一种去除重掺品硅片药液残留的方法技术

本发明专利技术提供一种去除重掺品硅片药液残留的方法，所述方法包括如下步骤：(1)腐蚀前洗净：将硅片置于SC1槽内，然后经过水洗；(2)碱洗净：将步骤(1)腐蚀前洗净的硅片，使用氢氧化钾水溶液进行洗涤，然后再用水洗，进一步将硅片进行甩干后，得到硅片；本发明专利技术提供的方法，能够有效去除重掺品硅片药液残留，通过增加氢氧化钾，在荧光灯下和聚光灯下观察硅片均未见污迹不良发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体清洗领域，尤其涉及一种去除重掺品硅片药液残留的方法。

技术介绍

1、随着衬底材料硅片的应用日益广泛，市场及厂商对工艺技术和硅片表面质量要求也不断提高。但是由于硅晶体的特殊结构，硅片表面易出现各种污迹影响器件质量及产品外观。为达到客户要求的硅片外观及表面质量，腐蚀工程是极为重要的一个加工环节。

2、目前在硅片腐蚀工程加工过程中，常见的加工流程为：腐蚀前洗净—酸腐蚀—腐蚀后洗净—硅片面检。腐蚀后洗净是通过氢氟酸加tmah+超声波的方式，去除酸腐蚀后污迹、金属等不良，同时使得硅片表面洁净且达到一定的光洁度的要求。腐蚀清洗过程是化学反应过程，与温度、超声波、使用的清洗辅材等均有关系且难以控制。如果腐蚀后洗净的条件不稳定，则酸腐蚀后硅片表面会残留蓝色药液残留，且再次反洗依然无法去除，并且只有通过硅片面检过程才能确认腐蚀污迹不良，这对于生产良率及产品质量影响极大。目前腐蚀后洗净设备的清洗工艺(hf+tmah+hf)无法彻底去除残留的药液残留，会对产品外观造成不良，严重的会直接报废处理。

3、因此，如何开发一种改善硅片腐蚀污迹本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种去除重掺品硅片药液残留的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述SC1槽内包括：氨水(1.5L)和双氧水的混合溶液；

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述硅片置于SC1槽内的时间为3～7min；

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述水洗的时间为3～8min，优选为5min。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)中所述氢氧化钾水溶液的浓度为40％～55％；优选为49％。

6.根...

【技术特征摘要】

1.一种去除重掺品硅片药液残留的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述sc1槽内包括：氨水(1.5l)和双氧水的混合溶液；

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述硅片置于sc1槽内的时间为3～7min；

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述水洗的时间为...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小波，张小娜，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：