本实用新型专利技术公开了一种清洗刷组件和晶圆清洗装置，该清洗刷组件包括：中芯轴和多孔材料刷体，所述多孔材料刷体包覆所述中芯轴的外表面并形成一体，所述中芯轴为中空结构以形成贯通长度两端的通液管道，所述中芯轴的轴壁具有多个均匀分布的出液孔以及多个均匀分布的长条形凹槽，所述出液孔贯通所述中芯轴的轴壁，所述长条形凹槽的长度平行于所述中芯轴的长度，所述长条形凹槽的深度小于所述中芯轴的轴壁厚度，所述长条形凹槽内设有至少两个出液孔。晶圆清洗装置包括箱体、晶圆旋转组件以及该清洗刷组件。该清洗刷组件。该清洗刷组件。
【技术实现步骤摘要】
一种清洗刷组件和晶圆清洗装置
[0001]本技术涉及化学机械抛光后处理
，尤其涉及一种清洗刷组件和晶圆清洗装置。
技术介绍
[0002]在半导体领域，晶圆表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一。在晶圆制程中，例如：沉积、等离子体刻蚀、光刻、电镀等等，都有可能在晶圆表面引入污染和/或颗粒，导致晶圆表面的清洁度下降，制造的半导体器件良率不高。化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是一种全局平整化的超精密表面加工工艺。由于化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会在抛光完成后在晶圆表面残留大量的研磨颗粒和研磨副产物等污染物，这些污染物会对后续工艺产生不良影响。
[0003]为了达到晶圆表面无污染物的目的，需要移除晶圆表面的污染物以避免制程前污染物重新残留于晶圆表面。因此，在晶圆制造过程中需要经过多次的表面清洗，以去除晶圆表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒等污染物。
[0004]晶圆清洗方式有滚刷清洗、兆声清洗等，其中，滚刷清洗应用较为广泛。专利CN102768974B公开了一种晶圆清洗设备。所述晶圆清洗设备包括：机架；晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置设在所述机架上；晶圆刷洗装置，所述晶圆刷洗装置设在所述机架上且位于所述晶圆清洗装置的下游侧；晶圆干燥装置，所述晶圆干燥装置设在所述机架上且位于所述晶圆刷洗装置的下游侧；和机械手，所述机械手可移动地设在所述机架上用于竖直地夹持晶圆和搬运晶圆。
[0005]然而现有的滚刷结构不合理，其内部供液难以实现均匀分布，轴向出液不均匀导致滚刷表面的液体浸润效果不均匀，滚刷表面施加于晶圆的刷洗力分布不均匀，进而影响晶圆最终的清洗效果。
技术实现思路
[0006]本技术实施例提供了一种清洗刷组件和晶圆清洗装置，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0007]本技术实施例的第一方面提供了一种清洗刷组件，包括：中芯轴和多孔材料刷体，所述多孔材料刷体包覆所述中芯轴的外表面并形成一体，所述中芯轴为中空结构以形成贯通长度两端的通液管道，所述中芯轴的轴壁具有多个均匀分布的出液孔以及多个均匀分布的长条形凹槽，所述出液孔贯通所述中芯轴的轴壁，所述长条形凹槽的长度平行于所述中芯轴的长度，所述长条形凹槽的深度小于所述中芯轴的轴壁厚度，所述长条形凹槽内设有至少两个出液孔。
[0008]在一个实施例中，两个出液孔分布在所述长条形凹槽的两端。
[0009]在一个实施例中，所述长条形凹槽的长度方向平行于中芯轴的轴向，位于相同长度方向上的多个长条形凹槽间隔排列，位于不同长度方向上的长条形凹槽错位排列。
[0010]在一个实施例中，所述中芯轴的外表面还设有防滑结构，用于固定所述多孔材料刷体避免所述多孔材料刷体发生扭转。
[0011]在一个实施例中，所述长条形凹槽的深度为1mm～3mm。
[0012]在一个实施例中，所述长条形凹槽的长度为10mm～20mm。
[0013]在一个实施例中，所述中芯轴的材质为ABS树脂。
[0014]在一个实施例中，所述中芯轴的一端连接进液机构。
[0015]在一个实施例中，所述中芯轴的另一端连接驱动机构。
[0016]本技术实施例的第二方面提供了一种晶圆清洗装置，包括箱体、晶圆旋转组件以及如上所述的清洗刷组件。
