【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体清洗领域，尤其涉及一种去除重掺品硅片药液残留的方法。
技术介绍
1、随着衬底材料硅片的应用日益广泛，市场及厂商对工艺技术和硅片表面质量要求也不断提高。但是由于硅晶体的特殊结构，硅片表面易出现各种污迹影响器件质量及产品外观。为达到客户要求的硅片外观及表面质量，腐蚀工程是极为重要的一个加工环节。
2、目前在硅片腐蚀工程加工过程中，常见的加工流程为：腐蚀前洗净—酸腐蚀—腐蚀后洗净—硅片面检。腐蚀后洗净是通过氢氟酸加tmah+超声波的方式，去除酸腐蚀后污迹、金属等不良，同时使得硅片表面洁净且达到一定的光洁度的要求。腐蚀清洗过程是化学反应过程，与温度、超声波、使用的清洗辅材等均有关系且难以控制。如果腐蚀后洗净的条件不稳定，则酸腐蚀后硅片表面会残留蓝色药液残留，且再次反洗依然无法去除，并且只有通过硅片面检过程才能确认腐蚀污迹不良，这对于生产良率及产品质量影响极大。目前腐蚀后洗净设备的清洗工艺(hf+tmah+hf)无法彻底去除残留的药液残留，会对产品外观造成不良，严重的会直接报废处理。
3、因此，如何开发一种改善硅片腐蚀污迹的方法，对于提升硅片质量有重要意义。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题在于现有的方法腐蚀后洗净程度效果不好。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种去除重掺品硅片药液残留的方法，所述方法包括如下步骤：
3、(1)腐蚀前洗净：将硅片置于sc1槽内，然后经过水洗；
4、(2)碱洗
5、本专利技术提供的方法，在原有清洗工艺的基础上，通过对后洗净各槽药液浓度的确认，从发现现有hf+tmah+hf的组合不能完全去除重掺品硅片表面的药液残留，必须加强清洗能力从而实现较好的清洗效果，本专利技术后洗净工艺改为：hf(氢氟酸)+tmah(四甲铵氢氧化物)+hf+sc1+diw(纯水)+koh(氢氧化钾)，应用可有效去除酸腐蚀后硅片表面的蓝色药液残留。
6、为了能保持硅片表面的洁净度，腐蚀前洗净需要先经过1、2槽药液槽sc-1协同超声波清洗的方式去除表面的颗粒及有机物等杂质，然后经过碱洗净1槽koh，去除硅片表面残留的蓝色药液残留；本专利技术实施后可以有效降低报废率，提高产品良率。
7、优选地，步骤(1)中所述sc1槽内包括：氨水(1.5l)和双氧水的混合溶液。
8、优选地，所述氨水和双氧水的体积比为1:2。
9、优选地，所述氨水为1.5l，所述双氧水为3l。
10、该槽为氨水和双氧水的混合溶液。主要作用去除硅片表面有机物和无机物；sc1清洗原理的是利用氧化还原反应和化学反应的原理,将污染物转化为易于溶解和移除的物质。
11、优选地，步骤(1)中所述硅片置于sc1槽内的时间为3～7min，例如可以是3min、4min、5min、6min或7min。
12、优选地，步骤(1)中所述硅片置于sc1槽内的温度为60～70℃。。
13、优选地，步骤(1)中所述水洗的时间为3～8min，优选为5min。
14、优选地，步骤(2)中所述氢氧化钾水溶液的浓度为40％～55％，例如可以是40％、41％、42％、43％、44％、45％、46％、47％、48％、49％、50％、51％、52％、53％、54％、55％等，优选为49％。
15、优选地，步骤(2)中所述氢氧化钾水溶液洗涤的时间为30～60s，例如可以是30s、35s、40s、45s、50s、55s或60s等，优选为40s。
16、氢氧化钾溶液在洗涤领域有着多种应用：例如可作为清洁剂。氢氧化钾溶液可以作为强力清洁剂使用，去除油脂、有机物和表面污垢。它常用于工业清洗、金属表面处理和设备清洁。可作为玻璃清洁剂：在一些情况下，氢氧化钾溶液可以用于清洁玻璃表面，去除某些类型的污垢。进行油脂清洗：氢氧化钾溶液可以用于清洗炉具、器皿和其他厨房设备上的油脂残留。
17、而在半导体工业中，氢氧化钾溶液可以作为去除硅片表面的氧化层。而在本专利技术中，通过氢氧化钾溶液，意外的发现其可以有效去除药液残留。
18、优选地，步骤(2)中所述甩干在甩干机中进行。
19、实施本专利技术，具有以下有益效果：
20、本专利技术提供的方法，能够有效去除重掺品硅片药液残留，通过增加氢氧化钾，在荧光灯下和聚光灯下观察硅片均未见污迹不良发生。
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1.一种去除重掺品硅片药液残留的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述SC1槽内包括：氨水(1.5L)和双氧水的混合溶液；
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述硅片置于SC1槽内的时间为3～7min；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述水洗的时间为3～8min，优选为5min。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)中所述氢氧化钾水溶液的浓度为40％～55％；优选为49％。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)中所述氢氧化钾水溶液洗涤的时间为30～60s；优选为40s。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)中所述甩干在甩干机中进行。
【技术特征摘要】
1.一种去除重掺品硅片药液残留的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述sc1槽内包括：氨水(1.5l)和双氧水的混合溶液；
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述硅片置于sc1槽内的时间为3～7min；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述水洗的时间为...
【专利技术属性】
技术研发人员：王小波，张小娜，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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