【技术实现步骤摘要】
一种清洗刷组件和晶圆清洗装置
[0001]本技术涉及化学机械抛光后处理
，尤其涉及一种清洗刷组件和晶圆清洗装置。
技术介绍
[0002]在半导体领域，晶圆表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一。在晶圆制程中，例如：沉积、等离子体刻蚀、光刻、电镀等等，都有可能在晶圆表面引入污染和/或颗粒，导致晶圆表面的清洁度下降，制造的半导体器件良率不高。化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是一种全局平整化的超精密表面加工工艺。由于化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会在抛光完成后在晶圆表面残留大量的研磨颗粒和研磨副产物等污染物，这些污染物会对后续工艺产生不良影响。
[0003]为了达到晶圆表面无污染物的目的，需要移除晶圆表面的污染物以避免制程前污染物重新残留于晶圆表面。因此，在晶圆制造过程中需要经过多次的表面清洗，以去除晶圆表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒等污染物。
[0004]晶圆清洗方式有滚刷清洗、兆声清洗等，其中，滚刷清洗应用较为广泛。专利...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种清洗刷组件，其特征在于，包括：中芯轴和多孔材料刷体，所述多孔材料刷体包覆所述中芯轴的外表面并形成一体，所述中芯轴为中空结构以形成贯通长度两端的通液管道，所述中芯轴的轴壁具有多个均匀分布的出液孔以及多个均匀分布的长条形凹槽，所述出液孔贯通所述中芯轴的轴壁，所述长条形凹槽的长度平行于所述中芯轴的长度，所述长条形凹槽的深度小于所述中芯轴的轴壁厚度，所述长条形凹槽内设有至少两个出液孔。2.如权利要求1所述的清洗刷组件，其特征在于，两个出液孔分布在所述长条形凹槽的两端。3.如权利要求1所述的清洗刷组件，其特征在于，所述长条形凹槽的长度方向平行于中芯轴的轴向，位于相同长度方向上的多个长条形凹槽间隔排列，位于不同长度方向上的长条形凹槽错位排列。4...
【专利技术属性】
技术研发人员：周斌，王占胜，孙新颖，贾弘源，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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