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本发明涉及半导体制造技术领域，公开了本发明公开了一种用于硅片边缘二氧化硅膜去除的密闭治具及干法蚀刻方法。该治具由可开合的上盖体和下底座构成，内部设置环形氟橡胶胶圈形成密封反应腔室。通过超声波雾化器将氢氟酸溶液雾化至粒径，与氮气混合形成体积浓...
该专利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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