【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及石英治具,具体地说,涉及一种常压化学气相沉积用治具及其使用方法。
技术介绍
1、为了抑制自掺杂现象,常使用常压化学气相沉积(apcvd)方法在硅片的背面淀积一层sio2薄膜。apcvd设备主要有履带式和托盘式。履带式设备通过机械手将硅片放置在履带上,硅片的膜面不接触任何治具。托盘式设备分为膜面非接触式和膜面接触式。膜面非接触式设备通过机械手将硅片放置在托盘上,硅片的膜面不接触任何治具。膜面接触式设备通过机械手将硅片放置在一石英治具上,使硅片与石英治具接触,然后通过真空将硅片吸附到托盘上。
2、然而,现有技术中膜面接触式设备的使用存在一个问题,即硅片与石英治具接触的地方会产生色差,这是非预期的结果,需要改善。色差会影响硅片的外观质量,并可能对器件的性能产生不利影响。因此,有必要对现有技术进行改进,以解决色差问题,提高硅片外延的质量。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的上述问题,本专利技术提供了一种常压化学气相沉积用治具及其使用方法。
2、为了解决上述
...【技术保护点】
1.一种常压化学气相沉积用治具,其特征在于:包括,
2.根据权利要求1所述的常压化学气相沉积用治具,其特征在于:所述治具上设置有第一斜面,所述第一斜面的侧边形成所述棱边。
3.根据权利要求2所述的常压化学气相沉积用治具,其特征在于:所述治具上设置有与所述第一斜面相切的第二斜面,所述第一斜面与所述第二斜面的切边形成所述棱边。
4.根据权利要求1-3任一所述的常压化学气相沉积用治具,其特征在于:所述治具通过粘接或吸附的方式固定于膜面接触式设备上。
5.根据权利要求1-3任一所述的常压化学气相沉积用治具,其特征在于:所述治具上
...【技术特征摘要】
1.一种常压化学气相沉积用治具,其特征在于:包括,
2.根据权利要求1所述的常压化学气相沉积用治具,其特征在于:所述治具上设置有第一斜面,所述第一斜面的侧边形成所述棱边。
3.根据权利要求2所述的常压化学气相沉积用治具,其特征在于:所述治具上设置有与所述第一斜面相切的第二斜面,所述第一斜面与所述第二斜面的切边形成所述棱边。
4.根据权利要求1-3任一所述的常压化学气相沉积用治具,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:马爱,李传玉,
申请(专利权)人:上海中欣晶圆半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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