
6、作为优选，所述治具上设置有第一斜面，所述第一斜面的侧边形成所述棱边。
7、作为优选，所述治具上设置有与所述第一斜面相切的第二斜面，所述第一斜面与所述第二斜面的切
8、作为优选，所述治具通过粘接或吸附的方式固定于膜面接触式设备上。
9、作为优选，所述治具上设置有用于将所述治具固定于膜面接触式设备上的固定孔。
10、作为优选，所述固定孔为螺纹孔或卡接孔。
11、第二方面，提供一种常压化学气相沉积用治具的使用方法，包括上述的治具；具体包括，
12、于膜面接触式设备中固定安装所述治具；
13、于所述膜面接触式设备中放置硅片；
14、通过机械手将所述硅片放置于所述治具上，以使所述治具通过所述棱边接触所述硅片；
15、通过托盘真空吸附所述硅片，并基于化学气相沉积方法，于所述硅片上淀积sio2薄膜。
16、本专利技术至少具备以下有益效果：
17、1、本申请改善了硅片与石英治具接触导致的色差问题。
18、2、本申请提高了硅片的质量，减少外延自掺杂现象对器件性能的影响。
19、3、本申请通过对治具的设计，使其与硅片的接触由面接触改为线接触，以提高硅片的外观质量和器件性能。
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1.一种常压化学气相沉积用治具，其特征在于：包括，
2.根据权利要求1所述的常压化学气相沉积用治具，其特征在于：所述治具上设置有第一斜面，所述第一斜面的侧边形成所述棱边。
3.根据权利要求2所述的常压化学气相沉积用治具，其特征在于：所述治具上设置有与所述第一斜面相切的第二斜面，所述第一斜面与所述第二斜面的切边形成所述棱边。
4.根据权利要求1-3任一所述的常压化学气相沉积用治具，其特征在于：所述治具通过粘接或吸附的方式固定于膜面接触式设备上。
5.根据权利要求1-3任一所述的常压化学气相沉积用治具，其特征在于：所述治具上设置有用于将所述治具固定于膜面接触式设备上的固定孔。
6.根据权利要求5所述的常压化学气相沉积用治具，其特征在于：所述固定孔为螺纹孔或卡接孔。
7.一种常压化学气相沉积用治具的使用方法，其特征在于：包括权利要求1-6任一所述的治具；具体包括，
【技术特征摘要】
1.一种常压化学气相沉积用治具，其特征在于：包括，
2.根据权利要求1所述的常压化学气相沉积用治具，其特征在于：所述治具上设置有第一斜面，所述第一斜面的侧边形成所述棱边。
3.根据权利要求2所述的常压化学气相沉积用治具，其特征在于：所述治具上设置有与所述第一斜面相切的第二斜面，所述第一斜面与所述第二斜面的切边形成所述棱边。
4.根据权利要求1-3任一所述的常压化学气相沉积用治具，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：马爱，李传玉，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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