一种硅片超细颗粒清洗优化方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片超细颗粒清洗优化方法，具体涉及半导体洗净加工领域，包括S1、优化清洗工艺；S2、改进设备和操作方式；S3、改善环境条件。本发明专利技术所述的一种硅片超细颗粒清洗优化方法，通过优化清洗工艺、改进设备和操作方式以及改善环境条件等多个方面的协同作用，能够有效提高硅片表面小于0.16um的小颗粒的洗净能力，提高硅片洗净的效果和质量，满足半导体制造工艺的高精度要求，采用合适的清洗液及配比并通过控制清洗时间和温度从而精准地提升产品清洗能力，使用先进的清洗设备并优化规范操作流程来达到预期的高标准规范，通过改善环境条件提升并结合洁净室环境控制温度、湿度和压力等参数来达到高标准的生产环境。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体洗净加工领域，特别涉及一种硅片超细颗粒清洗优化方法。

技术介绍

1、半导体产业蓬勃发展的当下，半导体硅片作为集成电路制造的核心基础材料，其质量与性能直接决定了最终芯片产品的优劣，而在半导体硅片制造的复杂流程中，洗净工艺宛如一条贯穿始终的生命线，起着承上启下的关键作用，是保障硅片高质量加工的核心环节，从硅片原材料的初始处理，到历经一系列高精度的加工工序，如切割、研磨、抛光等，每一步操作都不可避免地会在硅片表面引入各种污染物，其中超细颗粒污染尤为突出，这些超细颗粒尺寸极小，通常小于0.16um，它们如同隐藏在暗处的“杀手”，对硅片的性能和可靠性构成了严重威胁，在集成电路制造领域，随着技术的飞速发展，工艺精度和要求正以前所未有的速度不断提高，芯片的集成度越来越高，特征尺寸越来越小，这使得对硅片表面洁净度的要求达到了近乎苛刻的程度，任何微小的颗粒污染都可能导致芯片出现短路、断路、漏电等缺陷，进而影响芯片的良品率和性能稳定性，然而，现有技术中的硅片清洗工艺在应对这些超细颗粒时，暴露出了明显的洗净能力不足的问题，传统的清洗方法，如化学清洗、物理清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅片超细颗粒清洗优化方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种硅片超细颗粒清洗优化方法，其特征在于：所述清洗流程为预水洗、SC-1超声清洗、乙醇分散处理、DHF浸泡、SC-2清洗、纯水溢流和氮气甩干；其中SC-1超声清洗温度为68℃，进行3次，DHF浸泡在常温下进行，时间为10分钟。

3.根据权利要求1所述的一种硅片超细颗粒清洗优化方法，其特征在于：所述S3改善环境条件步骤中洁净室需要定期进行清洁和消毒，包括但不限于地面、墙壁、天花板和设备表面。

4.根据权利要求1所述的一种硅片超细颗粒清洗优化方法，其特征在于：所述设备配置...

【技术特征摘要】

1.一种硅片超细颗粒清洗优化方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种硅片超细颗粒清洗优化方法，其特征在于：所述清洗流程为预水洗、sc-1超声清洗、乙醇分散处理、dhf浸泡、sc-2清洗、纯水溢流和氮气甩干；其中sc-1超声清洗温度为68℃，进行3次，dhf浸泡在常温下进行，时间为10分钟。

3.根据权利要求1所述的一种硅片超细颗粒清洗优化方法，其特征在于：所述s3改善环境条件步骤中洁净室需要定期进行清洁和消毒，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁剑峰，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：