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本发明提供一种去除重掺品硅片药液残留的方法，所述方法包括如下步骤：(1)腐蚀前洗净：将硅片置于SC1槽内，然后经过水洗；(2)碱洗净：将步骤(1)腐蚀前洗净的硅片，使用氢氧化钾水溶液进行洗涤，然后再用水洗，进一步将硅片进行甩干后，得到硅片；...该专利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种去除重掺品硅片药液残留的方法，所述方法包括如下步骤：(1)腐蚀前洗净：将硅片置于SC1槽内，然后经过水洗；(2)碱洗净：将步骤(1)腐蚀前洗净的硅片，使用氢氧化钾水溶液进行洗涤，然后再用水洗，进一步将硅片进行甩干后，得到硅片；...