[0017]本技术实施例的有益效果包括：在中芯轴的轴壁增设了多个长条形凹槽，长条形凹槽的内部还具有连通中芯轴轴壁的至少两个出液孔，通过进液机构向中芯轴中注入清洗液，随着中芯轴旋转，清洗液通过出液孔排出并首先流入长条形凹槽，当由出液孔流入长条形凹槽内的清洗液将长条形凹槽充满之后才有液体进入多孔材料刷体内，能够实现中芯轴沿轴向均匀出水，从而实现了对出液的匀流，清洗液能够均匀分配到中芯轴轴向各处的长条形凹槽内，再在离心力作用下甩出至多孔材料刷体处；通过增设带有出液孔的长条形凹槽可以有效调节清洗液在中芯轴内的流速分布，使得清洗液可以沿中芯轴的轴向均匀排出，避免产生偏流现象而导致多孔材料刷体各处润湿程度不同进而在夹持晶圆进行刷洗时使晶圆各处受理不均匀的问题，能够提高刷洗的一致性，使晶圆在刷洗中受力均匀，达成清洗一致性，优化了清洗的效果。
附图说明
[0018]通过结合以下附图所作的详细描述，本技术的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本技术的保护范围，其中：
[0019]图1示出了本技术一实施例提供的晶圆清洗装置；
[0020]图2和图3示出了本技术一实施例提供的中芯轴；
[0021]图4和图5示出了本技术另一实施例提供的中芯轴；
[0022]图6示出了图5中的中芯轴上的防滑结构；
[0023]图7示出了本技术一实施例提供的中芯轴的尺寸；
[0024]图8至图10示出了本技术一实施例提供的中芯轴的各剖面视图。
具体实施方式
[0025]下面结合具体实施例及其附图，对本技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本技术的特定的具体实施方式，用于说明本技术的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本技术实施方式及本技术保护范围的限制。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本技术具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始
静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。
[0026]此外，还需要说明的是，本申请中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明，用以帮助对相对位置或方向的理解，并非旨在限制任何装置或结构的取向。
[0027]为了说明本技术所述的技术方案，下面将参考附图并结合实施例来进行说明。
[0028]在本申请中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing)也称为化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)，晶圆(wafer)也称为晶片、硅片、基片或基板(substrate)等，其含义和实际作用等同。
[0029]图1是本技术一个实施例提供的晶圆清洗装置1的结构示意图，晶圆清洗装置1包括箱体10、晶圆旋转组件20、清洗刷组件40、驱动机构30。
[0030]如图1所示，在本技术的一个实施例中，晶圆旋转组件20设置于底座的上部，待清洗晶圆由晶圆旋转组件20支撑并绕晶圆的轴线旋转。
[0031]其中，晶圆旋转组件20包括固定座、一对主动辊轮和从动辊轮，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种清洗刷组件，其特征在于，包括：中芯轴和多孔材料刷体，所述多孔材料刷体包覆所述中芯轴的外表面并形成一体，所述中芯轴为中空结构以形成贯通长度两端的通液管道，所述中芯轴的轴壁具有多个均匀分布的出液孔以及多个均匀分布的长条形凹槽，所述出液孔贯通所述中芯轴的轴壁，所述长条形凹槽的长度平行于所述中芯轴的长度，所述长条形凹槽的深度小于所述中芯轴的轴壁厚度，所述长条形凹槽内设有至少两个出液孔。2.如权利要求1所述的清洗刷组件，其特征在于，两个出液孔分布在所述长条形凹槽的两端。3.如权利要求1所述的清洗刷组件，其特征在于，所述长条形凹槽的长度方向平行于中芯轴的轴向，位于相同长度方向上的多个长条形凹槽间隔排列，位于不同长度方向上的长条形凹槽错位排列。4...
【专利技术属性】
技术研发人员：周斌，王占胜，孙新颖，贾弘源，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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