用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具及干法蚀刻方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，公开了本发明专利技术公开了一种用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具及干法蚀刻方法。该治具由可开合的上盖体和下底座构成，内部设置环形氟橡胶胶圈形成密封反应腔室。通过超声波雾化器将氢氟酸溶液雾化至粒径，与氮气混合形成体积浓度的雾化气液两相流，经进气孔通入密封腔室。混合气体在宽环形反应区内与硅片边缘二氧化硅膜发生气液固三相反应，通过调节HF浓度和反应时间精确控制蚀刻宽度。反应生成的六氟硅酸废液经排气孔排出，含HF废气经两级处理达标排放。处理后硅片无需清洗干燥即可直接进入下一工序，单片处理周期150秒，显著提升半导体器件良率及电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造，具体涉及一种用于硅片边缘二氧化硅膜去除的干法蚀刻方法，同时涉及一种用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具。

技术介绍

1、在晶圆制造的高温外延环节中，衬底内杂质受热挥发易引发非预期的自掺杂现象，尤其在重掺杂衬底片中问题更为突出。为解决这一问题，工业上通常采用在衬底片背面沉积二氧化硅薄膜的方式，对杂质的逸出形成有效阻隔。然而，该背封工艺会导致硅片倒角区域、正面及背面边缘处残留二氧化硅，这些残留的二氧化硅易成为外延生长的起始位点，促使硅片边缘形成多晶态或非晶态结构。这不仅会显著影响外延层质量、压缩有效外延面积，更会因外延后边缘产生的晶格缺陷，导致后续芯片制造中器件边缘的良品率下降。

2、因此，去边工艺成为晶圆制造中的关键环节。该工艺通过精准去除硅片倒角及边缘的氧化膜，能够有效规避外延生长时因边缘效应形成的无定形态硅，从而为后续光刻工艺的高精度实施奠定重要基础。在实际操作中，氢氟酸(hf)溶液因对二氧化硅具有特定蚀刻特性，成为去除边缘二氧化硅膜的常用处理介质。但由于氢氟酸的强腐蚀性会对其他需保留的二氧化硅膜造成损伤，因此必须对本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具，其特征在于，所述进气孔(4)连接有雾化器，用于将含有氢氟酸的混合气体转化为雾化状态。

3.根据权利要求1所述的用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具，其特征在于，所述弹性胶圈(3)为环形氟橡胶胶圈，压缩后形成密封空间，并缓冲上盖体(1)和下底座(2)之间的夹持压力。

4.根据权利要求3所述的用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具，其特征在于，所述环形氟橡胶胶圈的内径与硅片直径匹配；闭合后，环形氟橡胶胶圈内缘与硅片边缘间距形成1～10...

【技术特征摘要】

1.一种用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具，其特征在于，所述进气孔(4)连接有雾化器，用于将含有氢氟酸的混合气体转化为雾化状态。

3.根据权利要求1所述的用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具，其特征在于，所述弹性胶圈(3)为环形氟橡胶胶圈，压缩后形成密封空间，并缓冲上盖体(1)和下底座(2)之间的夹持压力。

4.根据权利要求3所述的用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具，其特征在于，所述环形氟橡胶胶圈的内径与硅片直径匹配；闭合后，环形氟橡胶胶圈内缘与硅片边缘间距形成1～10mm宽的反应区。

5.根据权利要求1所述的用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具，其特征在于，所述雾化混合气体供应装置包括氢氟酸储罐、氮气源及超声波雾化器，氢氟酸经雾化后与氮气混合输送至进气孔。

6.一种用于硅片边缘二氧化硅膜去除的干法蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：王帅，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：